公开(公告)号：CN206294132U

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201621335875.8

申请日：2016-12-07

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 徐卫林 ,  李春龙 ,  韦保林 ,  韦雪明 ,  段吉海

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/34 ,  H03F3/45

Abstract: 本实用新型公开一种低功耗低噪声电流反馈型仪表放大器，由输入预处理电路I0、运算跨导放大电路I1和电容反馈网络I2组成；所述运算跨导放大电路I1包括输入跨导支路和反馈跨导支路；在晶体管长度相同的情况下，输入跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM10和PMOS晶体管PM11的宽长比是反馈跨导差分晶体管对即PMOS晶体管PM12和PM13的宽长比的N倍，且偏置晶体管对即PMOS晶体管PM14宽长比是PMOS晶体管PM15的宽长比的N倍；上述N大于1。本实用新型通过等比例缩小反馈跨导晶体管支路的电流及其晶体管的宽长比，来降低电流反馈型仪表放大器的功耗与噪声。

公开(公告)号：CN205620849U

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201620429118.0

申请日：2016-05-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 岳宏卫 ,  邓进丽 ,  朱智勇 ,  韦雪明 ,  段吉海

IPC: G05F3/26

Abstract: 本实用新型提供一种全CMOS基准电压源，属于电压源技术领域，包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路；启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接；基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接；基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端；启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD，启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管，不仅能消除温度变化的影响，还能与标准CMOS工艺完全兼容，同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点，有效降低了系统成本。

公开(公告)号：CN205375264U

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201620048845.2

申请日：2016-01-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 岳宏卫 ,  邓进丽 ,  朱智勇 ,  段吉海 ,  韦雪明 ,  郑龙 ,  王宏庆

IPC: G05F3/26

Abstract: 本实用新型公开了一种无Bipolar晶体管的CMOS基准电压源，包括并接于电源VDD与地GND之间的启动电路、CTAT电压产生电路、PTAT电压产生电路和电流叠加电路；其中，启动电路的输出端与CTAT电压产生电路连接，用于在电源上电时，使基准电压源摆脱简并偏置点；CTAT电压产生电路的输出端与电流叠加电路连接；PTAT电压产生电路的输出端与电流叠加电路连接；电流叠加电路用于将CTAT电压产生电路和PTAT电压产生电路中产生的电流进行叠加，得到一个具有零温漂的电流源，电流源经一有源支路产生基准电压Vref。采用上述组成的CMOS基准电压源，未使用BJT和二极管，不仅能消除温度变化的影响，还能与标准CMOS工艺完全兼容、有效降低了系统成本，并具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点。