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公开(公告)号：CN103920870A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410149295.9
申请日：2014-04-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种多孔球形铼钨合金粉体及其制备方法，属于合金粉体技术领域。铼和钨之间的混合是原子级别的混合，铼的质量百分含量25%‐90%，钨的质量百分含量：10‐75%。以高铼酸铵和偏钨酸铵为原料，配成水溶液，然后用喷雾干燥法制备前驱体粉末；在氢气气氛下分解还原，分两步进行处理，第一步为450‐550℃，保温时间为1‐2小时，第二步还原温度为850‐950℃，保温2‐3小时，获得多孔铼钨合金粉末。本方法工艺简单，重复性好，可操作性强，避免了制备过程中杂质元素的引入，制备的样品纯度高，通过控制铼的含量、还原温度和保温时间，可实现多孔球形铼钨合金球的形貌调控。
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公开(公告)号：CN102392378B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201110230523.1
申请日：2011-08-12
Applicant: 北京工业大学 , 广西壮族自治区化工研究院 , 中国科技开发院广西分院
IPC: D21C5/00
Abstract: 本发明涉及一种用二氧化碳催化降解甘蔗渣纤维素制备微晶纤维素的制备方法。使用甘蔗渣造纸制浆得到的原料——蔗渣纤维素浆粕与去离子水为原料，以亚临界水为反应媒介、CO2为催化剂，工艺简单，使用的原料来源广泛、成本低廉，所得到的蔗渣微晶纤维素聚合度为50～300，产品清洁无污染，整个过程无三废排放，从当前节能减排、原子经济来讲有着重要意义。
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公开(公告)号：CN103715032A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310745112.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种覆钪酸盐-钨膜的浸渍型钡钨阴极及其制备方法，属于阴极材料技术领域。覆钪酸盐-钨膜的主要成分为Ba3Sc409和金属W，其中Ba3Sc409占膜总质量的5%-20%。在钨海绵体中浸渍发射材料后，利用Ba3Sc4O9和金属W靶材，在阴极表面用脉冲激光沉积的方法制备Ba3Sc4O9-金属W膜。用本发明的阴极含钪酸盐-钨膜制备的阴极，可使阴极的发射电流密度明显升高，提高了阴极的热发射能力。
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公开(公告)号：CN103252206A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310188536.6
申请日：2013-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种花状氧化钨水合物吸附剂，属于无机材料的制造技术领域。该吸附剂以.045‐0.10M钨酸钠、钨酸钾的至少一种为钨源，盐酸、硝酸、硫酸中的至少一种提供质子（酸当量浓度为0.058‐0.23M），在50‐95℃下进行离子交换，反应1‐12h得到沉淀，过滤、洗涤后得到。该方法所需设备简单、工艺流程短、制备效率高，所选钨源价格低廉，制造成本低，所制备的分级花状WO3.H2O比表面积大，对有机染料和重金属离子的吸附能力强，饱和吸附量大，具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN103212367A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310111638.8
申请日：2013-04-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 回收废旧WC-TiC合金制备二元氧化物修饰硅藻土粉末的方法，属于水处理技术领域。首先对合金块、硅藻土进行预处理，然后将合金块与浓硝酸、双氧水、氢氟酸的混合溶液进行水热反应，洗涤、过滤、干燥后即得到WO3-TiO2纳米复合颗粒；随后在辅助剂的作用下将WO3-TiO2纳米复合颗粒与预处理后的硅藻土一同超声浸渍负载12-24h；然后洗涤、过滤、干燥、煅烧后即可用于有机废水的降解。本发明WO3-TiO2修饰硅藻土粉末具有优异的光降解与吸附性能以及重复利用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102950037A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210465729.7
申请日：2012-11-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01L3/00
Abstract: 一种金属微流控芯片上的微流体驱动方法属于微流控技术领域，应用于微全分析。该方法采用化学腐蚀法在金属钛片上制作出微流控芯片；采用阳极氧化法，在微流控芯片的微通道内生长TiO2纳米管，利用TiO2纳米管的亲水性，增强微流控芯片上微通道内表面的浸润性，得到增强的毛细力，驱动微流体在微通道内流动。该驱动方法无需外部设备提供能量，可以实现微流体的快速、稳定驱动，对于实现微流控系统的集成化、微型化、自动化具有重要意义。
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公开(公告)号：CN102394208A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110341108.3
申请日：2011-11-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 浸渍型氧化钇-钨基钇、钪酸盐阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中稀土氧化物为3-10％wt，其余为钨；对其浸渍的阴极发射活性盐中Sc2O3重量含量为2-6％，Y2O3重量含量为3-5％，其余为铝酸钡钙，铝酸钡钙中元素Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1。制备方法为：将钨粉和稀土氧化物Y2O3机械混合、压制、烧结得到基体；以硝酸钇、硝酸钪、硝酸钡、硝酸钙、硝酸铝和碳酸铵为原料，焙烧制备出浸渍用活性盐；在氢气气氛下对阴极基体进行浸渍以获得阴极材料。测试其二次电子发射系数明显高于钡钨阴极的二次电子发射系数，且热发射电流密度可以达到20.99A/cm2。
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公开(公告)号：CN101625950B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910090708.X
申请日：2009-08-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 含钇的压制型钡钨阴极及其制备方法，属稀土难熔金属阴极材料领域。现有的阴极材料无法满足大功率磁控管的使用要求。阴极中含有稀土氧化物Y2OA3，Y2O3占阴极总重量的10-20％wt，BaO、CaO和Al2O3三者的含量占阴极材料总重量的5-15％wt，其中Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1，其余为钨。具体制备方法：以偏钨酸铵、硝酸钇、三元硝酸盐为原料，柠檬酸为络合剂，采用溶胶-凝胶法制备复合凝胶，通过氢气气氛下两步还原：第一步还原温度为500-550℃，保温2-4h；第二步为750-950℃，保温1-2h。还原后的粉末在压制压力1-4t/cm2下压制，烧结温度为1400-1650℃，保温1-5min的条件下进行烧结加工成阴极。测试其次级发射系数明显高于钡钨阴极的次级发射系数，且热发射电流密度可以达到14.54A/cm2。
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公开(公告)号：CN101075515B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200710118067.5
申请日：2007-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高电流密度异型束电子源，属电真空领域，特别涉及某些毫米波、亚毫米波段微波真空电子器件所需电子源的制造方法。目前常用的获得异型束的方法是利用磁聚焦将圆形束转化为不同形状的电子束，为此须用强永久磁场，这就增加了器件的体积和重量。本发明涉及的高电流密度异形束直接由阴极发射，无需或只需简单压缩便可获得所需形状和电流密度，大大简化聚焦系统、减小压缩比。该电子源主要由高电流密度含钪扩散阴极及覆盖于其上的异型束成形结构构成，这两部分组合后与钼套筒装配，并配以适当的热子构成高电流密度异型束电子源。电子源的面积可以在几十平方微米到几平方厘米之间，能够提供电流密度在50A/cm2以上特定形状的电子束。
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公开(公告)号：CN102161510A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110111249.6
申请日：2011-04-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G41/02
Abstract: 一种中空多孔氧化钨球制备方法属于功能材料领域。该方法为将钨酸铵、偏钨酸铵中的一种或两种溶于水中搅拌均匀，溶液浓度为1-200g/L，采用喷雾干燥设备喷雾干燥制备钨酸铵、偏钨酸铵或其混合物的中空粉体，将此粉体放入电炉中，加热至400-1000℃，保温时间为15-180min，制得中空多孔钨球。该方法所需设备简单、工艺流程短、制备效率高，是一种简单易行制备多孔纳米氧化钨球的方法。该工艺制备的中空多孔钨球的比表面积为15-30m2/g，具有良好的工业应用前景。
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