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公开(公告)号：CN218958813U
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202222754470.X
申请日：2022-10-19
Applicant: 杭州必威新能源科技有限公司 , 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种温差发电装置及电热水壶，至少包括热端、冷端、金属导流层、P型热电材料层、N型热电材料层、第一金属层和第二金属层，其中，电热水壶热端用于接入热源使其与冷端形成温差；电热水壶金属导流层与热端相连，用于将热量传递到P型热电材料层和N型热电材料层，电热水壶P型热电材料层和N型热电材料层用于利用塞贝克效应产生温差电动势；P型热电材料层使与其相连接的第一金属层产生正电荷，N型热电材料层使与其相连接的第二金属层产生负电荷，以此形成电势差，电热水壶第一金属层和第二金属层与冷端相连接并分别作为温差发电装置的正极和负极。该实用新型可以解决传统电热水壶的废热能源浪费问题，提高能源的利用率。
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公开(公告)号：CN205792463U
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201620416990.1
申请日：2016-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种紧凑型宽带Doherty功率放大器，功率放大器包括威尔金森功分器、载波放大电路和峰值放大电路；输入信号经威尔金森功分器输出端分别连接载波放大电路和峰值放大电路的输入端；所述载波放大电路由载波输入匹配电路、载波放大器、载波输出匹配电路、70.7Ω四分之一波长阻抗变换器依次串接组成；所述峰值放大电路由50Ω相位补偿线、峰值输入匹配电路、峰值放大器、峰值输出匹配电路和100Ω补偿线串接组成；70.7Ω四分之一波长阻抗变换器和100Ω补偿线并接作为输出端；本实用新型通过减少四分之一波长阻抗变换线的阻抗变换比，极大地增大了功率放大器的带宽，同时也减小了功率放大器整体尺寸。
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公开(公告)号：CN205130512U
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201520652246.7
申请日：2015-08-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Inventor： 董志华
Abstract: 本实用新型公开了一种多周期吸能结构，该结构由上层板单元、中空吸能单元、中间夹心板单元和下层板单元构成，顶层中空吸能单元上方设有上层板单元，底层中空吸能单元上方设有下层板单元，中空吸能单元之间设有中间夹心板单元；相邻单元由环氧胶粘接或者由焊接方式固定形成；中空吸能层由圆锥体、正n棱椎体或半椭圆体中的一种立体结构构成，n≥3；所述中空吸能层中立体结构的高线和上、下板单元垂直，上、下层板单元与中间夹心板单元互相平行。本实用新型与现有技术相比，其整体尺寸将大大缩短，材料整体密度低，质量轻盈。
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公开(公告)号：CN205081125U
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201520488512.7
申请日：2015-07-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/66
Abstract: 本实用新型公开了一种基于极化掺杂效应的太赫兹二极管，该装置包括阴极电极、渐变AlxGa1-xN极化掺杂层、有源区、阳极区和阳极电极；所述的阳极区上外延生长有源区，有源区外延生长渐变AlxGa1-xN极化掺杂层；阳极区的外侧设有阳极，渐变AlxGa1-xN极化掺杂层的外侧设有阴极。本实用新型中的高电子浓度材料，易于形成电子隧穿，获得良好的欧姆接触，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN209283190U
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201920042744.8
申请日：2019-01-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型提供一种基于耦合环路谐振网络的F类功率放大器，电路包括输入匹配网络网络，栅极、漏极偏置电路，漏极基波匹配电路网络和新型谐波控制网络网络，其中偏置电路为晶体管提供稳定的工作电压，匹配电路网络是把晶体管的源阻抗和负载阻抗分别匹配到50Ω，同时对电压和电流波形进行波形塑造，使晶体管漏极电压为方波，电流为半正弦波，从而获得较高的功率和效率。相对于现有技术，本实用新型通过改进F类功放的谐波控制网络，不只限于控制F类功放的二次、三次谐波，而是增加了对F类功放谐波的控制阶数，进而在拓宽功放带宽的同时也提高了工作效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205610591U
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201620421660.1
申请日：2016-05-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型提供一种连续EF类高效率宽带功率放大器，包括基波输入匹配网络、E类功率放大器、连续型谐波控制网络以及基波输出匹配网络，其中，基波输入匹配网络的输入端与功率输入端相连接，其输出端接E类功率放大器的输入端；E类功率放大器的输出端与连续型谐波控制网络的输入端相连接，连续型谐波控制网络的输出端与基波输出匹配网络的输入端相连接，基波输出匹配网络的输出端作为功率输出。相对于现有技术，本实用新型在对“连续类思想”进行深入研究的基础上，提出新型基波输出匹配网络和连续型谐波控制网络，能够极大抑制负载阻抗随工作频率的漂移，在保持功放高效率的情况下拓展带宽，极大提升了放大器的整体带宽。
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公开(公告)号：CN211377989U
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202020228083.0
申请日：2020-02-28
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
Abstract: 本实用新型公开一种宽带混合结构J类功率放大器，包括偏置电路，输入匹配电路，混合结构谐波控制电路，以及输出基波匹配电路。其中，混合结构谐波控制电路输入端和晶体管输出端相连接，采用开路枝节微带传输线和阶跃阻抗变换线进行混合，通过选取多个频点来实现谐波控制方式。以实现对应频点的二次谐波短路及J类功率放大器特征。输出基波匹配电路和混合谐波控制电路相连用于匹配到负载。采用本实用新型技术方案，利用一种新混合结构以及多频点实现方式能够在保证效率的同时扩展J类功率放大器的带宽。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206116406U
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201621179373.0
申请日：2016-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本实用新型提供一种具有复合势垒层结构的常关型III‑V异质结场效应晶体管，包括衬底材料层、第二半导体层、介质墙、漏电极、源电极、第一介质层和栅电极，第二半导体层和第一半导体层本体结合在一起形成异质结沟道，介质墙设置在第一半导体层本体上，介质墙的数目为n，第一半导体层本体沿介质墙外围形成重新外延部分，介质墙用于阻止第一半导体的重新外延部分的生长；重新外延部分使第一半导体层超出临界厚度从而在重新外延部分的投影区域形成二维电子气2DEG。相对于现有技术，本实用新型利用特殊设计的复合势垒层获得不连续的沟道，从而获得常关型器件，是一种工艺可控、可重复性好，利于工业化生产的器件。
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公开(公告)号：CN205945658U
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201620795003.3
申请日：2016-07-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型提供一种高效宽带有序的谐波匹配结构，一种高效宽带有序的谐波匹配结构，包括谐波控制电路和基波匹配电路，功率放大器的输出信号经所述谐波控制电路和基波匹配电路加载到负载端，所述谐波控制电路包括N个十字形匹配结构，每个十字形匹配结构形成λ4微带线并有序串行连接，直至第N十字形匹配结构的输出端与所述基波匹配电路的输入端相连接，所述基波匹配电路的输出端与负载端相连接。相对于现有技术，本实用新型提供的高效宽带有序的谐波匹配结构，将现有以中心频率的谐波控制结构扩展为对不同频率点谐波进行控制，在保持功放高效率的情况下拓展带宽，极大提升了放大器的整体带宽。
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公开(公告)号：CN205881909U
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201620407034.7
申请日：2016-05-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/205
Abstract: 本实用新型提供一种新型常关型III-V异质结场效应晶体管，包括衬底材料层、第二半导体层、介质模板层、漏电极、源电极、第一介质层，第二介质层和栅电极，第二半导体层和第一半导体层本体结合在一起形成异质结沟道，介质模板层设置在第一半导体层本体上并等间隔形成n个窗口，第一半导体层本体沿n个窗口生长形成n个凸起部分；凸起部分使第一半导体层超出临界厚度从而在凸起部分的投影区域形成二维电子气2DEG。相对于现有技术，本实用新型利用特殊设计的势垒层获得不连续的沟道，并且栅电极将源、漏电极之间的沟道完全覆盖，从而实现对沟道二维电子气的完全控制，能够避免器件的“电流崩塌”效应；同时该器件可以同时获得较高的击穿电压和截止频率。
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