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公开(公告)号：CN102623636A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210096994.2
申请日：2012-04-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铋薄膜的电阻式随机读取存储器及制备方法。现有的电阻式存储器的读写寿命以及稳定性较差。本发明存储器由重掺硅衬底、氧化铋薄膜、金属薄膜电极构成，氧化铋薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。本发明方法是采用半导体标准清洗工艺清洗重掺硅衬底；然后采用磁控溅射法在重掺硅衬底上沉积氧化铋薄膜；最后在氧化铋薄膜上采用电子束蒸发法制备金属薄膜电极。本发明可简化存储器的制作工艺，并能很好地与硅集成电路工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN102544532A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210055681.2
申请日：2012-03-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/90 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B01J23/50 , B01J23/44 , B01J23/52 , B01J23/745 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J23/72 , B01J35/10
Abstract: 本发明涉及一种纳米线网络结构催化剂及其制备方法。本发明的催化剂中包含纳米线和碳载体，且纳米线的最外层原子面为低指数最密排面。本发明的方法采用化学法合成出最外层原子面为低指数最密排晶面的纳米线，将纳米线与碳载体按一定配比混合，均匀超声分散在分散剂和辅助粘结剂溶液中，缓慢烘干分散剂获得具有网络结构的催化剂粉末。本发明的网络结构透气透水性高，能实现水与氧气的顺畅进出，从而保证催化过程中电荷传导与物质传输的顺利进行，保障高催化活性的实现。
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公开(公告)号：CN102181292A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110102004.7
申请日：2011-04-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种利用电子束轰击还原掺Eu铝酸锶夜光材料的方法。现有的还原方法能耗大，且用到或产生有毒有害气体。本发明方法首先将待还原掺Eu铝酸锶材料进行烧结，将烧结后的掺Eu铝酸锶材料放入真空室内，将真空室抽真空，使得真空室的压强小于等于10-1Pa，开启电子枪，电子枪发出的电子束打在待还原掺Eu铝酸锶材料上，利用光纤光谱仪通过观测窗检测待还原掺Eu铝酸锶，当检测到待还原掺Eu铝酸锶发出峰值波长为526nm的绿光时，关闭电子枪，取出掺Eu铝酸锶，即为还原后的掺Eu铝酸锶夜光材料。本发明方法不但可大大降低能源消耗和节省时间，且不需要任何气体或辅助材料，符合材料加工与处理的节能、低碳排放要求。
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公开(公告)号：CN101975766A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010281712.7
申请日：2010-09-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种利用差谱法收集激光诱导反射光谱的方法，本发明通过比较激光器开启前后接收到的反射光谱的信号的变化，得出两者的之间的差谱信号，由此获得激光诱导紫外-可见反射光谱。本发明的方法省略了锁相放大器和斩波器，使得设备体积缩小，成本降低；使用了基于线性CCD的微型光谱仪，动态范围极大，而且可以同时测量所有波长的强度，测试速度大大提高；收集到的差谱呈现的是强度谱的形式，而利用光调制和锁相放大器技术获得的反射光谱的微分形式，因此数据处理和机理分析更加方便、直观。
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公开(公告)号：CN100540464C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710156064.0
申请日：2007-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B25/37
Abstract: 本发明涉及一种磷酸铁的制备方法。目前磷酸铁生产方法存在工艺复杂，生产成本高，成分控制困难等缺点。本发明以铁源化合化物和磷酸为原料，以简单有机物为催化剂，将原料和催化剂混合，在80℃-160℃下反应20分钟到2小时，就可以合成化学式为FexPO4的磷酸铁，其中0.90≤x≤1.10。本发明方法所用的原料和催化剂都是常用的化工原料，反应在较低的温度和常压下进行，所需设备简单，能耗小，因此产品的成本较低。因反应在低温下进行，避免了元素的挥发，易于控制产品的成份。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101436455A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810163443.7
申请日：2008-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于镍锌氧化物薄膜的低压压敏电阻器，它主要由绝缘衬底、金属薄膜下电极、镍锌氧化物薄膜和金属薄膜上电极组成。其中，镍锌氧化物薄膜的分子式为NixZn1－xO，x的取值范围为0.01－0.33。利用本发明可以制作阈值电压处于3.3－4.45伏之间的低压压敏电阻器。当镍锌氧化物NixZn1－xO中的x的范围为0.01－0.33之间时，相应的压敏电阻器的阈值电压与镍含量有简单的线性关系，因此在制作低压压敏电阻器时可以通过控制镍含量x即可控制压敏电阻器的阈值电压，由此解决了制作低压压敏电阻器时阈值电压不能任意设定的不足。
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公开(公告)号：CN101436454A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810163442.2
申请日：2008-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于镁锌氧化物薄膜的低压压敏电阻器，它主要由绝缘衬底、金属薄膜下电极、镁锌氧化物薄膜和金属薄膜上电极组成。其中，所述镁锌氧化物薄膜为高度c轴取向的晶体薄膜，它的分子式为MgxZn1－xO，x的取值范围为0.01～0.50；利用本发明可以制作阈值电压处于3.3－5.3伏之间的低压压敏电阻器；当镁锌氧化物MgxZn1－xO中的x的范围为0.01－0.50之间时，相应的压敏电阻器的阈值电压与镁含量有简单的线性关系，因此在制作低压压敏电阻器时可以通过控制镁含量x来控制压敏电阻器的阈值电压，由此解决了制作低压压敏电阻器时阈值电压不能任意设定的不足。
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公开(公告)号：CN101172599A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710156819.7
申请日：2007-11-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种用于锂离子电池的碳包覆的磷酸铁锂的制备方法。现有的磷酸铁锂制备技术工艺较为复杂，成本较高。本发明合成过程为：将三氧化二铁、磷酸、简单有机物和掺杂元素化合物混合烘干，磷酸根离子、铁离子和掺杂元素离子的摩尔比为1∶y∶z，0.95≤y≤1，y+z＝1；在混合物中加入锂源化合物，加水混合、烘干，锂离子和磷酸根离子的摩尔比为x∶1，0.95≤x≤1.05；将混合物在500～800℃下反应2～20小时，然后随炉冷却。本发明最终生成晶粒极细、混合均匀的前驱体，在后续的高温固相反应中，原子经较短距离扩散即可生成最终产物磷酸铁锂。最终产物纯度高，结晶完好，容量高，循环稳定性好。
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公开(公告)号：CN101172595A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710156064.0
申请日：2007-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B25/37
Abstract: 本发明涉及一种磷酸铁的制备方法。目前磷酸铁生产方法存在工艺复杂，生产成本高，成分控制困难等缺点。本发明以铁源化合物和磷酸为原料，以简单有机物为催化剂，将原料和催化剂混合，在80℃－160℃下反应20分钟到2小时，就可以合成化学式为FexPO4的磷酸铁，其中0.90≤x≤1.10。本发明方法所用的原料和催化剂都是常用的化工原料，反应在较低的温度和常压下进行，所需设备简单，能耗小，因此产品的成本较低。因反应在低温下进行，避免了元素的挥发，易于控制产品的成份。
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