-
公开(公告)号：CN114598158A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210225218.1
申请日：2022-03-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有前沿自适应调节的PWM驱动电路，包括驱动电路，功率级和PWM信号发生器，变压器驱动LLC桥式拓扑的大功率晶体管，结构在保证PWM信号后沿位置不变的情况下，通过对驱动电路关键节点电压信号进行采样，并采用延时补偿电路消除环路延时带来的误差来自适应调节PWM信号有效前沿位置，从而实现了死区时间自适应可调的定频PWM控制。
-
公开(公告)号：CN113782609A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111055507.3
申请日：2021-09-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明是一种衬底电荷耦合的1200V体硅LDMOS及其制备方法，在P型衬底上设有N型SN埋层，在N型SN埋层上方且靠近漏极侧设有N型DN埋层，在N型SN埋层上方且靠近源极侧设有5个P型BP埋层。P型BP埋层和N型DN埋层上方设有P型P‑well体区、N型漂移区和N型N‑well缓冲层。漂移区上方设有场氧化层、多晶硅栅、二氧化硅氧化层和金属场板，其中金属场板横跨于场氧化层上方，多晶硅栅自源极N型重掺杂区上方经过P型P‑well体区，延伸至场氧化层上方。源极N型重掺杂区和源极P型重掺杂区通过源极金属和源极相连，漏极N型重掺杂区通过漏极金属和漏极相连。本发明结构在低衬底电阻率的衬底材料下即可实现1200V的耐压需求。
-
公开(公告)号：CN113777462A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111003610.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种适用于功率器件的二次击穿限测试方法及装置，主要包括：在搭建的测试系统中，开启功率开关器件，齐纳二极管发生雪崩击穿，产生稳定电压B，使待测功率器件导通，关闭功率开关器件，待测功率器件关闭，即可观测到待测功率器件的源漏电压和漏极电流，此后，通过调节直流电压源的电压和变阻器，多次重复本操作，观察器件的工作电压和电流变化情况，调节直流电压源的电压和变阻器保证器件工作在所需要的条件下。本发明通过对直流电源电压和变阻器的调节，使得器件工作在稳定的源漏电压和漏极电流的条件下，在此过程中，通过观测器件导通过程中的源漏电压和漏极电流的变化情况，从而为器件的进一步的改进提供帮助。
-
公开(公告)号：CN109192787B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201810801921.6
申请日：2018-07-19
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种具有两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管及其制造方式，包括：阴极金属，在阴极金属的上方有N型本征区，在N型本征区的上方有阳极金属，在阴极金属上设有相互间隔分布的轻掺杂N型区域和重掺杂N型区域，轻掺杂N型区域的底部与阴极金属为肖特基接触，在N型本征区与阳极金属之间设有相互间隔分布的重掺杂P型区域和轻掺杂P型区域，并且，重掺杂P型区域的上表面低于轻掺杂P型区域的上表面，形成凹槽型阳极区域，轻掺杂P型区域与阳极金属为肖特基接触。所述两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管的制造方法，其特征在于，通过一步刻蚀可以同时形成阳极表面和侧壁的肖特基接触。
-
公开(公告)号：CN107204755B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201710432878.6
申请日：2017-06-09
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H03K3/0231 , H03K3/012 , H03K3/011
Abstract: 一种高精度的自适应张弛振荡器，利用电容预充电原理抵消设于振荡电路中的充放电控制电路产生的延时，包括振荡电路、第一电容预充电电路和第二电容预充电电路，电容预充电电路用于给振荡器充放电电容预充电，振荡电路在电容预充电电路预充电电平的基础上进行充放电，电容两次充电产生的误差延时抵消，使振荡器工作在预设的频率上，实现显著提高频率‑控制电流线性度，且本发明不是直接通过提升比较器或者RS触发器的速度来减小延时，而是通过两次充电过程抵消控制电路产生的延时以及随外界环境变化的失调的影响，显著地提高了振荡器的精度，并且具有很强的温度稳定性和电源电压抑制即自适应性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110222760A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910480120.9
申请日：2019-06-04
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G06K9/62
Abstract: 本发明公开一种基于winograd算法的快速图像处理方法，包括如下步骤：步骤1，选取数据集，利用Caffe框架训练自定义的神经网络模型，提取训练后的模型的卷积核权重、偏置值；步骤2，提取输入图片像素点，并存放在四维数组中，四个维度分别是输入图片数目、通道数、图片的长和宽；步骤3，构造基于winograd算法的卷积算子，判断卷积核尺寸是否为3×3且通道数是否大于10，如果满足，则使用winograd算子进行卷积操作；步骤4，输出卷积操作后得到的结果，并判断本层是否为最后一层卷积层，如果是，将输出图片经过RELU层的非线性变换后送入全连接层，否则重复步骤3。此种图像处理方法可提高处理器运行神经网络时的计算能效。
-
公开(公告)号：CN109192787A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810801921.6
申请日：2018-07-19
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种具有两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管及其制造方式，包括：阴极金属，在阴极金属的上方有N型本征区，在N型本征区的上方有阳极金属，在阴极金属上设有相互间隔分布的轻掺杂N型区域和重掺杂N型区域，轻掺杂N型区域的底部与阴极金属为肖特基接触，在N型本征区与阳极金属之间设有相互间隔分布的重掺杂P型区域和轻掺杂P型区域，并且，重掺杂P型区域的上表面低于轻掺杂P型区域的上表面，形成凹槽型阳极区域，轻掺杂P型区域与阳极金属为肖特基接触。所述两极肖特基控制的凹槽型阳极快恢复二极管的制造方法，其特征在于，通过一步刻蚀可以同时形成阳极表面和侧壁的肖特基接触。
-
公开(公告)号：CN105677584B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201511018082.3
申请日：2015-12-29
Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G06F12/0862 , G06F12/0893
Abstract: 本发明公开了一种基于统计推演的期望堆栈距离快速提取方法，在借助Gem5获取目标程序访存Trace流的基础上，依照执行顺序对每次访存请求进行标号。并利用红黑树索引结构记录访存地址及标号；当重用产生时，通过将当前请求执行标号同红黑树中记录的前次访存标号相减，获取重用距离；本发明通过采样的方法，找出重用距离与基于Cache组关联的重用距离之间的转换关系，推导了重用距离分布与期望堆栈距离分布之间的转换关系。由于重用距离提取时间成本较低，且基于Cache组关联结构的期望堆栈距离分布可从上述的两次转换过程中获得。所以，本发明大幅提升了利用堆栈距离评估LRU‑Cache访存行为的速度。
-
公开(公告)号：CN108549385A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810492962.1
申请日：2018-05-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G05D1/02
Abstract: 本发明公开了一种结合A*算法和VFH避障算法的机器人动态路径规划方法，将机器人所处的环境表示成栅格地图，并用A*算法在栅格地图中搜索出一条全局初始路径；机器人沿初始路径向目标点运动，判断是否遇到障碍物，遇到则采用VFH算法进行避障，否则继续向目标点运动；在避障时，首先沿初始路径中设置阶段目标点，生成当前位置到阶段目标点之间的避障路径并前进一步，更新当前位置，判断机器人当前位置和阶段目标点之间是否有遮挡，有则重新计算避障路径，无则将机器人沿避障路径向阶段目标点前进一步，循环直至机器人抵达阶段目标点并回到初始路径上继续向终点运动。两种算法的结合提高了机器人路径规划的效率，保证了机器人在室内动态环境下的自主导航能力。
-
公开(公告)号：CN107390767B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201710650676.9
申请日：2017-08-02
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: G05F3/26
Abstract: 一种具有温度补偿的宽温度全MOS电压基准源，设有启动电路、基准核心电路、由温度检测电路、温度逻辑开启电路和高低温温度补偿电路构成的温度补偿电路。启动电路向基准核心电路注入电流使其正常工作，基准核心电路基于阈值电压和热电压的一阶温度补偿原理，采用CMOS型自偏置电流产生电路产生电流并经过有源负载产生基准电压VREF，温度检测电路提取MOS器件的阈值电压进行温度检测，经温度补偿逻辑开启电路进行逻辑处理后输出给高低温温度补偿电路，高低温温度补偿电路针对对不同的工作温度范围进行补偿并将补偿结果反馈耦合到基准核心电路输出的基准电压中，实现宽温度工作条件下低温度系数和高电源抑制比的全MOS电压基准源。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
112
records
(took 0.042 seconds)
