公开(公告)号：CN102241388A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110129333.0

申请日：2011-05-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐高卫 ,  罗乐 ,  陈骁 ,  焦继伟 ,  宓斌玮

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提出了一种基于Chip to Wafer叠层方式的MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法，其特征在于通过玻璃浆料低温键合实现MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合，实现圆片级气密/真空封装，完成MEMS器件可动部件的保护；采用Chip to Wafer叠层方式在硅盖板圆片表面贴装互连ASIC等CMOS芯片，实现ASIC等CMOS芯片与MEMS器件圆片的三维混合集成；将分立的集成微系统贴装在低成本的有机基板上，采用引线键合方式完成CMOS芯片、MEMS器件和基板的多层互连，并采用围坝(Dam)方式灌注(Fill)低应力塑封料以保护集成微系统，提高环境可靠性。从而形成高密度、易加工、低成本、低应力和高可靠性的MEMS圆片级三维混合集成封装结构。

公开(公告)号：CN102163590A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110056398.7

申请日：2011-03-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 徐高卫 ,  罗乐

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/498 ,  H01L23/525 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提出了一种基于埋置式基板实现三维立体高密度封装的多芯片模块结构(3D-MCM)。在基板上下表面均有凹陷腔体结构。在这些尺寸不同的腔体结构中放置尺寸差异较大的不同种芯片并布线，从而形成埋置式三维封装结构。多个芯片的互连采用了传统的引线键合方式。芯片保护方式采用了滴封胶(Glob-top)和围坝包封成型两种包封工艺。引脚输出形式采用周边式球栅阵列(BGA)方式。凹陷腔体结构减少了封装面积，提高了封装密度，并有效缩短了键合引线的长度，减小了信号延迟。整个工艺过程与表面组装工艺相兼容，具有工艺简单成本低的特点。基板上下表面的凹陷腔体减小了基板翘曲，可提高三维封装结构可靠性。

公开(公告)号：CN102110673A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010523659.7

申请日：2010-10-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 汤佳杰 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  袁媛

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/50 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/3025

Abstract: 本发明涉及一种光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法，其特征在于：1)在硅基板上制作出带有埋置腔体和金属地屏蔽层；2)使用光敏BCB作为介质层，利用光刻显影工艺在BCB形成互连通孔结构；3)金属层和介质层交替出现形成多层互连封装结构。所述的方法是在硅基板上腐蚀或刻蚀出埋置用腔体，溅射金属种子层并电镀形成GND，埋入MMIC芯片，使用导电胶粘结芯片与基板，涂敷光敏BCB并光刻显影出互连通孔图形，固化等工艺步骤，实现多层MMCM封装。所述的介质层厚度为20-35μm。在多层互连结构中还可集成电容、电阻、电感、功分器和天线无源器件，或者通过表面贴装工艺集成分立元器件，实现模块的功能化。