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公开(公告)号：CN103210495A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180052281.X
申请日：2011-07-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7788 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/3006 , H01L29/2003 , H01L29/4238 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7789
Abstract: 提供一种半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法，其中在晶体管操作时，在获得极好纵向击穿电压的情况下，能够抑制漏极泄漏电流。该半导体器件特征在于被提供有：开口（28），其从n+接触层（8）经由p型势垒层（6）到达n型漂移层（4）；再生长层（27），其被定位为覆盖p型势垒层（6）等，该再生长层（27）包括未掺杂的GaN沟道层（22）和载流子供应层（26）；绝缘膜（9），其被定位为覆盖再生长层（27）；和栅电极（G），其位于绝缘膜（9）上。该半导体器件特征还在于，在p型势垒层中Mg浓度A（cm-3）和氢浓度B（cm-3）满足式（1）：0.1＜B/A＜0.9。
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公开(公告)号：CN102934302A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201080067314.3
申请日：2010-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/1085 , B82Y20/00 , H01L33/0045 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/0208 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3404 , H01S5/34333
Abstract: 提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。将基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向对准支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向，以支撑装置(71)的边缘(71b)为基准将基板产物(SP)定位。基板产物(SP)以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1)为界分为第1区域(70a)及第2区域(70b)。利用支撑面(70a)支撑基板产物(SP)的第1区域(70a)并按压第2区域(70b)而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(SP1)及激光条(LB1)。将致断装置(69)的边缘(69a)的方向对准边缘(71b)的延伸方向，自与第2面(63b)交叉的方向将致断装置(69)的边缘(69a)抵压到基板产物(SP)。
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公开(公告)号：CN101984774B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200980104006.0
申请日：2009-07-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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公开(公告)号：CN102696158A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080060965.X
申请日：2010-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , G01N21/62 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/20 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器、并在用于该激光谐振器的元件端部具有可缩小芯片宽度的端部构造。激光器构造体(13)在一个切断面(27)上具有设于第1面(13a)的边缘(13c)的一部分的凹部(28、30)。凹部(28、30)各自包含残留在各个半导体元件上的刻划痕迹，这些半导体元件通过刻划槽所导引的切断而分离。凹部(28)具有位于第1面(13a)上的端部(28b)，而且凹部(30)具有位于第1面(13a)上的端部(30b)。第1凹部(28)的端部(28b)与激光条纹间的第1间隔(W1)，小于第2凹部(30)的端部(30b)与激光条纹间的第2间隔(W2)。
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公开(公告)号：CN102668282A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080059085.0
申请日：2010-11-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有表现出用于谐振镜的高质量且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器的切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件11具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导路。因此，可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)通过在支撑基体背面具有刻划痕迹、以及来自外延面的挤压而形成。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻而形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102668279A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080058983.4
申请日：2010-11-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可减少因返回光引起的干扰的激光谐振器。成为激光谐振器的第1及第2切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)中，为了利用可实现低阈值电流的能带跃迁的发光，而具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。第1及第2切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。角度α与角度β不同，角度α与角度β的差为0.1度以上。
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公开(公告)号：CN102549781A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080043799.2
申请日：2010-09-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01S5/0014 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种可将活性层的压电极化的朝向选择为适宜方向的制作半导体发光元件的方法。在步骤S104中，一面对基板产物施加偏压，一面进行基板产物的光致发光的测定，而获得基板产物的光致发光的偏压依赖性，该基板产物通过以所选择的一个或多个倾斜角生长用于发光层的量子阱构造、p型及n型氮化镓系半导体层而形成。在步骤S105中，根据偏压依赖性进行基板主面的所选择的各倾斜角各自在发光层的压电极化的朝向的预测。在步骤S106中，基于预测而判断应使用与基板主面对应的倾斜角及与基板主面的背面对应的倾斜角的哪一个，从而选择用以制作半导体发光元件的生长基板的面取向。将用于半导体发光元件的半导体叠层形成于生长基板的主面上。
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公开(公告)号：CN101440479B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200810177922.4
申请日：2008-11-21
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/45585 , C23C16/303 , C23C16/45504 , C30B25/08
Abstract: 本发明提供了有机金属化学气相沉积(MOCVD)反应器，利用所述反应器，在使得沉积膜厚度均匀的同时，能够提高膜的沉积效率。MOCVD反应器(1)安装有基座(5)和导管(11)。基座(5)具有用于加热和承载衬底(20)的承载面。导管(11)用于将反应气体G引导到衬底(20)。基座5可以旋转，同时承载面朝向导管(11)内部。导管(11)具有管道(11b)和(11c)，其在点A4上游的导管端处合并。导管(11)的高度沿反应气体G流动方向，从点P1至点P2朝向导管下游端单调降低，从点P2至点P3保持不变，从点P3朝向下游单调降低。点P1位于点A4的上游，而点P3位于基座5上。
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公开(公告)号：CN101868848B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200980101042.1
申请日：2009-05-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/02389 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供无需进行活化退火就可以提供包含p型掺杂剂的氮化镓基半导体的、p型氮化镓基半导体的制作方法。在生长炉(10)中在支撑体(13)上形成包含p型掺杂剂的GaN基半导体区域(17)。向生长炉(10)中供给有机金属原料及氨，在GaN基半导体层(15)上生长GaN基半导体层(17)。该GaN基半导体中添加有p型掺杂剂，作为p型掺杂剂例如为镁。形成GaN基半导体区域(15)、(17)后，在生长炉(10)中形成包含单甲胺及单乙胺中的至少任意一种的氛围(19)。提供氛围(19)后，从GaN基半导体区域(17)的生长温度开始降低衬底温度。成膜完成后，使衬底温度降低到室温附近时，完成p型GaN基半导体(17a)及外延晶片E的制作。
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公开(公告)号：CN101647091B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200880010360.2
申请日：2008-02-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/02389 , B82Y20/00 , C30B29/403 , C30B33/00 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/16 , H01S5/0201 , H01S5/34333
Abstract: 原料气体流过有机金属气相生长炉(21)的流动通道(23)。在从一端至另一端横穿支撑台(25)主面(25a)的方向上供应所述原料气体。将GaN衬底(27a～27c)布置在所述支撑台主面(25a)上。斜角在从所述氮化镓衬底(27a～27c)的主面的边缘上的一个点向所述边缘上的另一个点的线段上单调变化。所述各个GaN衬底(27a～27c)的取向由所述取向平面的方向表示。通过根据所述取向将所述多个氮化镓衬底(27a～27c)布置在所述有机金属气相生长炉(21)的支撑台(25)上，通过利用归因于所述原料气体流动的影响能够降低所述斜角分布的影响。
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