MEMS力学微探针及其制备方法

    公开(公告)号:CN1866407A

    公开(公告)日:2006-11-22

    申请号:CN200610083448.X

    申请日:2006-05-31

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供一种MEMS力学微探针及其制备方法,属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域。该探针包括探针体、衬底和若干个固定锚点,探针体包括:T型探针头、弹性梁、两个梳齿电容及标尺结构,T型探针头通过与固定锚点连接的弹性梁悬浮于衬底之上,梳齿电容分别设置在T型探针头的肩部,梳齿电容的正/负极板与固定锚点相连,另一负/正极板与T型探针头相连,标尺结构包括:动尺和定尺两部分,动尺与T型探针头连接,定尺与固定锚点相连,探针体和衬底通过上述固定锚点固定连接。本发明利用弹性折梁受力形变与所受外力成正比,以及梳齿间静电力与梳齿间电压的平方成正比的原理,读出被测样品所受力的大小,具有读数简单、工艺易于实现的特点。

    氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上<110>晶向凸角的补偿方法

    公开(公告)号:CN1267582C

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:CN200410009379.9

    申请日:2004-07-28

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上 晶向凸角的补偿方法,属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法提供一掩膜补偿图形,该图形由三个正方形组成,与需补偿凸角相对的掩膜图形直角相应,掩膜图形直角的两个边分别延伸,形成正方形(1)的边长a,正方形(1)和掩膜图形直角之间的夹角为另一个正方形(2)的内角,正方形(2)的边长为正方形(1)的边长的1/2,正方形(1)和掩膜图形直角之间的另一夹角为正方形(3)的内角,正方形(3)的边长也为正方形(1)的边长的1/2。由于掩膜补偿图形简单,没有斜线,且图形尺寸计算简便准确,可降低光刻版的制作难度,得到非常完整的凸角。

    微硅麦克风及其制备方法
    124.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1684546A

    公开(公告)日:2005-10-19

    申请号:CN200410033638.1

    申请日:2004-04-14

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明提供了一种微硅麦克风及其制备方法,属于微电子机械系统(MEMS)加工技术领域,该微硅麦克风包括作为电容极板的单晶硅薄膜和多晶硅薄膜,多晶硅薄膜为可动极板,单晶硅薄膜上设有若干个释放孔,在多晶硅薄膜上形成加强筋结构,该加强筋结构与单晶硅薄膜上的释放孔相对应,且镶嵌在释放孔中。本发明的制备方法是利用ICP技术进行深槽刻蚀的制造工艺,该工艺既可以得到释放孔,又可实现带有加强筋结构的多晶硅薄膜,工艺流程简单,工艺兼容好,所制备的麦克风成本低、结构应力小、稳定性好且可靠性高。

    高深宽比硅深刻蚀方法
    125.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1209799C

    公开(公告)日:2005-07-06

    申请号:CN03104779.3

    申请日:2003-02-28

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种高深宽比硅深刻蚀方法。采用具有双路气体自动切换功能的英国STS公司生产的STS Multiplex ICP高密度等离子刻蚀系统,采用如下的工艺条件:离子源功率:600W,承片台功率:12~14W,刻蚀气体流量:95sccm,刻蚀时间:13~15秒,钝化气体流量:95sccm,钝化时间:9~11秒,刻蚀与钝化重叠时间:0.5秒,反应压力:18~36mTorr,刻蚀样品:直径100毫米硅片,刻蚀掩膜:普通正性光刻胶。解决了硅深刻蚀过程中刻蚀速率随槽宽度变窄而降低的这一国际性难题,使采用复杂图形和梳齿图形的器件结构能够用高深宽比硅刻蚀技术来实现,为MEMS器件的制造提供了一种有效可行的加工手段。可广泛应用于微电子机械技术领域。

    体硅MEMS器件集成化方法
    126.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1431699A

    公开(公告)日:2003-07-23

    申请号:CN03104783.1

    申请日:2003-02-28

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种体硅MEMS器件集成化方法。本方法包含集成电路加工(可在任何集成电路生产线上完成)、MEMS器件结构加工和集成化三部分。将复杂的集成化工艺技术分解为三个独立的工艺部分部分,集成电路加工(可在任何集成电路生产线上完成)、MEMS器件结构加工和集成化。具有工艺简单、成品率高、适用于多种MEMS器件的加工、同时具有芯片级封装的功能,解决了目前MEMS技术发展中芯片级封装和集成化两大难题,而且还充分利用了加工技术的社会资源。由于这项技术能够满足多种器件加工的需求,因此也可以说是一种MEMS标准工艺。利用这种简单实用的标准工艺来实现各种功能的MEMS器件,给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。可广泛应用与MEMS技术领域。

    高深宽比硅深刻蚀方法
    127.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1431686A

    公开(公告)日:2003-07-23

    申请号:CN03104779.3

    申请日:2003-02-28

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 本发明涉及一种高深宽比硅深刻蚀方法。采用具有双路气体自动切换功能的英国STS公司生产的STSMultiplex ICP高密度等离子刻蚀系统,采用如下的工艺条件:离子源功率:600W,承片台功率:12~14W,刻蚀气体流量:95sccm,刻蚀时间:13~15秒,钝化气体流量:95sccm,钝化时间:9~11秒,刻蚀与钝化重叠时间:0.5秒,反应压力:18~36mTorr,刻蚀样品:直径100毫米硅片,刻蚀掩膜:普通正性光刻胶。解决了硅深刻蚀过程中刻蚀速率随槽宽度变窄而降低的这一国际性难题,使采用复杂图形和梳齿图形的器件结构能够用高深宽比硅刻蚀技术来实现,为MEMS器件的制造提供了一种有效可行的加工手段。可广泛应用于微电子机械技术领域。

    一种高强度铝合金
    129.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110241339A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910683881.4

    申请日:2019-07-26

    Abstract: 本发明实施例公开了一种高强度铝合金,所述高强度铝合金由如下百分含量的组分组成:Zn 5.3-5.7wt%、Mg 2.2-2.6wt%、Cu 1.3-1.8wt%、Si 0.2-0.5wt%、Fe 0.3-0.6wt%、Mn 0.2-0.4wt%、Cr 0.06-0.2wt%、CeLa 0.06-0.15wt%、Ag 0.2-0.8wt%、余量为Al;本发明通过上述特定百分含量组分的限定,通过CeLa和Ag的添加能细化晶粒,并能够促进稀土强化相和弥散强化相的形成,改善铝合金中的析出相弥散析出特征,从而显著提高铝合金的抗压强度以及屈服强度,使得高强度铝合金通过T6时效处理后抗拉强度不小于610MPa,屈服强度最高可达629MPa,进而扩大铝合金的应用范围。

    检测可溶性FAM19A4蛋白的微球双抗体夹心检测方法和试剂盒

    公开(公告)号:CN109425743A

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201710756577.9

    申请日:2017-08-29

    Applicant: 北京大学

    Abstract: 由于FAM19A4蛋白可能与多种生理和病理情形相关并在其中扮演重要角色,因此对特定样本如血液、体液及细胞培养上清等之中的可溶性FAM19A4蛋白进行定量检测具有重要意义。本发明首先涉及一种FAM19A4蛋白作为疾病诊断标志物的用途,所述疾病为感染性疾病和自身免疫病;本发明还涉及一种定量检测可溶性FAM19A4蛋白的方法和试剂盒。该方法和试剂盒利用双抗体夹心法原理使用微球固相载体和流式细胞术检测可溶性FAM19A4蛋白,可用于临床病人的血清、血浆、尿液、胸腹水、关节液、脑脊液、羊水、卵泡液等类型的体液以及基础研究和小鼠模型中各种生物学样品如细胞培养液、小鼠血液中FAM19A4蛋白的定量检测。

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