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公开(公告)号：CN1287768A
公开(公告)日：2001-03-14
申请号：CN99801996.8
申请日：1999-09-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L27/3232 , G02B5/32 , G02B27/01 , G02B2027/0112 , G02B2027/0118 , G02F1/133603 , G02F2001/133622 , G02F2202/02 , G03B21/006 , G03B33/06 , G03B33/12 , H01L27/3211 , H01L27/3281 , H04N5/7441 , H04N9/3105 , H04N9/3155 , H04N9/3164
Abstract: 把分别辐射红色光、绿色光、蓝色光的红EL光源(10R)、绿EL光源(10G)、蓝EL光源(10B)配置到显示基色之一的色分量的每一种液晶显示元件(11R)、(11G)、(11B)的背面上。每一种光源由有机薄膜进行发光的有机EL元件构成。各EL光源具有由具有互相垂直的条状图形的ITO电极(13)与金属电极(15)夹持了有机发光层(14)的结构,ITO电极(13)与金属电极(15)的条状图形垂直的部分(发光部)进行发光。把该发光部以2维方式配置到玻璃基板(12)上,该发光部对液晶显示元件的整个显示区进行照明。
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公开(公告)号：CN1272941A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN99800936.9
申请日：1999-04-01
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G06K7/12 , B41J2/01 , G11B7/0033 , G11B7/00455 , G11B7/0052 , G11B7/14 , G11B7/24 , G11B11/18 , G11B20/00 , G11B20/00086 , G11B20/1261
Abstract: 一种用于记录所希望的信息的信息记录方法,其中,在控制电路(150)中,根据表示置于表存储器(151)中的打算记录的信息与发光波长的对应关系的表数据来确定与应记录的信息对应的光的特性,选择通过供给能量来发出被确定的特性的光的发光材料,利用记录头(110)在记录媒体的基板上(10)供给该发光材料来设置发光元件。再者,对记录了信息的记录媒体供给能量,从发光材料得到发光,确定该光的特性,利用该特性重放信息。可容易地实现新颖的信息记录,可提高安全性。
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公开(公告)号：CN1263602A
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：CN99800571.1
申请日：1999-02-09
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: G02B5/0833 , G02B5/0825 , H01S5/18361
Abstract: 在折射率不同的复数的薄膜102,103进行叠层构成的分布反射型多层膜镜的制造方法中,通过液相成膜法形成前述薄膜(102,103)。液相成膜法包括将形成薄膜的薄膜材料涂敷的工序,和将涂敷的前述薄膜材料固化的工序,作为液相成膜法采用喷墨方式。可以简便且在短时间内以微细的排列图案形成薄膜,可以得到高精密且可靠性高的叠层膜,容易控制分布反射型多层膜镜的膜厚和反射率等反射特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102713002A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201180007388.2
申请日：2011-01-26
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
CPC classification number: C23C18/1603 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/42 , C23C22/73 , H05K3/182 , H05K2203/0709 , H05K2203/1105 , Y10T428/12028 , Y10T428/12493 , Y10T428/1275 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。
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公开(公告)号：CN102656667A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201080059237.7
申请日：2010-12-22
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/288
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L21/28052 , H01L21/288 , H01L29/665
Abstract: 本发明涉及结晶性硅化钴膜的形成方法，其特征在于：经过在由硅构成的表面上涂布将下式(1A)或(1B)所示的化合物或其聚合物与0价钴络合物混合而得到的组合物形成涂膜，将该涂膜在550～900℃下加热的步骤，形成由第一层和第二层构成的双层膜，然后除去上述双层膜的上述第二层，其中，该第一层在由硅构成的表面上，由结晶性硅化钴构成；该第二层在该第一层上，含有硅原子、氧原子、碳原子和钴原子。式(1A)和(1B)中，X分别为氢原子或卤原子，n为1～10的整数，m为3～10的整数。
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公开(公告)号：CN102089357A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127026.X
申请日：2009-07-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人金泽大学 , JSR株式会社
CPC classification number: C08G77/60 , C07F7/0896
Abstract: 本发明涉及聚合物的制造方法，其特征在于，使下述式（1）所示的化合物在下述式（2）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。R4-nMHn（1）（式（1）中，R为1价有机基团，M为硅原子或锗原子，n为2或3。) ［CpM（μ-CH2）］2 （2）（式（2）中，Cp为环戊二烯基系配位体，Ｍ为选自Rh及Ir的金属原子，Ｍ-Ｍ间为双键。)。
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公开(公告)号：CN102713002B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201180007388.2
申请日：2011-01-26
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , JSR株式会社
CPC classification number: C23C18/1603 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/10 , C23C18/42 , C23C22/73 , H05K3/182 , H05K2203/0709 , H05K2203/1105 , Y10T428/12028 , Y10T428/12493 , Y10T428/1275 , Y10T428/24917
Abstract: 本发明涉及图案化导电膜的形成方法，其特征在于，所述形成方法经由如下的工序：在50~120℃的温度下，使形成有铂微晶粒子构成的图案化的层的基板接触胺化合物与氢化铝的络合物。根据本发明，可提供用于无需笨重高大的装置而简便地形成能够确保与基板之间的电接合、可理想地适用于许多电子装置的图案化导电层的方法。
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公开(公告)号：CN102089358A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980127035.9
申请日：2009-07-09
Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构 , 国立大学法人金泽大学 , JSR株式会社
CPC classification number: C08G77/60
Abstract: 本发明涉及聚硅烷的制造方法，其特征在于，使以下述式（2）所示的环状硅烷化合物为代表的特定的硅烷化合物在下述式（4）所示的双核金属络合物的存在下进行反应。SijH2j（2）（式（2）中，j为3～10的整数。)［CpM（μ-CH2）］2（4）（式（4）中，Cp为环戊二烯基系配位体，M为选自Rh及Ir的金属原子，M-M间为双键。)。
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