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公开(公告)号：CN114400425B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202111638200.6
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种微波毫米波双频带滤波交叉结，主要包括微带滤波交叉结、低通滤波器、缝隙耦合馈电结构、基片集成波导(SIW)滤波交叉结、转接微带线和50欧姆馈电微带线。本发明能够同时覆盖频率跨度很大的微波频段和毫米波频段，实现了高频比的双频段交叉结，而面积仅与微波频段的单频带微带线交叉结相当，并在两个频带内均具有滤波功能；另一方面，由于微波频段信号和毫米波频段信号具有相互隔离的物理传输路径，两者之间互不影响，隔离度高，因此使得两个频段的交叉结设计完全独立，大大方便了双频带高频比交叉结的设计。
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公开(公告)号：CN114284673A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111641118.9
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基片集成波导双频带滤波巴伦，主要包括两个背对背放置的基片集成波导圆形腔、十字耦合槽、输入输出耦合结构、输入端口、两个差分输出端口。该滤波巴伦采用层叠结构来实现，利用基片集成波导圆形腔的TE201模和TE102模来设计双频带，通过调节基片集成波导圆形腔中直线型金属化通孔微扰的长度来改变高频带的中心频率，利用层叠结构来减小滤波巴伦的整体尺寸，为现有平面双频带基片集成波导双频带滤波巴伦的一半以上；此外，该滤波巴伦通过上下两个背对背放置的基片集成波导圆形腔之间的十字槽进行耦合，避免了耦合结构的辐射，调节十字耦合槽的横向和纵向长度可以分别调节两个通带的带宽。
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公开(公告)号：CN114267958A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111588973.8
申请日：2021-12-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提出一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构。目前已报道的低通吸收式频率选择结构过渡带宽，选择性不够优异。本发明为周期结构。结构单元由两部分组成，一部分为损耗层，另一部分为三维带阻结构。损耗层采用射频电阻和等效电感值较大的弯折的金属线，三维带阻结构采用在垂直方向上的介质基片上印刷金属条。整个结构具有高频吸波低频透波，且过渡带窄的特性。本发明与应用于军事领域的工作在VHF/UHF频段的大量超宽带天线和频谱监测等系统的天线罩的性能指标完美匹配，具有很强的适用性。
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公开(公告)号：CN114256614A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111590910.6
申请日：2021-12-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种应用于毫米波通信系统的超宽带平面天线阵列，平面天线阵列由等距排列的多个天线单元以及微带馈电网络组成。所述的天线单元从上到下依次包括辐射贴片、第一介质基板、粘合层、金属地、第二介质基板和微带馈线；所述辐射贴片通过四个贯穿第一介质基板和粘合层的金属孔与金属地连接；该设计使得天线单元除了工作在贴片模式外，还可以工作在偶极子模式。在阵列环境下，由于单元间的互耦效应，同时又激励器了另一个新的介质谐振模。因此所提出的天线单元能同时在三种谐振模式下工作，因而平面天线阵列可以实现超宽的工作带宽，且工作频带内辐射稳定。
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公开(公告)号：CN114156652A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111434446.1
申请日：2021-11-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种低副瓣宽带低交叉极化平面偶极子天线阵列，包括多层介质基板；第一金属面；第二金属面；馈电网络；偶极子天线阵列；每个偶极子天线单元包括顶层偶极子臂、中间层偶极子臂、底层偶极子臂；第一金属面与顶层偶极子臂的一端连接；第二金属面与底层偶极子臂的一端相连；所述的馈电网络包括信号导带，金属化通孔；馈电网络输出端处信号导带直接与各偶极子天线单元的信号输入端连接；该天线阵列在恰当位置刻蚀一对缝隙，使得偶极子同时工作在半波长模式和1.5倍波长模式，大幅提高偶极子天线的阻抗带宽。该天线阵列采用SICL结构馈电，可以有效抑制偶极子天线的交叉极化，而且SICL结构工作在准TEM模式，无截止频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114156623A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111294159.5
申请日：2021-11-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明公开了一种微波毫米波双频带独立设计的高频比定向耦合器，主要包括分支线耦合器、低通滤波器、缝隙耦合馈电结构、基片集成波导(SIW)定向耦合器、SIW90度转角和50欧姆馈电微带线。本发明能够同时覆盖频率跨度很大的微波频段和毫米波频段，实现了高频比的双频段耦合，而面积仅与微波频段的单频带分支线耦合器相当；另一方面，由于微波频段信号和毫米波频段信号具有相互隔离的物理传输路径，两者之间互不影响，隔离度高，因此使得两个频段的耦合器设计完全独立，大大方便了双频带高频比耦合器的设计。
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公开(公告)号：CN114156617A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111483739.9
申请日：2021-12-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明公开双模SIW矩形腔加载互补分裂环谐振器的双频带滤波器，包括SIW矩形腔、金属化通孔阵列微扰、输入耦合窗、输出耦合窗、输入转接器、输出转接器、输入端口、输出端口、两个互补分裂环谐振器CSRR；SIW矩形腔内在中心两侧各设置有一个互补分裂环谐振器CSRR；两个CSRR初始位置位于微扰后的TE101模和TE201模电场最强处。利用TE101模和TE201模构建低频通带，因此在双频带滤波器低频通带的下阻带中的不存在寄生通带；在两个通带间和高频通带的上阻带各有两个传输零点，且传输零点的位置可调，提高了双模SIW矩形腔双频带滤波器的频率选择性和阻带抑制度。
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公开(公告)号：CN113258236B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110445479.X
申请日：2021-04-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/26
Abstract: 本发明公开了一种基于SIW和FSIW的模式复合传输线，包括顶层金属层、中间金属层、底层金属层，介质层，金属化通孔阵列和侧壁窗口；顶层金属层、底层金属层、以及X轴向的两排金属化通孔阵列共同构建了SIW；中间金属层中的矩形金属、顶层金属层、底层金属层以及X轴向的两排金属化通孔阵列共同构建了FSIW；FSIW通过梯形渐变器连接到50欧姆带状线，并从侧壁串口引出。本发明的结构完全封闭，具有带宽大、损耗低、电磁屏蔽性好等优点，能够利用TE10模和Folded‑TE10模并行传输两个高频段信号，并基于模式之间的正交性实现模式隔离。
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公开(公告)号：CN112768852B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202011580085.7
申请日：2020-12-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明公开了一种周期性加载CSRR的折叠基片集成波导移相器，包括FSIW和周期性排列的CSRR。具有以下优点：在FSIW的中间金属层加载CSRR，保持了FSIW的屏蔽性，避免了CSRR的辐射损耗；FSIW中的CSRR具有很强的加载效应，仅需要少量的CSRR单元即可实现所需相移，缩减了移相器的尺寸；FSIW与慢波结构之间无需转接结构，易于和其他基于FSIW的电路集成，可直接嵌入到现有的FSIW系统中。
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公开(公告)号：CN113809518A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110908056.7
申请日：2021-08-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种具有高隔离度的微波与毫米波大频比共口径天线。本发明天线包括4×4基片集成波导背腔缝隙阵列C、基片集成波导功分馈电网络N、低频滤波馈电网络L。本发明将毫米波天线阵列与微波天线一体化设计，利用同一个辐射结构来辐射毫米波和微波信号，其孔径利用率高，实现了共口径天线的小型化。本发明充分利用基片集成波导结构的高通特性，同时引入两个微带滤波结构，且两个天线的极化方向相互垂直，在微波和毫米波两个工作频段内，均获得了较高的端口隔离度。大频比共口径天线的设计一般比较复杂，与传统结构相比，本发明的拓扑结构比较简单，所以加工成本更低，更容易实现。
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