公开(公告)号：CN120010195A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510263143.X

申请日：2025-03-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 苑世洋 ,  刘鹏 ,  张大成 ,  王旭峰 ,  华璇卿 ,  于志恒 ,  陈艺 ,  麦倡源 ,  李佳康 ,  周佳伟 ,  于凤君

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种基于悬空纳米胶片的电子束斑强度分布表征方法，属于微纳加工技术领域。本发明为解决现有技术在电子束光刻机应用中辐射损伤、可重复性差及引入额外散射干扰等问题，主要采用基于硅晶圆的标准微电子工艺制造悬空纳米胶片结构，通过曝光显影表征电子束斑的强度分布。本方法能够在兼容原有电子束光刻机工艺环境的基础上，实现电子束斑的精准表征，无需背面曝光，简化了工艺步骤，有效避免了电子散射和边缘溅射的干扰。