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公开(公告)号：CN114005779B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111595678.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。所述键合系统包括：键合组件，包括：用于拾取第一待键合管芯的键合头，以及贯穿所述键合头的第一光通路；其中，所述第一光通路的第一端位于所述键合头拾取所述第一待键合管芯的拾取面；第一对准组件，用于在所述键合组件位于第一位置时，通过所述第一光通路的第二端向所述第一端发射检测光信号；所述第一对准组件，还用于接收所述检测光信号经所述第一待键合管芯反射的反射光信号，并根据接收的所述反射光信号确定所述第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；第二对准组件，用于确定所述晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值。
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公开(公告)号：CN114005778B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111595542.4
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例公开了一种键合系统和键合补偿方法。所述键合补偿方法包括：确定拾取的第一管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；确定晶圆上的第二管芯的当前位置与第二目标位置之间的第二偏差值；根据所述第一偏差值和所述第二偏差值，移动所述晶圆，以对准所述第一管芯和所述第二管芯；在所述第一管芯和所述第二管芯对准后，键合所述第一管芯和所述第二管芯；确定键合后的所述第一管芯的位置和所述第二管芯的位置之间的第三偏差值；根据所述第三偏差值，确定待键合的第三管芯与所述晶圆上的第四管芯的校准参数；根据所述校准参数，键合所述第三管芯和所述第四管芯。
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公开(公告)号：CN114203900A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111287968.3
申请日：2021-11-02
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种多功能忆阻器及其调控方法，其调控方法包括：在底电极上形成原始薄膜，所述原始薄膜为包括含In和Se的化合物薄膜；通过氧等离子体工艺对所述原始薄膜进行处理，将原始薄膜表层氧化为氧化层，形成阻变层，所述阻变层包括氧化层和剩余的原始薄膜；在所述阻变层上制备顶电极，形成忆阻器；其中，在形成阻变层期间，通过调控氧等离子体工艺的处理参数，调控阻变层内导电细丝的形态，改变忆阻器的易失性或非易失性。本申请可以基于一种材料，通过改变器件制备期间的工艺参数，得到不同性能的忆阻器，基于同一种材料实现忆阻器的多功能调控，有利于简化大规模集成电路的工艺与结构。
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公开(公告)号：CN114039108A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111327566.1
申请日：2021-11-10
Abstract: 本发明公开了一种耐高温水系锌离子电池电解液及其制备方法和应用，属于电化学技术领域。本发明的耐高温水系锌离子电池电解液，包括A组分、B组分、C组分、D组分和水溶性锌盐；A组分为腈类溶剂；B组分为亚砜类溶剂和/或酰胺类溶剂；C组分为溶剂水；D组分为磷系液体阻燃剂；A组分、B组分、C组分、D组分的体积比为VA：VB：VC：VD，其中：0＜VA＜10，0＜VB＜10，0＜VC＜10，0＜VD＜10；A组分、B组分、C组分、D组分的体积比优选为6：2：1：1或5：2：2：1。本发明以高温电解液构建了一种在100℃高温下可正常运行并保持较高的比容量、较长循环寿命、安全高效等优异化学性能的耐高温水系锌离子电池。
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公开(公告)号：CN113990790A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111594258.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/50
Abstract: 本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。所述键合系统包括：键合组件、晶圆承载台、第一对准组件和第二对准组件；晶圆承载台，用于根据第一对准组件确定的第一偏差值和第二对准组件确定的第二偏差值，驱动承载的晶圆移动，以使第二管芯对准第一管芯；键合组件，用于键合第一管芯和第二管芯；该键合系统还包括第三对准组件，位于晶圆承载台相对远离键合组件的一侧，用于确定已完成键合的第一管芯的位置与第二管芯的位置之间的第三偏差值；键合组件，还用于在第三偏差值大于预设阈值时，解键合第一管芯与第二管芯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113953689A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111536845.9
申请日：2021-12-16
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: B23K26/38 , B23K26/402 , B23K26/346 , B28D5/00 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供了一种晶圆的切割方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆包括衬底和形成于所述衬底上的介质层，所述介质层内形成有切割道，所述切割道内形成有用于晶圆可接收度测试的金属焊盘；去除所述切割道内的金属焊盘；在所述介质层上形成混合键合层；沿所述切割道对所述晶圆进行切割，以形成贯穿所述混合键合层、介质层和衬底的凹槽。由于切割道内的金属焊盘用于晶圆可接收度测试，在晶圆可接收度测试完成后，金属焊盘已经不再需要，并且，在激光切割时，切割金属的熔渣大于切割介质层的熔渣，因此，在激光切割工艺之前去除切割道内的金属焊盘，从而能够解决激光切割工艺中，表面凸起的熔渣会极大的影响混合键合界面的平整度的问题。
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公开(公告)号：CN119581459A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411711717.7
申请日：2024-11-27
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L23/544 , H01L23/538 , H01L21/768 , G01L5/00
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体封装结构及其制造方法。其中，半导体封装结构包括堆叠设置的多个半导体芯片；至少一个半导体芯片包括沿多个不同方向布置的多个应力检测结构；应力检测结构位于半导体芯片的互连结构中；多个半导体芯片包括穿过至少一个半导体芯片且与应力检测结构连接的引出结构；引出结构将应力检测结构引出至多个半导体芯片的顶部或者底部。
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公开(公告)号：CN118627446A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410829855.9
申请日：2024-06-25
IPC: G06F30/367 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种模拟铁电电容印迹效应的等效电路及模拟方法，属于集成电路设计技术领域；包括：正端点和负端点、并联在正端点与负端点之间的非线性电容、线性电容、延迟元件和追踪电容；考虑到对于实际包含印迹效应的铁电电容，其电滞回线的上、下半支的形状是不完全对称的，本发明对非线性电容进行了设计，根据线性电容上的电流方向的不同，构建了两种不同的非线性电容表达式，通过配合线性电容的电流流向对等效电路进行了控制，能够准确表现出铁电电容电滞回线中的正、负矫顽电场的偏移，实现了铁电电容印迹效应的准确模拟。
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公开(公告)号：CN114358146B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202111550255.1
申请日：2021-12-17
IPC: G06V10/771 , G06V10/82 , G06V10/774 , G06N3/02 , G06T7/11 , G06T7/136
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的图像特征选择方法及模块、神经网络模型，其方法包括：获取包含多张图像的数据集，每张图像包含M个特征，每个特征的特征值为0或1；统计数据集中图像第i个特征的特征值为1的图像数量Ni，设定图像数量阈值Nth；构建包含1行×M列的忆阻器阵列，每个忆阻器具有相同的脉冲数量阈值Pth，忆阻器的初始状态呈易失性并当接收到大于或等于脉冲数量阈值Pth的脉冲后转变为非易失性；向第i列的忆阻器Ri施加Pi个脉冲以调制对应忆阻器Ri的电导态，其中，Pi＝(Pth/Nth)×Ni。本申请充分利用了忆阻器易失性到非易失性的转换，能够筛选出数据集的公共特征，降低网络学习复杂度，从而使得特征处理、网络学习的硬件电路实现高密度集成。
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