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公开(公告)号：CN115215663B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210847324.3
申请日：2022-07-19
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供一种高致密纯相CrN陶瓷的制备方法，属于陶瓷技术领域。本发明为一种高致密纯相CrN陶瓷的制备方法，包括以下步骤；（1）将CrN粉体置于气氛炉中，在氨气气氛下进行氮化处理，得到高纯CrN粉体原料；（2）将高纯CrN粉体原料装入石墨模具中，进行等离子活化烧结，得到高致密纯相CrN陶瓷，等离子活化烧结过程中升温速率为100~200℃/min，烧结温度为1100~1300℃，保温时长为1~10min，烧结压力为50~100MPa。本发明首先以CrN粉体为原料，利用氨解氮化工艺，进行纯化处理，使粉体中的Cr2N杂相氮化为CrN相，得到物相单一的高纯CrN粉体原料；再利用等离子活化烧结，在1100~1300℃下实现CrN粉体的快速致密化并抑制烧结过程中的相分解，得到物相单一、结构致密的CrN陶瓷。
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公开(公告)号：CN115611242A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211220580.6
申请日：2022-10-08
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及金属氮化物技术领域，尤其涉及一种难熔金属高熵氮化物粉体及其制备方法。这种制备方法，包括以下步骤：使用电弧熔炼的方法将原料熔炼，制得难熔金属高熵合金块体；所述原料包括至少四种难熔金属；对所述难熔金属高熵合金块体进行氮化处理，得到难熔金属高熵氮化物粉体。本申请能够获得单一物相的难熔金属高熵氮化物粉体，而非二元或者三元氮化物的混合物，且各元素分布均匀，纯度高。
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公开(公告)号：CN114773863A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210385837.7
申请日：2022-04-13
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种填充增强相的硼酯复合材料，其制备方法包括以下步骤：(1)将硼酸、三乙二醇按一定比例混合，加热搅拌得到硼酸‑三乙二醇的混合溶液A；(2)将混合溶液A与增强填料按照一定比例混合，在一定温度下加热并搅拌，得到粘度适宜的混合悬浊液B；(3)将混合悬浊液B转移到模具中，加热固化成型，得到含水的填充增强相的硼酯复合材料；(4)将含水的填充增强相的硼酯复合材料置于真空干燥箱中，加热除水，获得抗冲击性能好的填充增强相的硼酯复合材料。本发明合成的填充增强相的硼酯复合材料具有类玻璃高分子的特性，其高速拉伸下的能量吸收能力比低速下提高约4倍，能量吸收能力是硼酯高分子的约24倍，并且能够实现自修复、再加工和回收。
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公开(公告)号：CN107841672B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201711009543.X
申请日：2017-10-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种含Re的高密度ReWTaMoNbX高熵合金材料及制备方法，所述合金材料的组成为ReWTaMoNbX，合金中Re/W/Ta/Mo元素中任意两元素的摩尔比为0.95～1.05，Nb与其它任一元素的摩尔比x＝0～1。其制备方法如下：混料：称量Re、W‑Mo、Ta、Nb金属粉末，球磨混合均匀；制备预制块：采用冷高压成型技术将步骤一制得的混合粉体制成预制块；电弧熔炼制备高熵合金：采用高真空非自耗电弧熔炼炉在高纯氩气保护下将预制块熔炼成母合金锭。所得高熵合金材料具有高密度和高硬度，密度不低于15g/cm3，硬度不低于5700MPa，可用于核工业、航空航天及高压物理等领域。
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公开(公告)号：CN107879750B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201711130438.1
申请日：2017-11-15
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/626 , C04B35/468
Abstract: 本发明公开了一种利用微波辅助制备锆钛酸钡钙粉体的方法。包括以下：按照摩尔配比称取乙酸钡、乙酸钙、钛酸四丁酯、正丁醇锆原料，采用溶胶‑凝胶法制备锆钛酸钡钙凝胶，干燥后得到锆钛酸钡钙凝胶干粉；于氧化锆研钵中研磨后装入微波消解罐中，以蒸馏水作为溶剂，以KOH为矿化剂；装入微波消解仪中进行水热晶化反应，取出消解罐中沉淀物；将沉淀物反复洗涤，干燥后制得锆钛酸钡钙粉体。本发明克服了现有锆钛酸钡钙粉体制备方法存在的成分偏离、引入杂质、粉体团聚、煅烧温度高、反应周期长等问题，具有混料充分均匀、组分控制精确、合成粉体纯度高、合成粉体单分散、大幅度降低反应温度、缩短反应时间等优势，而且可有效提高锆钛酸钡钙粉体的烧结活性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106977205B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201710209911.9
申请日：2017-03-31
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的制备方法。具体是：首先采用固相反应法制得镧锶锰氧粉体；然后分别称量镧锶锰氧粉体和氧化锌铝粉体，放入行星球磨机中，混合均匀；将混合粉置于等离子活化烧结炉中进行烧结，烧结条件为：烧结温度1000～1200℃、保温时间3～15min、烧结压力10～50MPa，最后得到镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷。本发明添加半导体氧化锌铝粉体第二相，利用其优化与镧锶锰氧基体晶粒间的界面效应、导电通道以及良好的助烧作用，能够显著提升镧锶锰氧陶瓷室温附近的低场磁电阻效应，0.5T低磁场下磁电阻≥14％。同时采用等离子活化烧结工艺，实现了镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的低温快速致密烧结(致密度>96％)。
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公开(公告)号：CN110004419A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910152980.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种可控靶材表面磁场强度的非平衡磁控溅射沉积方法制备Fe-Si薄膜的工艺，采用改进的双靶非平衡磁控溅射沉积技术，以Fe-Si合金靶为磁控对靶，在沉积过程中调节磁控对靶之间的相对距离，得Fe-Si薄膜。本发明通过增加一对可以调整磁控对靶的相对距离的支架，且左右磁控管采用闭合非平衡磁场的设计，靶材的离化率高，有利于制备电阻率高的Fe-Si薄膜，并可通过改变对靶间距离调整样品电阻率，产品质量稳定，电阻率高，且涉及的沉积工艺简单、重现性好，适合推广应用。
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公开(公告)号：CN107879750A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711130438.1
申请日：2017-11-15
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/626 , C04B35/468
Abstract: 本发明公开了一种利用微波辅助制备锆钛酸钡钙粉体的方法。包括以下：按照摩尔配比称取乙酸钡、乙酸钙、钛酸四丁酯、正丁醇锆原料，采用溶胶-凝胶法制备锆钛酸钡钙凝胶，干燥后得到锆钛酸钡钙凝胶干粉；于氧化锆研钵中研磨后装入微波消解罐中，以蒸馏水作为溶剂，以KOH为矿化剂；装入微波消解仪中进行水热晶化反应，取出消解罐中沉淀物；将沉淀物反复洗涤，干燥后制得锆钛酸钡钙粉体。本发明克服了现有锆钛酸钡钙粉体制备方法存在的成分偏离、引入杂质、粉体团聚、煅烧温度高、反应周期长等问题，具有混料充分均匀、组分控制精确、合成粉体纯度高、合成粉体单分散、大幅度降低反应温度、缩短反应时间等优势，而且可有效提高锆钛酸钡钙粉体的烧结活性。
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公开(公告)号：CN106977205A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710209911.9
申请日：2017-03-31
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明涉及一种镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的制备方法。具体是：首先采用固相反应法制得镧锶锰氧粉体；然后分别称量镧锶锰氧粉体和氧化锌铝粉体，放入行星球磨机中，混合均匀；将混合粉置于等离子活化烧结炉中进行烧结，烧结条件为：烧结温度1000～1200℃、保温时间3～15min、烧结压力10～50MPa，最后得到镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷。本发明添加半导体氧化锌铝粉体第二相，利用其优化与镧锶锰氧基体晶粒间的界面效应、导电通道以及良好的助烧作用，能够显著提升镧锶锰氧陶瓷室温附近的低场磁电阻效应，0.5T低磁场下磁电阻≥14％。同时采用等离子活化烧结工艺，实现了镧锶锰氧/氧化锌铝复相陶瓷的低温快速致密烧结(致密度>96％)。
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公开(公告)号：CN106191479A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610519550.3
申请日：2016-07-04
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钨合金的非自耗电弧熔炼制备方法，其包括钨粉的初步净化、冷压成型及预制块体制备、抽真空、通氩气和电弧熔炼步骤。本发明与现有技术相比，工艺简单、效率高、成本低，且有提纯效果，可制得纯度高，无明显气孔，致密度高(98.1％～99.2％)的超高比重钨合金(钨比重含量达99.7％～99.9％，比重最高可达19.11)；可应用于电子工业、核工业、航空航天及动高压物理等领域。
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