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公开(公告)号：CN1209799C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03104779.3
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00 , B81B5/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比硅深刻蚀方法。采用具有双路气体自动切换功能的英国STS公司生产的STS Multiplex ICP高密度等离子刻蚀系统，采用如下的工艺条件：离子源功率：600W，承片台功率：12～14W，刻蚀气体流量：95sccm，刻蚀时间：13～15秒，钝化气体流量：95sccm，钝化时间：9～11秒，刻蚀与钝化重叠时间：0.5秒，反应压力：18～36mTorr，刻蚀样品：直径100毫米硅片，刻蚀掩膜：普通正性光刻胶。解决了硅深刻蚀过程中刻蚀速率随槽宽度变窄而降低的这一国际性难题，使采用复杂图形和梳齿图形的器件结构能够用高深宽比硅刻蚀技术来实现，为MEMS器件的制造提供了一种有效可行的加工手段。可广泛应用于微电子机械技术领域。
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公开(公告)号：CN1536336A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN03109492.9
申请日：2003-04-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微悬臂梁传感器及其制作方法，它包括一芯片，其特征在于：所述芯片上设置有至少一组传感单元，所述传感单元由组成惠斯通电桥的四个完全相同的力敏电阻和两个悬臂梁组成，其中两个所述电阻位于所述芯片的衬底上，另外两个电阻分别位于所述两悬臂梁上，其中一个所述悬臂梁作为测量悬臂梁，另一个所述悬臂梁作为参考悬臂梁，所述测量悬臂梁表面设置有敏感层。本发明可以通过正面腐蚀技术和硅～玻璃键合技术将悬臂梁设计、制备在液体可流动的微槽中，以直接用于液态生物分子的检测。本发明无论是应用在气体传感器上，还是生物传感器上，都将在减小器件尺寸、提高器件灵敏度以及实现传感器的多功能性上发挥重要作用。本发明在环境监测，临床的诊断和治疗、新药开发、食品安全、工业加工控制、军事等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1431699A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03104783.1
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种体硅MEMS器件集成化方法。本方法包含集成电路加工(可在任何集成电路生产线上完成)、MEMS器件结构加工和集成化三部分。将复杂的集成化工艺技术分解为三个独立的工艺部分部分，集成电路加工(可在任何集成电路生产线上完成)、MEMS器件结构加工和集成化。具有工艺简单、成品率高、适用于多种MEMS器件的加工、同时具有芯片级封装的功能，解决了目前MEMS技术发展中芯片级封装和集成化两大难题，而且还充分利用了加工技术的社会资源。由于这项技术能够满足多种器件加工的需求，因此也可以说是一种MEMS标准工艺。利用这种简单实用的标准工艺来实现各种功能的MEMS器件，给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。可广泛应用与MEMS技术领域。
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公开(公告)号：CN1431686A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03104779.3
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00 , B81B5/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比硅深刻蚀方法。采用具有双路气体自动切换功能的英国STS公司生产的STSMultiplex ICP高密度等离子刻蚀系统，采用如下的工艺条件：离子源功率：600W，承片台功率：12～14W，刻蚀气体流量：95sccm，刻蚀时间：13～15秒，钝化气体流量：95sccm，钝化时间：9～11秒，刻蚀与钝化重叠时间：0.5秒，反应压力：18～36mTorr，刻蚀样品：直径100毫米硅片，刻蚀掩膜：普通正性光刻胶。解决了硅深刻蚀过程中刻蚀速率随槽宽度变窄而降低的这一国际性难题，使采用复杂图形和梳齿图形的器件结构能够用高深宽比硅刻蚀技术来实现，为MEMS器件的制造提供了一种有效可行的加工手段。可广泛应用于微电子机械技术领域。
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公开(公告)号：CN1431142A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03104782.3
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微电子机械加工方法。将MEMS技术的发展分为器件结构设计和工艺加工两大方向，包括硅片工艺部分，PYREX7740或HOYASD2玻璃片上的工艺部分和组合工艺部分。采用了先进的对准静电键合和高深宽比硅刻蚀技术；但整体工艺结构比较简单，而且能够满足多种器件芯片结构的加工需求，还具有可扩展的工艺模块与之配套。可广泛应用于MEMS技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120031793A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411914948.8
申请日：2024-12-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳试件力学特性分析方法，属于半导体材料性能测试领域。本发明为解决现有方法中人工操作繁琐和图像精度低的问题，主要采用自动化提取关键帧、精确测量微位移、边缘保留滤波和亚像素边缘检测等技术手段。通过模板匹配提取感兴趣区域，逐帧读取视频图像并结合直线检测确定关键帧，进而进行细节增强和噪声消除。对图像进行亚像素级别的边缘检测，提取清晰的边缘并进行连接，最终通过测量待测距离并代入力学公式计算微纳试件的力学特性。本发明能够减少人工干预，有效提高分析精度和效率。
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公开(公告)号：CN120010195A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510263143.X
申请日：2025-03-06
Applicant: 北京大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明公开了一种基于悬空纳米胶片的电子束斑强度分布表征方法，属于微纳加工技术领域。本发明为解决现有技术在电子束光刻机应用中辐射损伤、可重复性差及引入额外散射干扰等问题，主要采用基于硅晶圆的标准微电子工艺制造悬空纳米胶片结构，通过曝光显影表征电子束斑的强度分布。本方法能够在兼容原有电子束光刻机工艺环境的基础上，实现电子束斑的精准表征，无需背面曝光，简化了工艺步骤，有效避免了电子散射和边缘溅射的干扰。
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公开(公告)号：CN106370330A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201510427298.9
申请日：2015-07-21
Applicant: 北京大学
IPC: G01L5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于片上冲击强度检测试验机利用电流变化检测微结构冲击碰撞应力波脉宽和峰值方法。该试验机实现了即时的微结构冲击强度测试，利用热驱执行器实现自加载和卸载，排除人为偶然因素，极大地提高了测试准确度，同时利用热驱执行器和V型放大杠杆可以获得大冲击和大冲击脉宽。同时基于该新型试验机提出的测试方法通过同次光刻同次刻蚀释放保证片上试验机的被测样品和实际工作的功能器件具有一致的冲击强度，排除了工艺误差带来的干扰。该方法针对不同尺寸的测试样品，通过调整试验机中冲击质量块以及柔性长梁尺寸保证试验机能够产生高强度的冲击载荷。该方法在获取冲击断裂加速度时，通过记录实际断裂加载挠度，利用商业ansys软件建立力学模型，随后将容易记录的加载位移代入力学模型来获取难以测量的冲击加速度和产生的应力峰值。
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公开(公告)号：CN103884605B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201410119092.5
申请日：2014-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 本发明涉及一种利用表面断裂强度检测刻蚀表面质量的方法及装置。该方法采用包含刻蚀表面的等强度梁，利用探针台探针对所述等强度梁的刻蚀表面施加位移负载，直至所述等强度梁断裂；然后测量所述等强度梁断裂时刻蚀表面受到的应力，得到表面断裂强度，利用该断裂强度判定刻蚀表面的质量。该装置包括等强度梁和片上多功能针头；所述片上多功能针头包括针尖，支撑针尖的弹性结构，以及测量所述针尖的位移的测力标尺。本发明从断裂强度角度去检测和评价表面质量，能够反映刻蚀表面的粗糙、微裂纹水平，对器件性能、可靠性具有更高的参考价值，操作简单，通用性强。
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公开(公告)号：CN103058123B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201310012806.8
申请日：2013-01-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种基于表面牺牲层工艺制作的自封装的MEMS器件以及采用该器件结构的红外传感器。该MEMS器件包括基片、衬底保护层、下电极、下电极保护层、结构层、金属层以及封装层，所述结构层和所述金属层位于由所述封装层形成的封装腔室内，所述封装腔室通过在释放MEMS器件结构时利用粘附效应将封装层粘附在下电极保护层上而形成。本发明适用于红外传感器等具有可动结构的MEMS器件，MEMS器件本身和封装一起完成，封装周期短，工艺质量和成品率高，适于批量大规模生产。
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