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公开(公告)号：CN100573099C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710071604.5
申请日：2007-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种摩擦磨损实验机，本发明涉及一种摩擦磨损过程的模拟、检测装置。它克服了传统的摩擦磨损试验装置存在一定的误差的缺陷。它包括转盘、旋转驱动装置、钢球和施压装置，它还包括试样阻值检测电路等，试样阻值检测电路由电源、电阻、采集放大电路、光电隔离电路、模数转换电路和计算机组成，旋转驱动装置与转盘的下端面相连接，钢球的上端固定在施压装置的下端上，电源的一个输出端通过电阻固定在钢球上，电源的另一个输出端连接在转盘上，采集放大电路的两个输入端分别固定在钢球和转盘上，采集放大电路的输出端通过光电隔离电路、模数转换电路连接计算机的输入端。摩擦力传递杠杆力臂能够通过改变摩擦力传感器的位置来调节。
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公开(公告)号：CN101525738A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910071869.4
申请日：2009-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48
Abstract: 电感耦合等离子体管筒内表面离子注入改性装置及方法，它涉及一种表面处理装置和处理方法。本发明为解决现有管筒内表面离子注入处理时因采用电容耦合等离子体使得放电间距大而难以对细管内表面进行处理的问题。装置：螺线管设置在管筒内，且一端与匹配箱连接、另一端与地极连接。方法：一、将真空室内抽真空；二、向真空室内充入气体；三、螺线管内外产生轴向均匀的电感耦合等离子体；四、脉冲负高压施加到管筒上使管筒内形成径向电场；五、关闭脉冲负高压电源和射频电源，完成电感耦合等离子体管筒内表面离子注入。本发明具有等离子体源放电均匀的优点，螺线管起到地电极钳制电位的作用，本发明可以对直径更细小的管筒内表面进行离子注入处理。
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公开(公告)号：CN100467663C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200610010001.X
申请日：2006-04-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/48 , C23C16/513
Abstract: 细长管筒内表面中空阴极等离子体表面处理装置及方法。现在的离子注入方法存在分布不均匀的问题。本发明所述处理装置结构为一号金属管(1)和设置在一号金属管(1)内并与其相互绝缘的二号金属管(2)，所述一号金属管(1)与地连接，二号金属管(2)与射频电极(4)连接。处理方法是，待处理细长管筒(7)与负偏压电源连接；向二号金属管(2)内注入气体并与射频电源相连，并控制处理装置在细长管筒(7)内轴向移动即可。本发明的最大的优势是：被处理的细长管筒工件内部的中空阴极射频放电几乎不受被处理管筒直径限制，这样能处理的细长管筒工件的内径可以大大减小，并且处理均匀，方法简单适用效果好，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN1315150C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200410044045.5
申请日：2004-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01J37/317 , C23C14/48
Abstract: 等离子体脉冲注入的装置，它涉及的是等离子体注入的装置。等离子体发生器(7)设置在真空室(1)的壁上；转动屏蔽片(2)上开有通孔或缺口，转动屏蔽片(2)的转轴(2-1)中部靠近下端处与(1)下底端上的轴孔(1-1)转动连接，(2-1)下端与电动机(6)的转轴输出端相连接，(2-1)的一侧设置有屏蔽筒(3)，(3)的上端口与(2)的下端面之间有气隙(δ)，(3)的下端口连接在(1)下底端上，(3)的内部设置有靶台(4)，电极(4-1)的中部通过绝缘套(4-2)与孔(1-2)相套接，(4-1)的底端与直流负偏压电源(5)的电源输出端相连接，工件(7)设置在靶台(4)的上端面上。本发明能把等离子体以脉冲形式注入到材料表面，并对脉冲的占空比、脉宽、频率进行调节，其设备制造成本低、结构简单、易维护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN201797448U
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201020540368.4
申请日：2010-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于全PLC控制的高压脉冲电源，属于脉冲功率技术领域。它解决了现有高压脉冲电源的单片机控制系统抗干扰能力差及其主电路的原始体积大的问题。它由主回路和控制回路组成，用可编程逻辑控制器输出占空比一定、频率连续可调的脉冲，同步触发产生一个同频率、脉宽固定的矩形波，再将其变为宽度一定的锯齿波，该锯齿波与PLC输出的模拟量比较产生一个新的脉冲，通过改变输出模拟量的大小，实现脉宽的连续调节，最小输出脉宽可以达到几个微秒，该脉冲再经过功率放大，驱动栅极电路，实现高压脉冲的调制，它以可编程逻辑控制器作为控制核心，通过人机界面，方便地设定和显示电源的各工作参数。本实用新型用作高压脉冲电源。
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公开(公告)号：CN2578970Y
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN02275566.7
申请日：2002-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01J37/317 , C23C8/36
Abstract: 管筒状工件内表面离子注入装置，它涉及一种等离子体处理装置。气体源(1)与真空室(4)相连通，绝缘支架(6)固定在真空室内，管筒状工件(7)安装在绝缘支架上，中心电极(3)的左端设置在管筒状工件的中心处，中心电极的左端头(3－2)裸露，中心电极的中部穿过真空室的侧壁的孔(4－1)，中心电极的右端与传动机构(5)连接，中心电极与管筒状工件之间形成既旋转又相对直线移动，高压脉冲电源(2)的负极与管筒状工件连接，高压脉冲电源的正极与中心电极连接。它不需外加等离子体，在适当的气压范围和适当的注入电压条件下，只要高压脉冲存在，离子注入就可进行，若采用含碳气体可形成涂层，中心电极与工件的相对转动能实现管筒状工件内表面均匀高效的离子注入效果。
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公开(公告)号：CN201144276Y
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200720117837.X
申请日：2007-12-28
Applicant: 沈阳市北宇真空设备厂 , 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/24
Abstract: 一种等离子体蒸发镀膜机，它涉及一种真空镀膜机。针对现有蒸发镀膜机镀膜质量难以保证的问题。本实用新型的进气管(2)的一端装在镀膜真空室体(1)内，镀膜真空室体(1)侧壁上设有室门(3)，泵组(4)装在镀膜真空室体(1)上，转台装置(5)装在镀膜真空室体(1)内，转动机构(8)与转轴(6)连接，转轴(6)与转台装置(5)固接，转轴(6)与匹配箱(10)和射频等离子体电源(9)连接，转台装置(5)上固装有具有工件支架功能的射频天线(12)，蒸发源电极(14)装在镀膜真空室体(1)的中间，蒸发源电极(14)之间设置电热丝(15)，电热丝(15)内放置有金属条或金属棒材(16)，电极电缆(19)的两端分别与蒸发电源(13)和蒸发源电极(14)固接。本实用新型可大大提高等离子体利用率、镀膜效率和膜层质量。
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公开(公告)号：CN2577437Y
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN02275573.X
申请日：2002-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01J37/317 , C23C8/36 , C23C14/48
Abstract: 管筒状工件内壁等离子体注入装置，它涉及一种管筒状工件内壁的表面强化装置。由于管筒状工件特定的空间几何尺寸决定离子注入强化方法的应用受到了限制，由于离子注入中离子行走轨迹的直线性(视线性)，使得长管内壁注入几乎不可能。本实用新型包括真空室(1)、中心电极(2)，中心电极(2)轴向穿过管筒状工件(3)的内腔并与电源(6)的正极连接，管筒状工件(3)与高压电源(6)的负电极相连，在管筒状工件(3)的腔体内所述中心电极(2)的外部套有磁体(4)，所述管筒状工件(3)设置在真空室(1)内。它克服了管筒内等离子体对等离子体扩散特性的依赖和管筒内部空间尺寸的限制，提高了气体的离化率，注入效率大大提高。
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公开(公告)号：CN2577436Y
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN02275571.3
申请日：2002-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01J37/317 , C23C8/36 , C23C14/48
Abstract: 利用高压辉光放电对管筒状工件内表面离子注入的装置，它涉及一种等离子体处理装置，特别是涉及管筒状工件内表面等离子体改性处理的装置。气体源(1)与真空室(4)内相连通，绝缘支架(6)固定在真空室内，管筒状工件(7)安装在绝缘支架上，中心电极(3)的左端设置在管筒状工件的中心处，且中心电极(3)的左端头伸出管筒状工件左端面一段距离，中心电极(3)的右部设置在真空室的侧壁的孔(4－3)内，高压脉冲电源(2)的负极与管筒状工件连接，高压脉冲电源的正极与中心电极(3)连接。它不需外加等离子体，在适当的气压范围和注入电压条件下，只要高压脉冲存在，离子注入就可进行，中心电极与工件的相对转动能实现管筒状工件内表面均匀高效的离子注入效果。
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