公开(公告)号：CN113777462B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202111003610.3

申请日：2021-08-30

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 刘斯扬 ,  尹储 ,  李春晓 ,  蒋彦博 ,  童鑫 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种适用于功率器件的二次击穿限测试方法及装置，主要包括：在搭建的测试系统中，开启功率开关器件，齐纳二极管发生雪崩击穿，产生稳定电压B，使待测功率器件导通，关闭功率开关器件，待测功率器件关闭，即可观测到待测功率器件的源漏电压和漏极电流，此后，通过调节直流电压源的电压和变阻器，多次重复本操作，观察器件的工作电压和电流变化情况，调节直流电压源的电压和变阻器保证器件工作在所需要的条件下。本发明通过对直流电源电压和变阻器的调节，使得器件工作在稳定的源漏电压和漏极电流的条件下，在此过程中，通过观测器件导通过程中的源漏电压和漏极电流的变化情况，从而为器件的进一步的改进提供帮助。

公开(公告)号：CN113777462A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111003610.3

申请日：2021-08-30

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 刘斯扬 ,  尹储 ,  李春晓 ,  蒋彦博 ,  童鑫 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种适用于功率器件的二次击穿限测试方法及装置，主要包括：在搭建的测试系统中，开启功率开关器件，齐纳二极管发生雪崩击穿，产生稳定电压B，使待测功率器件导通，关闭功率开关器件，待测功率器件关闭，即可观测到待测功率器件的源漏电压和漏极电流，此后，通过调节直流电压源的电压和变阻器，多次重复本操作，观察器件的工作电压和电流变化情况，调节直流电压源的电压和变阻器保证器件工作在所需要的条件下。本发明通过对直流电源电压和变阻器的调节，使得器件工作在稳定的源漏电压和漏极电流的条件下，在此过程中，通过观测器件导通过程中的源漏电压和漏极电流的变化情况，从而为器件的进一步的改进提供帮助。

公开(公告)号：CN113380895A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110720060.0

申请日：2021-06-28

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  童鑫 ,  李春晓 ,  尹储 ,  蒋彦博 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H03K17/081 ,  H03K17/687

Abstract: 一种功率MOSFET器件安全工作区的双栅拓宽方法及电路，包括在功率MOSFET器件上增设第一、第二栅总线，将功率MOSFET的一部分元胞的栅极连接于第一栅总线，将功率MOSFET的另一部分元胞的栅极连接于第二栅总线，功率MOSFET的漏极和源极分别连接所有元胞结构的漏和源。外部输入信号控制第二栅总线连接的元胞的开启与关闭，由微控制器比较MOSFET的漏极和源极电压，控制连接于第一栅总线的元胞的开启与关闭：当输入信号为高电平且当MOSFET的漏源电压高于预定电压时，开启第二栅总线连接的元胞并关闭第一栅总线连接的元胞；当输入信号为高电平且当MOSFET的漏源电压小于预设电压时，开启全部元胞。