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公开(公告)号：CN118516739A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410702912.7
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置和方法，其包括轴承件、搅拌件和反应釜，轴承件包括内圈、外圈以及设于内圈和外圈之间的滚珠，内圈包括内圈上部和内圈下部，外圈的圆心到内圈上部内壁的间距不小于外圈的圆心到内圈下部内壁的间距，内圈上部的壁厚小于内圈下部的壁厚，固定部连接内圈下部，并设有凹槽，籽晶限位于凹槽，固定槽、籽晶、连接件、内圈的总体的重心要低于反应釜的转轴，再加上滚珠的无摩擦滑动，反应釜旋转时，固定槽和籽晶能保持水平状态，外圈的圆心在反应釜转轴上，搅拌件连接反应釜，反应釜带动搅拌件和外圈转动，其解决了籽晶随反应釜翻转进而影响氮化镓单晶生长方向性的问题，促进了氮气的解离并使氮离子在熔体均匀分布。
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公开(公告)号：CN118223000A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410326417.0
申请日：2024-03-21
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜、金刚石薄膜制备工艺及电子器件，制备工艺包括：选取表面抛光的异质衬底；对所述异质衬底进行预处理，使所述异质衬底的表面形成金刚石晶种层；在所述异质衬底上生长金刚石薄膜层，形成第一中间产物；将两片第一中间产物以金刚石薄膜层相对的方式贴合，形成第二中间产物；将所述第二中间产物上位于两个外表面的异质衬底剥离，得到双面光滑的金刚石薄膜层。本发明能够使剥离出来的金刚石的成核面与衬底抛光面的粗糙度趋于一致，有利于尽可能地使金刚石薄膜的粗糙度达到纳米级别，同时金刚石薄膜的制作尺寸不受限制，因而能够在低成本的前提下获得尺寸和表面粗糙度均能满足实际使用需求的金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN113571505B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110790367.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L25/075 , G02B30/52 , H01L33/00 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种立体显示装置及加工方法、立体显示屏，应用于电子显示技术领域。本发明提供的立体显示装置包括发光显示模块和控制电路模块，所述发光显示模块与所述控制电路模块电连接，其特征在于，所述发光显示装置包括多层发光层，每层所述发光层经过压制贴合构成所述发光显示装置；所述发光显示模块与所述控制电路模块通过柔性电路模块进行电连接；所述控制电路模块通过控制电路控制所述发光显示装置的工作状态。本发明提供的立体显示装置用以提高立体显示装置的成像效果。
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公开(公告)号：CN117328144B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311149602.9
申请日：2023-09-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器，包括用于盛放镓金属的腔室及内置于腔室并依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板；腔室包括进气通道、出气通道和镓源存放区；活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧壁，侧壁的下方设有基座。本发明盛放镓金属的腔室与活动盖板不连通，因此依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板可以随着镓金属消耗随着镓金属液面上下运动。由于活动盖板的重量和位于镓金属内部的底部基座体积固定，因此所受到的浮力固定，使侧壁与顶盖形成的气路通道体积固定，可保证镓金属液面下降但是预反应通道固定，以此实现预反应不随镓金属消耗发生变化。
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公开(公告)号：CN117626434A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311636207.3
申请日：2023-11-30
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于毛细作用的自循环装置，包括毛细管以及装有熔体的反应釜；毛细管包括依次连接的进口端部、中段部以及出口端部，其中，进口端部浸入于熔体的液面下方，出口端部位于熔体的液面上方，毛细管的内部沿进口端部至出口端部的方向依次填充有毛细填料以及引流填料。在上述结构中，熔体在毛细管的毛细作用下沿填料的微孔道反重力上升，直至流动到引流填料，在引流填料的作用下回流至反应釜内。这样有效加快熔体的循环流动速度，增加熔体的对流，进而加快熔体中的氮离子传质，起到调节氮化镓单晶生长质量的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114318307B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111633018.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/511 , C23C16/50 , C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 本申请公开了一种微波等离子金刚石生长设备及应用方法，包括微波源，所述微波源通过波导连接有谐振腔，所述谐振腔的内腔中安装有基片台结构；本申请相对于现有的MPCVD金刚石沉积设备，本申请采用多面基片台包围谐振腔的设计，各基片台全方位吸收等离子体能量同时沉积生长金刚石膜，大大提高设备的能效。
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公开(公告)号：CN115910782B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211708231.9
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种常关型高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上依次外延生长功能层、沟道层、异质结层、盖帽层和钝化层；衬底背面通过再生长硅单晶层；在衬底上一个指定区域形成贯穿衬底的通孔及在衬底的正面和背面分别沉积电极和电介质层。本发明通过在硅上外延生长GaN/AlGaN结构形成高电子迁移率晶体管，并在硅衬底背面形成MOS器件，通过级联的方式制备出了常关型高电子迁移率晶体管的方案，可有效避免栅电流衰减和开启电压低的问题。
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公开(公告)号：CN112531015B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202011387036.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤指一种低损耗氮化镓射频材料外延结构及制备方法，在硅衬底依次外延生长有缓冲层、氮化镓沟道层、N型低掺杂氮化镓层、势垒层及氮化物帽层即得到低损耗氮化镓射频材料外延结构。本发明在势垒层下面增加的N型低掺杂氮化镓层，由于N型低掺杂氮化镓层的方阻比二维电子气的方阻低，在正常开态情况下，参与导通的功能很弱，但从关态到开态的过程，此层的电子可以补充二维电子气浓度的降低；其次从缓冲层的回迁到异质界面的电子能快速通过此层，达到快速补充异质结界面二维电子气的作用；故通过增加N型低掺杂氮化镓层可以最大限度降低动态过程中二维电子气浓度，从而达到了降低射频损耗。
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公开(公告)号：CN116607217A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310518226.X
申请日：2023-05-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了大尺寸低应力的氮化物外延材料和制备方法，该制备方法包括采用物理气相沉积法在C面蓝宝石衬底上沉积生成第一三维柱状结构；将C面蓝宝石衬底置于MOCVD反应腔内，利用MOCVD工艺在第一三维柱状结构上生成氮化铝外延结构；采用物理气相沉积法在氮化铝外延结构上沉积生成第二三维柱状结构；将C面蓝宝石衬底置于MOCVD反应腔内，利用MOCVD工艺在第二三维柱状结构上生成外延功能层；本发明外延结构的厚度远小于传统外延材料的厚度，极大地节约了外延结构的制备时间和制备成本，且由于外延结构厚度小，无需设计应力释放层和高耐压调控层，进一步减少制备工序和制备成本。
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公开(公告)号：CN111988596B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010853410.6
申请日：2020-08-23
Applicant: 咪咕视讯科技有限公司 , 北京大学 , 咪咕文化科技有限公司 , 中国移动通信集团有限公司
IPC: H04N13/106 , H04N13/122
Abstract: 本发明公开了一种虚拟视点合成方法、装置、电子设备及可读存储介质，属于图像处理技术领域。具体实现方案包括：确定进行虚拟视点合成时所需的目标参考视点的数量N；所述N为大于2的整数；根据预设约束条件，从当前所有参考视点中选取N个目标参考视点；根据所述N个目标参考视点进行虚拟视点合成。这样相比于现有技术，可以实现使用较多的参考视点映射到虚拟视点，提升虚拟视点的合成质量。
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