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公开(公告)号：CN104482984B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201410763223.3
申请日：2014-12-13
Applicant: 中北大学
IPC: G01F23/00
Abstract: 本发明涉及一种基于POF光纤宏弯的液位传感器，是用一根POF裸光纤折弯制作的顶部宏弯弯曲半径为2.5mm单宏弯光纤环形结构，以其顶部宏弯部分作为探头，POF裸光纤两个末端有光纤接头；用于封装该单宏弯光纤环形结构的固定结构，探头从该固定结构顶部露出。本发明采用单宏弯光纤环型结构设计，单纯利用光纤宏弯增强CMFTIR效应，实现了区分度1.06dB，满足液位测量需求。且无需双光纤耦合，因此简化了工艺难度，结构也更加紧凑，适宜于在狭窄空间内使用。同时SMBFL结构液体沾粘度低，极大的降低初浴“误差”；SMBFL直接探测功率较强的明场信号，满足长距离传输的需求。
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公开(公告)号：CN107632345A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710726940.2
申请日：2017-08-23
Applicant: 中北大学
IPC: G02B6/26 , G01F23/292 , G01D5/353
Abstract: 本发明公开了一种基于紫外固化胶的光纤宏弯耦合结构及其加工方法，通过有源光纤和无源光纤以固定步长进行双绞，再利用高温导线在双绞光纤外部以小于5mm螺距缠绕；在双绞光纤和高温导线首末端涂覆硅胶并固化后，在有源光纤和无源光纤的缝隙中注射UV光胶，并在紫外灯照射下固化后，成为宏弯一体式结构；再将一体式结构进行弯曲或者缠绕，形成光纤宏弯耦合结构。所述光纤宏弯耦合结构由于UV光胶的使用，增加了宏弯耦合结构的耦合能量，增大了宏弯暗场的耦合光功率，提升了信号强度，也使光源功率便可以适当降低，因而系统功耗也随之降低；其加工工艺方法也改善了传感器的一致性和鲁棒性。
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公开(公告)号：CN106847325A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611218768.1
申请日：2016-12-26
IPC: G11C7/24 , H03K19/003
CPC classification number: G11C7/24 , H03K19/00338
Abstract: 抗单粒子翻转的存储单元，涉及集成电路抗辐射加固领域。解决了辐射粒子使得存储器存储的信息翻转，从而降低存储器可靠性的问题。本发明由10个MOS管来组成，分别是PMOS晶体管P1、P2以及NMOS晶体管N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7和N8。本发明可以对存储单元中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而同时不依赖于所存储的值。本发明主要用于对存储器进行抗单粒子翻转的加固保护。
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公开(公告)号：CN106841654A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611209920.X
申请日：2016-12-24
Applicant: 中北大学
CPC classification number: G01P1/16 , G01P1/122 , G01P1/127 , G01P3/00 , G01P15/18 , G01P21/00 , G01P21/02
Abstract: 本发明属于动态测试技术领域，具体为一种六自由度运动记录仪。包括外壳体，外壳体配套有顶盖和底座，底座上安装有框架，框架内部空间分为电池仓和存储部件仓，存储部件仓内设有数据采集存储部件，电池仓内设有电源部件，框架上安装有三向加速度部件和三向角速度部件，底座的底部设有微型读数接口、状态指示灯和对称的用于固定记录仪的螺纹安装孔，底座底部槽上配套有电池仓盖，采集存储部件包括三通道模拟DPDT双掷开关、同步串行A/D转换器、FPGA、多串行并行同步数据传输接口、带有双片选的单芯片NAND FLASH存储器、时钟、复位电路和电源管理模块。该记录仪满足实时记录研究对象的六自由度变化情况，有效的保存采集到的实验数据。
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公开(公告)号：CN105842198A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610398747.6
申请日：2016-06-08
Applicant: 中北大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 本发明公开了一种温度自补偿的光纤珐珀气体折射率传感器及其制作方法，该传感器包括单模光纤、石英连接管和石英毛细管，光纤一端插入石英连接管一端，石英毛细管的一端插入石英连接管另一端，光纤和石英毛细管之间形成法珀腔气室；光纤与石英连接管一端通过熔接点熔接，石英连接管另一端通过熔接点与石英毛细管熔接；所述石英毛细管的内径小于光纤的纤芯直径。本发明通过温度补偿，降低了光纤珐珀气体折射率传感器的温度漂移，使传感器可以应用于高温环境下的折射率测试；信号耦合情况好，灵敏度高；所得光纤珐珀气体折射率传感器采用全石英结构，具有良好的耐高温性能，适于高温环境下应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105472630A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510915391.4
申请日：2015-12-10
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明提供了一种基于三角形判别的无线传感器网络边缘节点识别方法，将当前节点RN的1跳邻居节点和2跳邻居节点按绝对角大小排序，选出合适的A、B、C点，通过判断SΔABC、SΔRNAB、SΔRNBC和SΔRNAC的关系来确定RN是否为边缘节点。本发明实现了基于节点地理位置信息和基于节点距离信息的无线传感器网络的网络边缘和覆盖空洞的边缘节点识别，以一种自适应可变换的方式扩展了无线传感器网络边界节点识别，算法复杂度低，节省了运行时间，仅需2跳邻居节点信息技能完成对边缘节点的精确识别，识别精度达到90％以上。
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公开(公告)号：CN102590450B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210018690.4
申请日：2012-01-20
Applicant: 中北大学
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及气敏传感器领域，具体是一种基于MEMS技术的阵列式气味检测元件。解决了现有电子鼻所用气敏传感器阵列中的个体存在响应特性漂移不一致的问题。所述检测元件包括半导体基底，以及在半导体基底上采用MEMS加工工艺加工得到的：气味敏感单元、用以检测气味敏感单元工作温度的感温单元、用以将气味敏感单元加热至所需工作温度的加热单元；所述气味敏感单元包含按照阵列排布的若干气敏型金属氧化物薄膜，且各薄膜为尺寸参数各异的同种气敏型金属氧化物，各薄膜上分别设有两个用于与数据采集设备连接的电极。本发明结构简单，能采用目前发展已较成熟的MEMS技术加工实现，利于实现电子鼻的集成化、小型化，且方法合理，识别准确。
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公开(公告)号：CN105043264A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510229468.2
申请日：2015-05-07
Applicant: 中北大学
Inventor： 刘文怡 , 侯钰龙 , 张会新 , 苏珊 , 刘佳 , 张彦军 , 沈三民 , 王红亮 , 苏淑婧 , 谭秋林 , 崔永俊 , 甄成方 , 雷海卫 , 赵利辉 , 熊继军 , 刘俊
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于宏弯损耗效应的位移检测传感器。通过宏弯引起光纤内模场畸变，引起宏弯损耗。由两根塑料裸光纤形成双绞宏弯辐射耦合结构，利用宏弯损耗效应实现两根光纤之间的耦合，称为宏弯辐射耦合。通过宏弯半径改变宏弯损耗的光能量，引起接收光纤内光功率变化，从而实现对物体位移的检测。首次将宏弯辐射耦合结构应用于位移检测，同时实现了低成本，低功耗，高性能的位移传感器。
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公开(公告)号：CN104461392A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410739002.2
申请日：2014-12-08
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及U盘记录设备，具体是一种基于CH378的高速串行数据U盘记录设备。本发明解决了传统U盘记录设备数据读写速度慢、数据读写可靠性低的问题。基于CH378的高速串行数据U盘记录设备，包括数据缓冲部分、数据读写部分、电源部分；所述数据缓冲部分包括串行数据接口、数据处理器FPGA、缓冲存储芯片、备份数据读数接口、LED状态指示灯；所述数据读写部分包括单片机、U盘接口芯片、外接U盘；所述电源部分包括掉电检测电路、复位电路、稳压电源模块。本发明适用于各种数据存储领域。
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公开(公告)号：CN104215298A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410466321.0
申请日：2014-09-15
Applicant: 中北大学
IPC: G01F23/292
Abstract: 本发明公开了一种基于暗场检测的光纤宏弯耦合结构液位探头。本发明首次提出基于“包层模受抑全内反射(CMFTIR)效应”的液位传感原理，并成功应用。通过宏弯的方式，改变光纤内模场分布，增加了光纤中包层模式能量的占比，增强了CMFTIR效应；同时由于宏弯辐射效应，实现了两根光纤间的宏弯耦合；通过宏弯耦合的方式将传感信号转移至暗场，耦合过程增加了调制深度，同时在无源光纤内获得更高的包层模式能量占比，也进一步增强了CMFTIR效应；同时保证了耦合结构的稳定性和传感器的一致性，通过探测暗场信号有效提高信噪比，实现了低成本，低功耗，高性能的液位探头，区分度高于4dB。
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