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公开(公告)号：CN119947275A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510209204.4
申请日：2025-02-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10F30/222 , H10F77/12 , H10F71/00 , H10F39/12
Abstract: 本申请属于半导体光电器件与微纳米电子领域，具体公开了一种双维度记忆结器件及其制备、性能获取和应用方法。其中，双维度记忆结器件包括第一接触电极、掺杂n型Si层、AgOx电荷俘获层和第二接触电极；AgOx电荷俘获层与掺杂n型Si层组合形成异质结阻变区；异质结阻变区用于基于AgOx电荷俘获层中的陷阱电离和去电离转变，在电压驱动下，在光伏响应度和电导两个维度上，实现记忆强度连续可调与相互耦合，并具有非易失性。本申请可以在光伏、电导两个不同维度上记忆信息，仅通过一种器件构建的两种维度阵列可搭建紧凑高效的机器视觉系统。
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公开(公告)号：CN118116436A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410368332.9
申请日：2024-03-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种提高相变存储器阵列突触权重精度的结构及其写入方法，该结构用一个高位相变存储器和一个低位相变存储器组成的相变存储器组和一个参考行固定相变存储器表示神经网络的一个突触权重，高位相变存储器有n个电导态，低位相变存储器有n个电导态，将低位相变存储器行线上的输出电流用电流镜缩小n倍，然后与高位相变存储器的电流相加，因此，该结构实现的突触有n2个电导态，可大大提高神经突触的精度；同时，本申请基于上述提高相变存储器阵列突触权重精度的结构，还提出了两步写验证操作的写入方法，采用该结构和写入方法可使相变存储器的电导与目标电导之间的误差降低为传统写验证方法的1/n。
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公开(公告)号：CN117253533A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311316190.3
申请日：2023-10-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种存储阵列选通测试系统，用于对还未封装且未添加外围电路的存储器进行测试，包括：阵列控制模块，用于根据设定的参数输出相应的控制信号；阵列选通模块，包括行选通电路和列选通电路，两选通电路均包括多路复用选择器和模拟开关，两选通电路中的多路复用选择器的通道数量对应与阵列中的字线和位线数量相匹配，两选通电路中的模拟开关的接口数量对应与阵列中的字线和位线数量相匹配；其中，多路复用选择器用于根据所述控制信号，将读写擦操作电压分配到所选择的字线中，并将所选择的位线接地；模拟开关用于根据所述控制信号，将偏置电压分配到所有未选择的字线与位线中。本发明能有效降低测试时间，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN117135997A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311236059.6
申请日：2023-09-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了可重构的异质结忆阻器、调控方法、制备方法及其应用，属于微纳米电子器件领域。本发明设计的功能层以n‑AgO和p‑Ag2O的PN异质结或者以n‑CuO2和p‑CuO的PN异质结组成，在模拟型时基于电荷俘获与释放展现出多值阻变性能，并表现出自整流特性，无需选通管，有利于大规模集成；在数字型时，由于层中Ag/Cu离子的存在，有助于Ag/Cu导电丝的形成，转换阈值电压较小，具有开关速度快、开关功耗低的优势。本发明通过电化学原理实现N型氧化层和P型氧化层的PN异质结器件，在自整流模拟型器件和数字型器件之间的模拟‑数字可重构，器件结构简单，且适用于多种形式的存内计算，具有广阔应用前景。
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公开(公告)号：CN113628653B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202110785782.4
申请日：2021-07-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00 , G02F3/00 , H03K19/173
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的全光布尔逻辑器件及其二元逻辑实现方法，包括分两级连接的三个Y分支型波导结构与两个相变功能单元组成；逻辑实现方法上，设置两个Y分支上的四个端口为输入端，由于相变材料受到光脉冲的脉冲宽度调节，因此采用光延时器对不同输入脉冲进行延时，再通过Y分支结构进行两两耦合，得到新的组合脉冲，作用于直波导上覆盖的相变功能单元使之升温，产生晶化/非晶化的相变；利用两种状态下巨大的光学性质差异特点，通过探测光对其状态进行读取。通过两个步骤的操作，可在该结构中实现全部16种二元布尔逻辑运算。本发明具有抗电磁干扰，可并行操作优势，且实现了16种二元布尔逻辑计算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116779069A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310689131.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于第一性原理的含Te相变材料的掺杂元素筛选方法，属于相变存储技术领域。本发明采用第一性原理计算，在原子尺度上，从不同角度分析基于元素掺杂含Te相变材料的非晶态模型局部结构和成键性质，实现对不同的掺杂元素及掺杂成分的筛选与优化，从微观层面获得元素掺杂综合提升含Te相变材料的结晶速度、非晶热稳定性和可靠性的物理机理；通过非晶化稳定性提高、结晶速度提升、循环特性提高三个优化目标，每个优化目标综合多个指标对比分析，实现对不同的掺杂元素及掺杂浓度的筛选与优化，为元素掺杂含Te相变材料及器件的研究提供指导方向，从而大大减小实验成本，缩短材料及器件的研制周期，提高研发效率。
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公开(公告)号：CN116644697A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310538904.9
申请日：2023-05-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/23 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种相变存储器单元的电阻计算方法和系统，属于半导体存储器及电子设计自动化领域。本发明将有限元分析方法与Spice仿真相结合，基于有限元仿真的温度场及电场分布，构建出相变存储器单元的Spice电阻模型，通过将实际相变单元结构和相态及电场分布考虑在内，得到了更为科学、更为精确的相变存储器单元电阻计算方式。该模型用数学表达式的方式，较好地契合了有限元仿真中的计算结果，相较于传统的串联电阻模型和对数插值模型，更为科学和精确。
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公开(公告)号：CN113568246B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110785784.3
申请日：2021-07-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F3/00
Abstract: 本发明提供一种直波导型相变全光布尔逻辑器件及其全二元逻辑实现方法，包括直波导结构，覆盖于波导上方的相变功能单元及其保护层，波导布拉格光栅结构；逻辑实现方法上，使用光脉冲从器件两端分别输入，对相变功能单元状态进行调制：设定波导布拉格光栅结构参数以对泵浦光脉冲所在波长进行反射，使从两端输入的写入脉冲分别只对离该端口最近的相变功能单元作用，选取特定波长的探测光脉冲，在该波长下探测光受到波导布拉格光栅的反射作用较小，不影响器件状态的读取。本发明具有抗电磁干扰，可并行操作等优势，实现16种二元布尔逻辑计算功能，大大提高了逻辑计算的工作效率。
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公开(公告)号：CN112397646B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202011200846.1
申请日：2019-08-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种三端超晶格存算一体器的阈值电压调节方法，分别在下电极层与超晶格薄膜之间、超晶格薄膜与上电极层之间设置逆压电层；利用两个逆压电层在施加不同的电压时所产生的不同拉伸形变，对接触的超晶格薄膜产生不同的拉应力，进而来调节超晶格薄膜中的相变材料发生原子层翻转的能量势垒。本发明还提供一种通过上述阈值电压调节方法实现“与”逻辑运算的方法，当超晶格存算一体器的上电极层与第一逆压电层、第二逆压电层同时施加电压脉冲时，超晶格薄膜才发生阻值的突变，即输出为“1”。
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