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公开(公告)号：CN113687227B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202110974397.4
申请日：2021-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G06V10/764 , G06V10/82 , G06V10/25 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08 , G01R31/34
Abstract: 本发明公开一种基于感兴趣区域增强的电机磁瓦缺陷分类方法，首先，构建分类模型，该分类模型由卷积层、特征还原层、最大池化层、4个卷积块、4个带特征还原的转换块和预测层组成；然后，获取电机磁瓦分类训练样本集，并利用电机磁瓦分类训练样本集对所构建的分类模型进行训练，得到训练好的分类模型；最后，采集待检测电机磁瓦的电机磁瓦表面灰度图，并将该电机磁瓦表面灰度图送入到训练好的分类模型中，由此得到待检测电机磁瓦的类别标签。本发明通过对特征张量的特征进行恢复和大范围空间关联，增强了电机磁瓦缺陷分类网络的感兴趣区域，从而提高了模型的分类与抗干扰能力，进而提升分类模型分类性能与鲁棒性。
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公开(公告)号：CN111343519B
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202010113269.6
申请日：2020-02-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04Q11/00
Abstract: 本发明公开了一种光电互联网络系统及数据传输方法，所述光电互联网络系统包括资源节点、资源网络接口、路由控制器、电路路由器、光电转换接口和光路路由器，将链路配置数据包通过传输方式控制器传输至路由控制器网络；接收所述链路配置数据包，进行配置请求的传输，得到配置完成信号；根据所述配置完成信号产生数据包，通过光电转换接口传输至光路路由器；经过所述光路路由器的传输后，通过所述光电转换接口将数据包传输至资源节点并计数；完成计数，释放传输链路，完成光电互联网络的数据传输，降低传输时延，提高抗干扰性和通信带宽。
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公开(公告)号：CN115064192A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210771643.0
申请日：2022-06-30
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明公开一种基于磁隧道结的读逻辑电路，由磁隧道结器件MTJ1～MTJ2、反相放大器I1～I2、PMOS晶体管PM0～PM5、以及NMOS晶体管NM0～NM4组成。该读逻辑电路包括预充电阶段和放电阶段两个阶段：当控制信号clk为低电平时，读逻辑电路进入预充电阶段；当控制信号clk为高电平时，逻辑读电路进入放电阶段。本发明将预充电电路和放电支路分离开来，有效地降低了读错误率；在预充电阶段，预充电电压的相关节点电压变小，有效的降低了电路的相关功耗。
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公开(公告)号：CN115020946A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210579653.4
申请日：2022-05-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明涉及太赫兹技术功能器件技术领域，具体涉及一种S型金属结构带割口的带阻滤波器；带阻滤波器包括多层单元结构，多层单元结构从上至下依次堆叠设置，每层单元结构均包括金属层、两组线条结构和方形基底，金属层设置于方形基底的顶侧，每层单元结构还具有四个形状为长方体的第一割口，每个第一割口的厚度等同于对应方形基底的厚度和对应金属层厚度之和，每个第一割口的底边为边长与方形基底的厚度相同正方形，解决的当前传统的基于金属‑介质滤波器结构的阻带普遍较窄，上升沿和下降沿不陡峭的缺点，并且该S型结构与线割结构复合相比于单线结构的滤波器，容易产生可需要的带宽及较优的滤波性能。
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公开(公告)号：CN114967275A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210799616.4
申请日：2022-07-06
Abstract: 本发明公开一种用于光片上网络的光子晶体三通道全光开关，由正方晶格圆形介质柱结构的二维光子晶体构成；该二维光子晶体上设有3个光子晶体波导、3个光子晶体谐振腔、3个输入波导和3个输出波导。本发明仅在正方晶格圆形介质柱结构的二维光子晶体的基础上上进行介质柱的删减和介质柱尺寸的设计，并未进行介质柱的增加，且大部分介质柱的结构参数都相同，在实际制作时比较方便；采用硫系玻璃Ge20Sn10Se70和半导体材料Si制成，利用具有较高三阶非线性折射率系数的Ge20Sn10Se70硫系玻璃，实现了工作波长通信波段的光子晶体光开关。本发明具有结构简单、尺寸小和消光比高、品质因数大的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114565012A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210058175.2
申请日：2022-01-19
IPC: G06K9/62 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/762 , G06V10/82
Abstract: 本发明涉及电机故障检测技术领域，尤其涉及一种基于机器视觉的电机磁瓦表面缺陷检测方法，通过配合高斯随机光照生成器对输入张量进行随机光照叠加，以生成光照不平衡图像参与模型训练，以达到提升电机磁瓦缺陷分类模型的整体性能的目的，同时采用了等像素亮度区间划分算法，通过对图像动态计算各亮度区间的像素，进行等量分割，然后通过K最近邻算法对游离点进行聚类，完成图层划分，最后并通过BP神经网络对各图层亮度进行校正，最后通过训练好的分类模型对待检测电机磁瓦表面灰度图进行检测分类，解决了现有的深度卷积神经网络对光照不平衡图像鲁棒性低、泛化性较弱的技术问题。
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公开(公告)号：CN113991268A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111208211.0
申请日：2021-10-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/208
Abstract: 本发明涉及纳米光子学技术领域，具体涉及基于等离子体诱导透明的可调制超宽带带阻滤波器，包括带阻滤波器本体，带阻滤波器本体具有传输波导、四个第一矩形耦合谐振腔和四个第二矩形耦合谐振腔，四个第一矩形耦合谐振腔分别与传输波导连通，均位于传输波导的一侧，四个第二矩形耦合谐振腔分别与四个第一矩形耦合谐振腔连通，第一矩形耦合谐振腔和第二矩形耦合谐振腔具有足够的特性，可以过滤比大多数金属‑介质‑金属滤波器更宽的波长范围，滤波器所产生的光谱，具有透射率高，阻带透射率低且变化平缓，阻带较宽的优点，解决了现有的带阻滤波器的圆形耦合谐振腔进行相消干涉后产生的光谱的阻带较窄的问题。
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公开(公告)号：CN113358238A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110640132.0
申请日：2021-06-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于微环谐振器的小尺寸片上温度传感器，包括绝缘硅基底和设置在绝缘硅基底上的微环硅波导。微环硅波导由2条直硅波导、1条圆形硅波导和1条跑道形硅波导组成。绝缘硅基底由下层的硅基底和上层的二氧化硅基底叠加而成。本发明具有体积小、抗干扰能力强、功耗低、灵敏度高等特点，在一定程度上解决当前片上温度传感器较高灵敏度和较小尺寸不能共存的问题，在片上系统温度检测领域有较大的研究价值和应用潜力。
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公开(公告)号：CN113240980A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110318600.2
申请日：2021-03-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种重力加速度测量装置及其测量方法，所述第一激光测距传感器与所述第一伸缩组件可拆卸连接，所述红外光电传感器与所述第二伸缩组件可拆卸连接，所述第二激光测距传感器与所述底座的顶部可拆卸的连接，并位于所述通孔的正下方，所述电磁铁模组与所述支撑架的侧面可拆卸连接，并位于所述第三激光测距传感器的正上方，本测量装置主要采用的是激光测距传感器、红外光电传感器、STM32单片机等具有测量和计算精度高的硬件，对相关数据进行精确的测量，从而提高了测量的精度，同时，测量单摆的摆长、释放小球、测量摆角、计时和计数操作均不需要人为操作，从而解决以往传统的测量装置操作繁琐的问题。
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公开(公告)号：CN111240051A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010149875.3
申请日：2020-03-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02F1/025
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子定向耦合式电光调制器，所述基于表面等离子定向耦合式电光调制器包括二氧化硅基底、第一硅波导、第二硅波导、激活块和Au电极，所述第一硅波导与所述二氧化硅基底固定连接，并位于所述二氧化硅基底上表面，所述第二硅波导与所述二氧化硅基底固定连接，并位于所述第一硅波导一侧，所述激活块与所述第二硅波导固定连接，并位于远离所述第一硅波导一侧，所述Au电极与所述激活块固定连接，并位于所述激活块之中，且位于靠近所述第二硅波导一侧，其中，所述第二硅波导为L型硅波导，适用于ORNoC拓扑结构的片上光网络，并且提高调制速率。
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