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公开(公告)号:CN101383446A
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200810071967.3
申请日:2008-10-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 三频光子带隙介电常数渐变陶瓷阿基米德螺旋天线,涉及一种阿基米德螺旋天线,尤其是涉及一种三频光子带隙介电常数渐变陶瓷阿基米德螺旋天线。提供一种尺寸小、带宽大、回波损耗低、能够三频段工作,且具有全向辐射特性的三频光子带隙介电常数渐变陶瓷阿基米德螺旋天线。设有双面镀银陶瓷基板,陶瓷基板由至少1层介电常数渐变的陶瓷材料层构成,陶瓷基板的一面镀银层为阿基米德螺旋片结构,陶瓷基板的另一面镀银层为光子带隙结构。
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公开(公告)号:CN100436368C
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200710008980.X
申请日:2007-05-18
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/632 , C04B35/64 , H01B3/12
Abstract: 低温烧结Ba5(Nb,Sb)4O15系的微波介质陶瓷及其制备方法,涉及一种微波介质陶瓷。提供一种低温烧结Ba5(Nb,Sb)4O15系的微波介质陶瓷及其制备方法。其结构表达式为Ba5(Nb1-xSbx)4O15+awt%H3BO3,其中0≤x≤0.3,0<a≤4。将配制的原料混合球磨后的浆料烘干,预烧后的粉料加入a=1~4wt%H3BO3,再球磨,烘干后采用PVA对其造粒,干压成型,常压烧结,保温,冷却。可得在约900℃烧结,εr=24~39,Qf=7000~35630GHz,τf=4.5~62的微波介质陶瓷材料。可采用高电导率、低成本金属Ag作为多层微波器件的内电极。
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公开(公告)号:CN101304117A
公开(公告)日:2008-11-12
申请号:CN200810071311.1
申请日:2008-06-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q13/08 , H01Q21/00 , H01Q5/00 , G06K19/077
Abstract: 用于射频识别系统的分形双频带陶瓷天线,涉及一种微带天线。提供一种尺寸小、能够双频段工作、带宽大、回波损耗较低且具有全向辐射特性的用于射频识别系统的分形双频带陶瓷天线。设有陶瓷基板,陶瓷基板的两面均设镀银层,陶瓷基板的一面镀银层为分形天线辐射贴片,陶瓷基板的另一面镀银层为全镀银层,全镀银层为天线接地层;分形天线辐射贴片设有矩形的主片和支片,支片设有至少2级支片;第1级支片设有4片支片,后1级支片的数量依次是前1级支片数量的3倍;后1级支片的每1片支片的1个角与前1级支片的1片支片的1个角连接,每1级支片的每1片支片的另3个角分别与后1级支片的1片支片的1个角连接,主片上设有天线馈电点。
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公开(公告)号:CN101299480A
公开(公告)日:2008-11-05
申请号:CN200810071209.1
申请日:2008-06-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: 微波陶瓷元器件半成品自动微调装置及其微调方法,涉及一种微波陶瓷元器件谐振频率的调整。提供一种可实现调节过程自动化、元器件参数的实时检测和存储、可明显提高产品合格率的微波陶瓷元器件半成品自动微调装置及其微调方法。微调装置设谐振腔、样品传送装置、挡板、电机驱动与控制电路、矢量网络分析仪和激光机。将光束聚在半成品上,送至上下平行板之间;将半成品参数采集到计算机,与设定的调节参数对比,查看是否符合成品要求;若不符合,启动激光机,对半成品刻蚀,由计算机通过分析仪实时获取半成品的微调参数与设定加工参数比较,一致时停止刻蚀;存储半成品加工后的参数,控制电机进行传送下一个半成品;直至半成品加工完毕。
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公开(公告)号:CN101289321A
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:CN200810071149.3
申请日:2008-05-29
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/632
Abstract: 用于片式天线的微波陶瓷基板的制备方法,涉及一种微波陶瓷基板。提供一种具有简易可行、生产成本较低、环保无毒等优点的用于片式天线的微波陶瓷基板的制备方法。将微波陶瓷粉、分散剂和水一起球磨,得浆料,将浆料在水浴中加热;将卡拉胶溶解在水中,加热搅拌,使卡拉胶完全溶解后将其加入到已制好的浆料中,得卡拉胶混合浆料,按质量百分比,卡拉胶的用量为水总质量的1%~3%;当卡拉胶混合浆料温度达到75~85℃时,除气;除气后,将卡拉胶混合浆料浇注到模具中,随后浆料冷却固化,脱模;脱模后即得到陶瓷坯体,烘干;烘干后的陶瓷坯体可根据微波陶瓷基板的尺寸要求加工;将加工好的陶瓷坯体烧结成瓷,即得用于片式天线的微波陶瓷基板。
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公开(公告)号:CN101251507A
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200810070746.4
申请日:2008-03-14
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/327
Abstract: 一种具有微触角形貌的聚吡咯电极的制备方法,涉及一种导电高分子电极。提供一种具有微触角形貌的聚吡咯电极及其制备方法。为三层结构,在塑料板层上表面为镀金层,在镀金层上表面为具有微触角形貌的聚吡咯沉积层,在塑料板层、镀金层和具有微触角形貌的聚吡咯沉积层的一侧设有电极引出端。将吡咯蒸馏,取128~131℃的馏分,冷藏;将高氯酸锂或对甲苯磺酸钠溶于水中得溶液A;在溶液A中加入吡咯,通氮气,得溶液B;将塑料板打磨后清洗,干燥,喷金,得镀金塑料板电极;在三电极电解池中,将镀金塑料板电极作为工作电极,铂片作为对电极,饱和甘汞电极作为参比电极,溶液B作为支持电解液,在冰水浴中恒电位聚合,干燥,即得聚吡咯电极。
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公开(公告)号:CN101209921A
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN200710144093.5
申请日:2007-12-21
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/505 , C04B35/622
Abstract: 单相Y掺杂铁酸铋磁电陶瓷的制备方法,涉及一种磁电陶瓷。提供一种可有效抑制杂相的生成,提高样品的绝缘性能,生产工艺简单,重现性好,成本低廉的单相Y掺杂铁酸铋磁电陶瓷的制备方法。单相Y掺杂铁酸铋磁电陶瓷的化学分子式为:Bi1-xYxFeO3,其中:0≤x≤0.1。将原料氧化铋、氧化钇和氧化铁,按配方通式Bi1-xYxFeO3(0≤x≤0.1)配成混合料,球磨后所得的浆料烘干,预烧;预烧后的粉料再次球磨,烘干后加入聚乙烯醇造粒,过筛后干压成型,烧结后保温。
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公开(公告)号:CN101190845A
公开(公告)日:2008-06-04
申请号:CN200710144094.X
申请日:2007-12-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/624
Abstract: 一种锆钛酸铅陶瓷纤维的制备方法,涉及一种陶瓷纤维。提供一种所得纤维具有单一的钙钛矿相,致密度较高,直径小于30μm,长度约为1cm,能作为1-3型压电复合材料用陶瓷纤维的锆钛酸铅陶瓷纤维的制备方法。制备锆钛酸铅前驱体溶液:三水醋酸铅加到正丁醇中,再加络合剂冰乙酸,加热溶解,冷却得溶液A;依次把丁醇锆和丁醇钛倒入正丁醇中,得锆和钛的二元混合溶液,往二元混合溶液中加入乙酰丙酮,回流后冷却得溶液B;将溶液A和B混合,回流后得锆钛酸铅前驱体溶液;制备锆钛酸铅前驱体溶胶:将锆钛酸铅前驱体溶液蒸发浓缩,搅拌,挑丝,浓缩得锆钛酸铅前驱体溶胶;拉丝得锆钛酸铅凝胶纤维;把锆钛酸铅凝胶纤维老化后烘干,热处理。
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公开(公告)号:CN1199909C
公开(公告)日:2005-05-04
申请号:CN02128454.7
申请日:2002-08-01
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种以氧化物为基础的以成份为特征的微波陶瓷化合物,尤其是锶铋钕钛氧化物微波陶瓷及其凝胶注模制造方法。Sr(Bi1-xNdx)8Ti7O27微波陶瓷(X=0.05~0.8)的组份为:碳酸锶、三氧化二铋、三氧化二钕和二氧化钛以及微量添加物:二氧化硅、碳酸锰和三氧化二铝。以Sr(Bi0.7Nd0.3)8Ti7O27微波陶瓷粉体为原料,采用凝胶注模制备的多种形状陶瓷坯体,其坯体抗弯强度达400MPa,满足一般机械加工要求。坯体经1250~1350℃烧结成陶瓷,其主要微波性能为:ε=80~110、τ=350~2000ppm/℃和Q*f=120~2100GHz(在f=10GHz时)。
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公开(公告)号:CN1566022A
公开(公告)日:2005-01-19
申请号:CN03149458.7
申请日:2003-06-27
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C01B13/14 , C01G33/00
Abstract: 涉及一种以氧化物为基础的以成分为特征的化合物及其采用水热合成法制备钡锌铌氧化物粉体的方法。钡锌铌氧化物粉体的含量为:化学纯的氢氧化钡溶液∶醋酸锌∶粉末状的五氧化二铌=3.0∶(1.0~1.1)∶1.0。先将原料置于高压反应釜中,边搅拌边升温,进行水热反应,把反应产物进行洗涤、抽滤、干燥,获得氧化物粉体。精选了钡锌铌氧化物的化工原料和采用水热合成制备方法的工艺步骤,各种组份反应充分均匀。通过透射电子显微分析,所得粉体颗粒大小为40-200nm,而通常由固相反应合成法所得的颗粒大小一般为500-3000nm;所得晶粒大小均匀。陶瓷烧结容易,提高微波陶瓷及其元件的性能。
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