公开(公告)号：CN104854704B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201380065570.2

申请日：2013-11-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 碳化硅膜(90)的第一和第二范围(RA，RB)具有界面(IF)。第一范围(RA)包括：具有第一导电类型的第一击穿电压保持层(81A)；以及提供在外边缘部(PT)中的界面(IF)处并具有第二导电类型的外边缘嵌入区(TB)。第二范围(RB)包括具有第一导电类型的第二击穿电压保持层(81B)。半导体元件(EL)形成在第二范围(RB)中。第一范围(RA)包括：在厚度方向上面对中心部(PC)中的半导体元件(EL)的中心区段(CC)；以及在厚度方向上面对外边缘部(PT)中的半导体元件(EL)的外边缘区段(CT)。在界面(IF)处，外边缘区段(CT)包括具有与中心区段(CC)的杂质浓度不同的杂质浓度的部分。

公开(公告)号：CN103890951B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201280049775.7

申请日：2012-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/049 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 用于制造半导体器件的方法包括：制备由碳化硅制成的衬底（30）的步骤；在该衬底（30）中，形成在衬底（30）的一个主表面（30A）侧上开口的沟槽（15）的步骤；以及在包括沟槽（15）的表面的区域中形成氧化物膜（40）的步骤。在形成氧化物膜（40）的步骤中，在包含氧的气氛中，在1250℃或更高的温度下加热衬底（30）。

公开(公告)号：CN103907195B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201280052435.X

申请日：2012-09-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  增田健良 ,  日吉透

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种MOSFET(1)设置有：衬底(10)，该衬底设置有沟槽(20)，该沟槽(20)具有相对于{0001}面具有50°至65°的偏离角的壁表面(20A)；氧化物膜(30)；和栅电极(40)。该衬底(10)包括源极区成为将体区(13)夹在源极区(14)和漂移区(12)之间。源极区(14)和体区(13)是借助离子注入形成的。在体区(13)中，内部区域(13A)垂直于衬底主表面(10A)的方向上具有1μm或更小的厚度，所述内部区域(13A)被夹在源极区(14)和漂移区(12)之间。体区(13)中的杂质浓度为3×1017cm-3或更大。(14)、体区(13)和漂移区(12)，漂移区(12)被形

公开(公告)号：CN103782391B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201280043216.5

申请日：2012-09-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透 ,  增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 当在平面图中观察时，终端区（TM）围绕元件区（CL）。热蚀刻碳化硅衬底（SB）的第一侧以在终端区（TM）处的碳化硅衬底（SB）中形成侧壁（ST）和底表面（BT）。侧壁（ST）具有{0?33?8}和{0?11?4}中的一种面取向。底表面（BT）具有{000?1}的面取向。在侧壁（ST）和底表面（BT）上，形成绝缘膜（8T）。第一电极（12）形成在元件区（CL）处的碳化硅衬底（SB）的第一侧上。第二电极（14）形成在碳化硅衬底（SB）的第二侧上。

公开(公告)号：CN103718298B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201280037159.X

申请日：2012-08-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 日吉透 ,  增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  Y10S438/931

Abstract: 衬底（1）具备相对于参考面具有5°以下的偏离角的主表面（MS）。参考面在六方晶系的情况下是{000-1}面且在立方晶系的情况下是{111}面。碳化硅层外延形成在衬底的主表面（MS）上。碳化硅层具备沟槽（6），沟槽（6）具有彼此相对的第一和第二侧壁（20a，20b）。第一和第二侧壁（20a，20b）中的每一个都包括沟道区。而且，第一和第二侧壁（20a，20b）中的每一个在六方晶系的情况下基本上都包括{0-33-8}面和{01-1-4}面之一，在立方晶系的情况下基本上包括{100}面。

公开(公告)号：CN102971853B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201180032956.4

申请日：2011-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  Y10S438/931

Abstract: 提供了具有稳定特性和高质量的半导体器件以及用于生产该半导体器件的工艺。该半导体器件包括具有主表面的衬底（1）和碳化硅层（2至5）。该碳化硅层形成在衬底（1）的主表面上。碳化硅层中的每一个具有作为相对于主表面倾斜的端表面的侧表面。在碳化硅层是六方晶型时，侧表面基本上包含{03-3-8}面和{01-1-4}面中的一种，并且在碳化硅层是立方晶型时，侧表面基本上包含{100}面。

公开(公告)号：CN102859697B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201280001187.6

申请日：2012-01-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  日吉透 ,  和田圭司

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/049 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: 碳化硅层外延形成在衬底（1）的主表面上。该碳化硅层设置有沟槽，该沟槽具有相对于主表面倾斜的侧壁（6）。侧壁（6）相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角。栅极绝缘膜（8）设置在碳化硅层的侧壁（6）上。碳化硅层包括：体区（3），其具有第一导电类型，并且面对栅电极（9）且其间插入栅极绝缘膜（8）；以及一对区域（2、4），其通过体区（3）彼此分开并具有第二导电类型。体区（3）具有5×1016cm-3或更大的杂质密度。这使得在设定阈值电压时具有更大的自由度，同时能够抑制沟道迁移率的降低。

公开(公告)号：CN104871316A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201380065816.6

申请日：2013-11-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  增田健良 ,  日吉透

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872

Abstract: 一种碳化硅半导体器件(1)提供有碳化硅衬底(10)。碳化硅衬底(10)由提供有半导体元件部(7)的元件区(IR)以及在平面图中观察时围绕元件区(IR)的终端区(OR)构成。半导体元件部(7)包括具有第一导电类型的漂移区(12)。终端区(OR)包括接触元件区(IR)并具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第一电场缓和区(2)，以及从平面图中观察时布置在第一电场缓和区(2)更外侧、具有第二导电类型并与第一电场缓和区(2)隔开的第二电场缓和区(3)。通过第一电场缓和区(2)的宽度(W1)除以漂移区(12)的厚度(T)计算的比值为0.5-1.83。由此，可提供在不使元件区太窄的情况下能提高击穿电压的碳化硅半导体器件(1)。

公开(公告)号：CN104854704A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201380065570.2

申请日：2013-11-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  和田圭司

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 碳化硅膜(90)的第一和第二范围(RA，RB)具有界面(IF)。第一范围(RA)包括：具有第一导电类型的第一击穿电压保持层(81A)；以及提供在外边缘部(PT)中的界面(IF)处并具有第二导电类型的外边缘嵌入区(TB)。第二范围(RB)包括具有第一导电类型的第二击穿电压保持层(81B)。半导体元件(EL)形成在第二范围(RB)中。第一范围(RA)包括：在厚度方向上面对中心部(PC)中的半导体元件(EL)的中心区段(CC)；以及在厚度方向上面对外边缘部(PT)中的半导体元件(EL)的外边缘区段(CT)。在界面(IF)处，外边缘区段(CT)包括具有与中心区段(CC)的杂质浓度不同的杂质浓度的部分。

公开(公告)号：CN102652362B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201180004823.6

申请日：2011-07-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 增田健良 ,  原田真 ,  穗永美纱子 ,  和田圭司 ,  日吉透

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/868

Abstract: 提供了一种能够稳定地展示其性质并且具有高质量半导体器件以及用于生产该半导体器件的工艺。半导体器件包括具有主表面的衬底（1）以及形成在衬底（1）的主表面上并且每一个均具有相对于主表面倾斜的侧表面的碳化硅层（2-5）。侧表面基本上包含面[03-3-8]。该侧表面包含沟槽区域。