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公开(公告)号：CN103819227B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410001380.0
申请日：2014-01-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备方法，涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决目前的石墨材料、C/C复合材料和C/SiC复合材料表面的硅基陶瓷涂层抗氧化性能差的技术问题。本发明的制备方法采用包埋法：一、中间层SiC的制备；二、ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备。本发明制备的陶瓷涂层抗氧化性能强。本发明主要应用于制备硼化锆基陶瓷涂层领域中。
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公开(公告)号：CN104499270A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410809082.4
申请日：2014-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/79 , D06M11/64 , D06M13/144 , D06M101/40
Abstract: 一种纳米二氧化硅表面改性碳纤维的方法，涉及一种表面改性碳纤维的方法。本发明是要解决目前碳纤维的力学和热学性能较差的问题。方法：一、对纳米二氧化硅进行表面卤化，得到产物；二、纳米二氧化硅表面叠氮化处理；三、碳纤维的氧化处理；四、碳纤维表面修饰炔基化处理；五、碳纤维表面接枝纳米二氧化硅。修饰二氧化硅之后，碳纤维表面的浸润性有显著提高，粗糙度明显增加，有利于增强复合材料中基体和界面之间的传递效应，可以有效的缓解应力集中，阻止材料的破坏，进而提高复合材料的力学性能。经过纳米二氧化硅的表面改性，碳纤维的热稳定性得到了显著提高。本发明用于改性碳纤维。
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公开(公告)号：CN104445200A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410653437.5
申请日：2014-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备超长碳化硅纳米线的方法，本发明涉及制备碳化硅纳米线的方法。本发明要解决现有方法制备超长SiC纳米线难度大，并且对原料、设备和过程都有严格的要求，不易操作的技术问题。方法：一、称量；二、球磨；三、预处理活性炭；四、混合含催化剂的碳-硅粉体和步骤三得到的预处理活性炭；五、加热制备纳米线。本发明具有成本低、设备要求低、实验过程简单等特点。本发明用于制备超长碳化硅纳米线。
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公开(公告)号：CN104437154A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410631871.3
申请日：2014-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种分散纳米SiC粉体的方法，涉及一种纳米SiC粉体的分散方法。本发明是要解决现有纳米SiC粉体在水中容易团聚的问题。方法：一、用碱滴定去离子水得到pH为12的溶剂；二、称取SiC粉体和分散剂，将SiC粉体和分散剂先后加入到溶剂中，超声14～16min，得到分散均匀的浆料，即完成纳米SiC粉体的分散。本发明方法的分散效果好、分散均匀、浆料可24h不发生明显沉淀。纳米SiC粉体的团聚尺寸较小，SiC粉体的团聚尺寸小于100nm，Zeta电位约为40mv。本发明应用于纳米材料领域。
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公开(公告)号：CN104191319A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410443022.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B1/00
Abstract: 一种硼化物陶瓷材料表面磨削的方法，它涉及一种硼化物陶瓷材料的磨削方法。本发明目的是要解决传统的硼化物陶瓷材料的磨削方法存在磨削效率低的问题，方法：一、超声清洗，得到清洗后硼化物陶瓷材料；二、表面加热氧化，得到表面氧化后硼化物陶瓷材料；三、将表面氧化后硼化物陶瓷材料在抛光机上进行磨削处理，即实现硼化物陶瓷材料表面磨削。优点：磨削加工速率提高了50％～300％，减少磨料用量20％～60％。本发明主要用于硼化物陶瓷材料表面磨削。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104030692A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410283121.1
申请日：2014-06-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/626
Abstract: 一种原位合成含氧化石墨烯和碳纳米管的超高温陶瓷杂化粉体的方法，它涉及一种原位合成含氧化石墨烯和碳纳米管的超高温陶瓷杂化粉体的方法，本发明是为了解决现有制备含氧化石墨烯和碳纳米管的超高温陶瓷时，氧化石墨烯和碳纳米管存在机械损伤和团聚的问题。本发明方法按以下步骤进行：一、将催化剂充分分散在有机聚合物先驱体中得到混合粉体；二、将步骤一得到的混合粉体放在两侧有气孔的圆柱形模具中，在管式炉中加热裂解，将管式炉加热升温到950℃～1050℃，然后保温0.5h～2h；三、将步骤二得到的加热裂解后的混合粉体，自然降温到20℃～25℃，即得到含氧化石墨烯和碳纳米管的超高温陶瓷杂化粉体。本发明适用于结构陶瓷技术领域，尤其适用于石墨烯和碳纳米管改性超高温陶瓷技术领域。
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公开(公告)号：CN103819227A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410001380.0
申请日：2014-01-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备方法，涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决目前的石墨材料、C/C复合材料和C/SiC复合材料表面的硅基陶瓷涂层抗氧化性能差的技术问题。本发明的制备方法采用包埋法：一、中间层SiC的制备；二、ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备。本发明制备的陶瓷涂层抗氧化性能强。本发明主要应用于制备硼化锆基陶瓷涂层领域中。
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公开(公告)号：CN103757603A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410005289.6
申请日：2014-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二硼化锆涂层的制备方法，它涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决现有化学气相沉积法制备ZrB2过程中，采用先将ZrCl4加热到升华温度以上，然后再经过流量计通入反应室的方法需要对气路进行保温处理，而且对气体流量计要求很高的问题。制备方法：使用双温区加热方式，以ZrCl4、BCl3和H2作为源气体、Ar气或N2作为载气和保护性气体，采用化学气相沉积法制备二硼化锆涂层。采用本发明的方法不需要对气路进行专门保温处理，ZrCl4流量的控制可以通过控制温度的方法来实现。本发明可用于制备二硼化锆涂层。
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公开(公告)号：CN102618930A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210093222.3
申请日：2012-03-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种AlN晶体的制备方法，它涉及一种晶体的制备方法。本发明要解决现有采用PVT法制备AlN单晶的方法中，异质籽晶与AlN晶体的晶格失配较大，得到AlN晶体缺陷密度高的问题。方法：一、将AlN粉末置于坩埚中、将籽晶固定在坩埚顶部，在氮气气氛下，升温至1800～2000℃，保温1～5小时；二、将预烧结后的AlN粉末在氮气气氛中加热升温至2150～2300℃，保温反应8～20小时，降至室温。零微管SiC作为异质籽晶，可以降低AlN晶体的缺陷密度，同时由于偏角度SiC籽晶偏离面一定角度，缺陷遗传的几率也将显著降低，从而最终减少缺陷对器件性能的不利影响。本发明的AlN晶体用于半导体器件。
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公开(公告)号：CN102584241A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210044115.1
申请日：2012-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 一种硼化锆基复相陶瓷材料热电偶及其制备方法，它涉及一种陶瓷材料热电偶及其制备方法。本发明要解决现有热电偶在高温氧化环境和其他恶劣环境中难以应用的问题。本发明的硼化锆基复相陶瓷材料热电偶是由正极和负极组成，本发明的制备方法为：一、称取ZrB2、SiC和添加剂，通过热压烧结制备正极；二、称取ZrB2、SiC和添加剂，通过热压烧结制备负极；三、将正极和负极组装成热电偶。本发明的的电偶具有高的灵敏度，其灵敏度在1～100μV/℃范围内，可以在500～2000℃的温度进行测量，同时减少了稀有资源的使用，也降低了成本。本发明应用于高温测量的领域。
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