公开(公告)号：CN102076626A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200980125544.8

申请日：2009-06-25

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  宇部兴产株式会社 ,  宇部日东化成株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  绵贯耕平 ,  铃木宏和

IPC: C03C17/30 ,  H01J5/08

CPC classification number: H01J5/08 ,  C03C17/23 ,  C03C17/25 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3678 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/11 ,  G02F1/1333 ,  G02F2001/133337 ,  H01J2211/34 ,  H01J2329/88 ,  H01L31/0392 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种电子装置，包括含有钠的玻璃基体(10)和在玻璃基体(10)上设置的由平坦化涂膜形成的钠扩散防止膜(11)。在钠扩散防止层(11)上形成有电子元件(12)。

公开(公告)号：CN101425503B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810173026.0

申请日：2008-10-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 根本刚直 ,  寺本章伸 ,  大见忠弘

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/345 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，可以抑制对层间绝缘膜的损伤，且通过溅射形成以钽为主要成分的阻挡膜。该制造方法具备在层间绝缘膜(113)上通过使用氙气的溅射，形成以钽或氮化钽为主要成分的阻挡膜(116)的溅射成膜工序。溅射成膜工序也可以具备：在层间绝缘膜(113)上，通过对基板施加RF偏压而进行的使用氙气的溅射来形成以氮化钽为主要成分的阻挡膜(116A)的工序；通过不施加RF偏压而进行的使用氙气的溅射，在阻挡膜(116A)上形成以钽为主要成分的阻挡膜(116B)的工序。阻挡膜(116)也可以通过使RF偏压连续地变化，在层间绝缘膜(113)一侧施加RF偏压来形成，在布线层(117)一侧不施加RF偏压来形成。

公开(公告)号：CN102016107A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200880128669.1

申请日：2008-04-11

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东芝三菱电机产业系统株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  北野真史 ,  山荫久明 ,  山田义人

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/12

CPC classification number: C23C14/243 ,  C23C14/12 ,  C23C14/228

Abstract: 一种均热装置，包括：容器构造体，该容器构造体具有在内部填充有工作流体、且对被加热材料加热以使被加热材料汽化的加热块(1)；加热单元(6)，该加热单元(6)配置在容器构造体的底部；以及材料供应管(11)，该材料供应管(11)将容器构造体的外侧与内侧连通。在加热块(1)上形成有作为供被加热材料流动的流路的、与材料供应管(11)相连接并朝水平方向延伸的总集气管(12)以及从总集气管(12)分岔并向上下方向延伸的竖管(14)，此外，还形成有作为对工作流体进行冷却冷凝的冷凝路的、形成于竖管(14)两侧并朝水平方向延伸的冷凝孔(10)以及形成于竖管(14)下侧的冷凝槽(16)。在冷凝孔(10)与冷凝槽(16)之间配置有总集气管(12)。

公开(公告)号：CN101981631A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111514.1

申请日：2009-03-26

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  住友大阪水泥股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  石塚雅之 ,  日高宣浩 ,  白方恭

IPC: H01B3/00 ,  C08K9/04 ,  H05K1/03

CPC classification number: H05K1/0373 ,  B22F1/02 ,  B22F2998/00 ,  C22C2202/02 ,  H01F1/24 ,  H01F1/26 ,  H01F1/37 ,  H05K1/0233 ,  H05K1/024 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/0245 ,  H05K2201/086 ,  Y10T428/24 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/256 ,  Y10T428/257 ,  Y10T428/258 ,  B22F3/16

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种可有效用于搭载于电子设备的电子部件或电路基板的小型化的呈现出低磁性损失(tanδ)的复合材料及其制造方法。本发明的复合材料含有绝缘材料和分散在该绝缘材料内的微粒，所述微粒预先用实质上与所述绝缘材料相同成分的绝缘材料包覆。所述微粒由有机物或无机物构成，形状优选为扁平形状。作为绝缘材料，适合使用电子部件领域通常使用的绝缘材料。作为本发明的复合材料的优选制造方法，有将微粒预先用绝缘材料包覆并使其分散于实质上与所述绝缘材料相同成分的绝缘材料中的方法。本发明的复合材料应用于电路基板及/或电子部件的材料，由此可以实现数百MHz～1GHz频带的信息通信设备进一步小型化、低功耗化。

公开(公告)号：CN101970713A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980107381.0

申请日：2009-03-02

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3455 ,  H01J37/3497

Abstract: 本发明提供一种旋转磁铁溅射装置。该旋转磁铁溅射装置具备等离子体遮蔽构件和被接地了的外壁，在等离子体遮蔽构件与外壁之间，具有串联谐振电路及并联谐振电路。串联谐振电路仅在谐振频率下具有非常低的阻抗，并联谐振电路仅在谐振频率下具有非常高的阻抗。通过制成此种结构，基板RF电力与等离子体遮蔽构件之间的阻抗就变得非常高，可以抑制在被处理基板(10)与等离子体遮蔽构件之间的等离子体的产生。另外，由于靶子与地之间设有串联谐振电路，因此仅在被处理基板穿过靶子下方的区域有效地供给RF电力，产生自偏压。

公开(公告)号：CN101162688B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200710192987.1

申请日：2007-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘 ,  北村昌幸 ,  村田等

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种利用不需要远距离腔室和专用微波源等的简单结构就能够清洁处理室内的淀积物的技术。本发明的等离子体处理装置，利用在波导管中传播的、并向在处理室内面上配置的电介质传播的微波，使提供到处理室内的规定气体等离子体化，从而对在处理室内配置的被处理体实施等离子体处理，其中在波导管内，形成至少一部分由通过电介质材料构成的分隔壁包围的空间部，设置通过此空间部，向处理室中提供清洁气体的清洁气体流路。

公开(公告)号：CN101796615A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880106109.6

申请日：2008-08-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 石桥清隆 ,  大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  桶作正广

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  Y10T83/0481

Abstract: 公开的顶板设置在内部能够抽成真空的等离子体处理装置的处理容器的顶部的开口部处并被一体化，所述顶板包括：多个气体通路，沿顶板的平面方向形成；以及气体喷出孔，与多个气体通路连通并在顶板的面对处理容器内部的第一面上开口。

公开(公告)号：CN101194345B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680020281.0

申请日：2006-06-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185

Abstract: 本发明的等离子体氮化处理方法，由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内，形成含氮气体的微波激发高密度等离子体，在等离子体处理装置的处理容器内，使该高密度等离子体作用于被处理体表面的硅，在500℃以上的处理温度下进行氮化处理。

公开(公告)号：CN100595896C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200680018680.3

申请日：2006-06-16

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明的半导体装置包括：设置在SOI基板上的半导体层(SOI层)、和设置在所述SOI层上的栅电极，按照所述栅电极与所述SOI层之间的功函数差所引起的耗尽层的厚度大于所述SOI层的膜厚的方式设定所述SOI层的膜厚，并且至少包括一种常关闭的MOS晶体管。

公开(公告)号：CN101661871A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910129116.4

申请日：2009-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 小林聪树 ,  杉山正树 ,  加藤充男 ,  广江昭彦 ,  大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H01L21/00 ,  H05H1/24 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其反馈控制方法、高频电力供给方法。微波等离子体处理装置(10)包括：处理容器(100)；在处理容器内设置的、载置基板(G)的基座(105)；在设置在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P1～P3)处与基座接触的3根供电棒(B1～B3)；和与3根供电棒(B1～B3)连接，且经3根供电棒(B1～B3)从3个以上的位置(P1～P3)向基座(105)供给高频电力的高频电源(130)。在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P)处3根供电棒(B1～B3)与基座(105)接触。高频电源(130)与3根供电棒(B1～B3)连接，将从高频电源(130)输出的高频电力经3根供电棒(B)从3个位置(P1～P3)供给到基座(105)。