应用于可穿戴干电极心电监测的低噪声高输入阻抗放大器

    公开(公告)号:CN210120536U

    公开(公告)日:2020-02-28

    申请号:CN201921075619.3

    申请日:2019-07-10

    Abstract: 本实用新型公开一种应用于可穿戴干电极心电监测的低噪声高输入阻抗放大器。放大器电路采用新颖的斩波稳定技术降低了电路的闪烁噪声,能够有效地对超低频的心电信号进行放大;同时采用了采样输入结构,保证了在使用斩波稳定技术的同时不降低放大器的输入阻抗,能够有效地从高阻的干电极获取心电信号,有利于可穿戴干电极心电检查的应用;采用了数字模拟混合调节的电极失调抑制电路,在提供了±300mV的电极失调抑制能力的同时不增加总体电路的噪声;采用快速恢复电路,提高了电极失调抑制环路的恢复时间,有利于全天候连续心电检测的应用,为物联网+医疗提供了很好的解决方案。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种高速低抖动模拟均衡器

    公开(公告)号:CN207766282U

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201820200319.2

    申请日:2018-02-06

    Abstract: 本实用新型公开一种高速低抖动模拟均衡器,由2个负载网络、2个均衡电路、去抖电路和反馈电路组成。高频均衡电路与低频均衡电路呈串联连接架构,产生两个零点和四个极点,使得高频增益与低频增益之间的差值增大,可以对衰减较大的信道形成较好的均衡效果。去抖电路与低频均衡电路呈并联连接架构,高频均衡电路的输出信号通过去抖电路对通过低频均衡电路的信号进行补偿,减小低频均衡电路输出信号的过零抖动。反馈电路取低频均衡电路的输出作为输入,输出对高频均衡电路的输出进行补偿,减小差分信号的零点抖动。本实用新型具有均衡速率高,对强衰减信道补偿显著,输出信号抖动小的特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种双输出低温漂基准电压源

    公开(公告)号:CN207742591U

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201820093056.X

    申请日:2018-01-19

    Abstract: 本实用新型公开一种双输出低温漂基准电压源,由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成。启动电路,用于在电源上电时提供启动电流,使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路,利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率,产生提供双输出基准电压产生电路的输入电流,为基准电压产生电路提供电流。双输出基准电压产生电路,产生低温漂的两个基准电压。本实用新型能解决传统基准电压源电路的输出电压值单一,温漂系数和电源电压抑制比较差的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种高电源抑制比全CMOS基准电压源

    公开(公告)号:CN206573970U

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201720277052.2

    申请日:2017-03-21

    Abstract: 本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源,包括基准电压源,该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路;启动电路的输出端连接电流源电路的输入端,电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端形成整个基准电压源的输出端。本实用新型利用工作在亚阈值区MOS管的工作特性,产生纳安量级的基准电流,采用共源共栅电流镜,来抑制电源噪声。此外,本实用新型不仅具有芯片面积小、功耗低,仅为纳瓦量级;而且具有高电源抑制比,低温漂系数和低电源电压调整率的优点,且没有使用电阻、二极管以及三极管,与标准CMOS工艺兼容,有效的缩小了版图面积,并降低生产成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种增益自适应误差放大器

    公开(公告)号:CN206379929U

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201720059766.6

    申请日:2017-01-17

    Abstract: 本实用新型公开一种增益自适应误差放大器,包括电平偏移电路、运算跨导放大电路和比较电路。电平偏移电路使运算跨导放大电路的输入电平满足正常工作要求;运算跨导放大电路利用双极三极管作为差分对管,并利用MOS管共源结构电流镜为其差分对管提供电流偏置以降低功耗,以保证提供更大的增益;比较电路利用反馈结构控制比较电路输出摆率,从而输出运算跨导放大电路的控制信号;限幅电路对运算跨导放大电路输出电压进行限幅。本实用新型降低了负载电流稳定应用中的电源输出纹波,从而降低了系统功耗,但同时对负载瞬态特性影响很小。

    一种全CMOS基准电压源
    106.
    实用新型

    公开(公告)号:CN205620849U

    公开(公告)日:2016-10-05

    申请号:CN201620429118.0

    申请日:2016-05-12

    Abstract: 本实用新型提供一种全CMOS基准电压源,属于电压源技术领域,包括启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路;启动电路的输出端分别与基准电流产生电路和基准电压产生电路连接;基准电流产生电路的输出端与基准电压产生电路连接;基准电压产生电路的输出端为该基准电压源的输出端;启动电路和基准电流产生电路同时接电源VDD,启动电路、基准电流产生电路和基准电压产生电路同时接地GND。本实用新型仅为纳瓦量级、且未使用电阻、BJT和二极管,不仅能消除温度变化的影响,还能与标准CMOS工艺完全兼容,同时具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点,有效降低了系统成本。

    一种无Bipolar晶体管的CMOS基准电压源

    公开(公告)号:CN205375264U

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201620048845.2

    申请日:2016-01-19

    Abstract: 本实用新型公开了一种无Bipolar晶体管的CMOS基准电压源,包括并接于电源VDD与地GND之间的启动电路、CTAT电压产生电路、PTAT电压产生电路和电流叠加电路;其中,启动电路的输出端与CTAT电压产生电路连接,用于在电源上电时,使基准电压源摆脱简并偏置点;CTAT电压产生电路的输出端与电流叠加电路连接;PTAT电压产生电路的输出端与电流叠加电路连接;电流叠加电路用于将CTAT电压产生电路和PTAT电压产生电路中产生的电流进行叠加,得到一个具有零温漂的电流源,电流源经一有源支路产生基准电压Vref。采用上述组成的CMOS基准电压源,未使用BJT和二极管,不仅能消除温度变化的影响,还能与标准CMOS工艺完全兼容、有效降低了系统成本,并具有功耗极低、高电源抑制比高、性能好的特点。

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