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公开(公告)号:CN118688687A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410318792.0
申请日:2024-03-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01R33/02
Abstract: 本发明涉及一种光纤磁场传感装置及其形成方法。所述光纤磁场传感装置包括:光纤,包括第一部分、第二部分、第三部分和耦合部分;第一光电子芯片,位于第一部分背离耦合部分的一侧,能够向第一部分发射检测光信号,耦合部分能够将检测光信号耦合至第三部分;第二光电子芯片,位于第二部分背离耦合部分的一侧,能够采集第二部分输出的反射光信号;磁场传感结构,至少位于第三部分背离耦合部分的检测端面上,磁场传感结构能够根据外界的磁场变化调整自身的反射系数,检测光信号经检测端面反射形成反射光信号,耦合部分能够将反射光信号耦合至第二部分。本发明有助于降低光纤磁场传感装置的结构复杂度以及制造成本。
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公开(公告)号:CN117238903A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202311163150.X
申请日:2023-09-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/20 , H01L33/12 , H01L33/00 , G01N21/76
Abstract: 本发明涉及一种用于微流控物质检测的悬空GaN基LED器件及其制备方法。所述用于微流控物质检测的悬空GaN基LED器件包括:第一GaN基LED结构,包括第一衬底、第一缓冲层、第一GaN基器件层、以及第一空腔,第一空腔贯穿第一衬底、第一缓冲层和部分的第一GaN基器件层;第二GaN基LED结构,包括第二衬底、第二缓冲层、第二GaN基器件层、以及第二空腔,第二空腔贯穿第二衬底、第二缓冲层和部分的第二GaN基器件层;第一GaN基LED结构位于第二GaN基LED结构上方,且第一衬底与第二衬底连接,第一空腔与第二空腔连通。本发明扩展了可见光通信技术和微流控物质检测技术的应用领域。
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公开(公告)号:CN116436525A
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN202310165038.3
申请日:2023-02-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/25
Abstract: 本发明涉及一种跨介质光通信装置。所述跨介质光通信装置包括:第一通信单元,包括第一信源结构、第一交换结构、以及第一光通信结构,第一光通信结构包括第一光发射结构和第一光接收结构,第一光发射结构用于向水下发射第一蓝光信号,第一光接收结构用于接收来自于水下的第二蓝光信号;第二通信单元,包括第二信源结构、第二交换结构、以及第二光通信结构,第二光通信结构包括第二光发射结构和第二光接收结构,第二光发射结构用于向水上发射第一白光信号,第二光接收结构用于接收来自于水上的第二白光信号,第二交换结构连接第一交换结构。本发明实现了跨介质光通信,增强了光通信装置的功能。
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公开(公告)号:CN116346234A
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN202310103985.X
申请日:2023-02-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种基于多路驱动的深紫外保密光通信装置。基于多路驱动的深紫外保密光通信装置包括:发射单元,包括多路相互独立的驱动结构、以及与多路驱动结构一一对应电连接的多个光源阵列,驱动结构包括直流偏置电路,光源阵列中包括呈阵列排布的多个深紫外发光二极管,驱动结构用于驱动光源阵列向外界发射第一深紫外光信号;第一聚焦单元,位于光源阵列的出光面上,且第一聚焦单元包括第一石英透镜,第一石英透镜用于汇聚光源阵列发射的第一深紫外光信号。本发明增大了第一深紫外光信号的传输距离,同时,减少了第一深紫外光信号的散射以及损耗,实现对基于多路驱动的深紫外保密光通信装置性能的改善。
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公开(公告)号:CN110518977B
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN201910858166.X
申请日:2019-09-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04B10/116 , H04B13/02
Abstract: 本发明涉及可见光通信技术领域,尤其涉及一种水下可见光通信方法及水下可见光通信装置。所述水下可见光通信方法包括如下步骤:接收一待发送的数据包,并将所述待发送的数据包及其包长存储于一FIFO存储器中;根据所述待发送的数据包的包长读取所述待发送的数据包中的发送数据;将读取的所述发送数据进行RS编码;调制RS编码后的所述发送数据至光源的驱动信号,使得所述光源向外发射第一光信号。本发明一方面能够提高数据匹配的效率,有效改善水下可见光通信的效率以及数据传输的准确性;另一方面,能够有效纠正数据信息传递过程中的错误,提高数据传输的准确度。
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公开(公告)号:CN114649451B
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202210541767.X
申请日:2022-05-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种红光Micro‑LED及其制备方法,所述红光Micro‑LED以LED外延片为载体,包括自下而上依次连接设置的衬底层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN超晶格层、InGaN/GaN多量子阱层、AlGaN电子阻挡层和p型GaN层,所述n型GaN层、所述InGaN/GaN超晶格层、所述InGaN/GaN多量子阱层、所述AlGaN电子阻挡层和所述p型GaN层形成所述红光Micro‑LED的p‑n结。本发明能够提高红光Micro‑LED的发光效率和偏振度,在高分辨率显示、增强现实/虚拟现实和军事航天等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号:CN114354557A
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202210004721.4
申请日:2022-01-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种基于光电子集成芯片的荧光成像装置及其制备方法。所述基于光电子集成芯片的荧光成像装置包括:样品台;氮化镓光电子集成芯片,位于所述样品台上方,包括透明衬底、位于所述透明衬底朝向所述样品台一侧的透明LED器件、以及位于所述透明衬底背离所述样品台一侧的滤光器件,所述透明LED器件用于向所述样品台方向发射具有第一波长的发射光信号,所述滤光器件用于仅透过具有第二波长的激发荧光信号,所述第二波长大于所述第一波长;透镜,位于所述氮化镓光电子集成芯片上方;相机,位于所述透镜上方。本发明简化了荧光成像过程中的光路结构,缩小荧光成像装置的体积,简化荧光成像装置的制作流程。
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公开(公告)号:CN108333679B
公开(公告)日:2020-04-21
申请号:CN201810144374.9
申请日:2018-02-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种面向蓝光可见光通信的硅基GaN系光子芯片及制备方法,实现载体为带有低折射率包层的硅衬底氮化物晶片,硅衬底氮化物晶片包括硅衬底层和位于硅衬底层上方的带有低折射率包层的顶层氮化物,顶层氮化物上设置有纳米光波导、分路器、谐振环、耦合光栅和用于通电的镍/金电极。本发明体积小,具有高度的集成性,可应用于光子计算及可见光通信等领域,提升蓝光波段可见光通信技术在信息传输速率、信息处理速度和终端器件集成度等多方面的性能指标。
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公开(公告)号:CN110518977A
公开(公告)日:2019-11-29
申请号:CN201910858166.X
申请日:2019-09-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04B10/116 , H04B13/02
Abstract: 本发明涉及可见光通信技术领域,尤其涉及一种水下可见光通信方法及水下可见光通信装置。所述水下可见光通信方法包括如下步骤:接收一待发送的数据包,并将所述待发送的数据包及其包长存储于一FIFO存储器中;根据所述待发送的数据包的包长读取所述待发送的数据包中的发送数据;将读取的所述发送数据进行RS编码;调制RS编码后的所述发送数据至光源的驱动信号,使得所述光源向外发射第一光信号。本发明一方面能够提高数据匹配的效率,有效改善水下可见光通信的效率以及数据传输的准确性;另一方面,能够有效纠正数据信息传递过程中的错误,提高数据传输的准确度。
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