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公开(公告)号：CN109613065B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201811372138.9
申请日：2018-11-16
Applicant: 东南大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体湿度传感器，所述半导体湿度传感器包括：第一衬底，设置在所述第一衬底上的源极和漏极；设置在所述第一衬底上方并覆盖所述源极和所述漏极的半导体层；设置在所述半导体层上的栅氧化层；设置在所述栅氧化层上的栅极结构，所述栅极结构为压电层；设置在所述栅极结构上的绝缘层；设置在所述绝缘层上的吸湿层。另外，本发明还提供了一种制备半导体湿度传感器的方法，通过上述方法制备的半导体湿度传感器具有功耗低、可靠性高、灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN112357877A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202110036056.2
申请日：2021-01-12
Applicant: 东南大学 , 南京高华科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MEMS SOI压力传感器及其制备方法，压力传感器包括体硅层、埋氧层、衬底、压敏电阻、钝化层、电极层。压敏电阻为对SOI片的器件层进行光刻和离子注入得到，钝化层为对SOI片进行退火处理形成的SiO2，退火气氛为纯O2、O2/H2O混合气、O2/NO混合气、O2/HCl混合气、O2/CHF3混合气的一种，并通过退火处理消除光刻形成压敏电阻时由于过刻蚀对埋氧层表面造成的损伤，并抑制钝化层的体与界面缺陷及其俘获电荷引起的传感器稳定性问题。在压敏电阻下方正对的埋氧层和体硅层处开孔形成沟槽，有助于抑制因掺杂杂质进入压敏电阻下方的埋氧层所产生的缺陷，并有助于提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN112271105A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011537051.X
申请日：2020-12-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS热保护器及其制备方法，包括第一衬底；第二衬底；在第一衬底上表面形成的开放腔、悬臂梁、第一绝缘层和第二绝缘层；第一电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上，且位于悬臂梁的中部；第二电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上，且位于悬臂梁的悬空端；第三电极的两层分别对称设置在第二衬底和第二绝缘层上，且位于悬臂梁的固定端。本发明的MEMS热保护器，通过使用MEMS体加工和键合工艺，以及设置开放腔、悬臂梁、第一电极、第二电极和第三电极，从而设计出一种具有实时在线质量监测、额定电流可调控的MEMS热保护器，以提高电路或系统的可靠性。
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公开(公告)号：CN107301879B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201610235084.6
申请日：2016-04-15
Applicant: 东南大学
IPC: G11C19/28 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管作为非易失性存储器的用途，薄膜晶体管的顶栅、阻挡层、存储层、隧穿层及沟道层构成了顶栅型存储器；薄膜晶体管的沟道层、底栅氧化层及底栅构成了底栅型TFT。通过对顶栅型存储器进行操作实现非易失性存储器的“编程/擦除”操作，通过对底栅型TFT进行操作实现非易失性存储器的“读”操作。“编程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“读”操作的分离，提升了存储器的存储窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
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公开(公告)号：CN111049597A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911393741.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种热电式自检测MEMS微波功率分配器及其制备方法，所述热电式自检测MEMS微波功率分配器包括位于砷化镓衬底上的微波功分器以及三个MEMS微波功率传感器；所述微波功分器为“T”型对称结构，包括三个端口；每个所述MEMS微波功率传感器通过CPW结构与所述微波功分器的一个端口相连，所述MEMS微波功率传感器用于测量三个所述端口处微波功率大小。本发明在线测量出输入和输出端口处微波功率大小，实现了MEMS微波功率分配器的实时在线功率自检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107947633B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201711292705.5
申请日：2017-12-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种压电‑电磁复合式振动能量收集器及其制备方法，该振动能量收集器包括相互堆叠的第一衬底、第二衬底和第三衬底；所述第一衬底、所述第三衬底经刻蚀分别形成第一、第二悬臂梁结构，其中所述第一衬底的下表面形成有第一凹槽、所述第一凹槽上方为第一悬臂梁结构，所述第三衬底的上表面形成有第二凹槽、所述第二凹槽下方为第二悬臂梁结构；所述第二衬底的上、下表面相对应的位置形成有第三凹槽和第四凹槽，以组装形成三组不同谐振频率的拾振结构。通过该制备方法所制备的振动能量收集器具有高的能量收集效率、输出功率和输出功率密度(W/cm2)，还具有尺寸小、精度高、易于批量制造、制造成本低以及易于小型化的优点。
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公开(公告)号：CN109490290A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811366834.9
申请日：2018-11-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，公开了一种半导体湿度传感器及其操作方法，其包括：设置在基底上的传感器单元与电致变色单元，传感器单元包括依次设置于基底上的栅极、栅氧化层、半导体层、设置于半导体层上相对两侧的源极与漏极，源极分别与电致变色单元的第一电极和开关的一端相连，漏极与电源线相连，开关的另一端与电源的一端相连，电源的另一端与电致变色单元的第二电极分别与地线相连，传感器单元将湿度信息转化为电信号，电致变色单元接收电信号并通过颜色变化显示湿度信息。上述半导体湿度传感器通过传感器单元将湿度信息转化为电信号，电致变色单元接收电信号并通过颜色变化显示湿度信息，从而通过人眼即可直接快速获得当前环境的湿度信息。
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公开(公告)号：CN109282924A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811366144.3
申请日：2018-11-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体压力传感器，半导体压力传感器呈顶栅型场效应晶体管结构，半导体压力传感器包括设置在第二衬底上表面的顶栅型场效应晶体管，顶栅型场效应晶体管包括设置在第二衬底上表面的源极/漏极、覆盖源极/漏极的半导体层、覆盖半导体层的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的栅极，栅极为压电层；正对顶栅型场效应晶体管设置在所述第二衬底下表面的凹槽，源极/漏极对称设置在所述凹槽的两侧，栅极的外侧端部边缘覆盖源极/漏极的内侧的端部边缘或者与源极/漏极的内侧的端部边缘相对齐。本发明的半导体压力传感器通过压电效应产生的压电电荷为晶体管的栅极提供偏置，无需外加栅压就能工作，具有低功耗、高灵敏度的优点。
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公开(公告)号：CN105654904B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610171901.6
申请日：2016-03-24
Applicant: 东南大学
IPC: G09G3/3225
Abstract: 本发明公开了一种AMOLED像素电路及驱动方法,包括第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、驱动管T3、有机发光二极管OLED、数据线Vdata、第一扫描控制线Vscan1、第二扫描控制线Vscan2、存储电容Cst、编程/擦除信号线Vpe，驱动方法包括阈值电压重置阶段、阈值电压补偿阶段、驱动电压写入阶段以及发光阶段，本发明具有结构和操作简单、尺寸小、开口率高、功耗低等优点，适用于高分辨率、大尺寸的平板显示。
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公开(公告)号：CN105006994B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510526843.X
申请日：2015-08-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种压电‑电磁复合式MEMS振动能量收集器及其制备方法，采用可动永磁体作为拾振结构，在振动环境作用下，可动永磁体在腔体内运动，引起螺旋电感线圈内的磁通量发生变化，进而导致在螺旋电感线圈与外接负载形成的闭合回路中产生感应电流，从而实现通过电磁感应方式将振动能转换为电能。此外，可动永磁体在腔体内运动时，其产生的压力或冲击导致第一方形膜或第二方形膜发生弯曲形变，进而引起压电层的形变产生压电电压，从而实现通过压电效应将振动能转换为电能，并通过连接压电层的压电电极将电压供给负载。本发明结合了电磁感应和压电效应等两种方式将振动能转化为电能，两者叠加在一起一并为负载供电。
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