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公开(公告)号：CN113191036A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110298384.X
申请日：2021-03-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/33 , G06F111/04 , G06F111/06
Abstract: 本发明公开了一种共面波导等效电路结构及其参数提取方法，共面波导等效电路结构包括：第一等效电容(Cf1)、第二等效电容(Cf2)、第一等效电阻(Rsi1)、第二等效电阻(Rsi2)、第一等效电感(Lsi1)、第二等效电感(Lsi2)、第三等效电容(Cox1)、第四等效电容(Cox2)、第三等效电阻(Rs)、第三等效电感(Ls)、第四等效电阻(Rsk)以及第四等效电感(Lsk)。本发明建立用于毫米波波段带地屏蔽层共面波导等效电路结构，不仅保证了结果的准确性，同时包含的电路元件较少，有助于对用于毫米波波段带地屏蔽层共面波导进行深入分析。
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公开(公告)号：CN112926259A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110167067.4
申请日：2021-02-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/04 , G06N3/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于RBF神经网络模型预测半导体器件结温的方法，包括：确定半导体器件的环境温度和功耗；将所确定的环境温度和功耗输入至预先训练完成的RBF神经网络模型，以使该RBF神经网络模型输出所述半导体器件的结温；其中，所述RBF神经网络模型是基于预先构建的数据集所训练获得的；所述数据集包括：通过有限元分析法所获得的、在多种仿真条件下器件模型的结温；所述器件模型为所述半导体器件的仿真模型，每种所述仿真条件对应一种预设的环境温度和一种预设的功耗。本发明能够简单、高效、快速以及精确地预测半导体器件结温。
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公开(公告)号：CN107863939B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201711100448.0
申请日：2017-11-09
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种低功耗反馈型功率放大电路，包括输入匹配网络、功率单元、偏置网络、反馈网络、限流旁路单元、输出匹配网络以及射频扼流圈，其中，输入匹配网络电连接至功率单元的基极，功率单元的集电极分别电连接至输出匹配网络和射频扼流圈；功率单元的集电极还电连接至反馈网络的第一输入端；反馈网络的输出端分别电连接至功率单元的基极和限流旁路单元；偏置网络电连接至反馈网络的第二输入端。本实施例通过设置反馈网络和限流旁路单元，限制了功率单元的电流，降低直流功耗，并对功率单元进行温度补偿和偏置抑制，提高了电路线性度。
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公开(公告)号：CN108538926A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810319831.3
申请日：2018-04-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/94 , H01L21/8234
Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底上的InGaAs基MOS电容器及制作方法，主要为了解决传统Ⅲ-V材料的器件只能应用于硬质平面环境，无法应用于柔性环境的问题。其自下而上包括衬底(1)、阴极金属电极(2)、半导体功能薄膜层(3)、氧化层(4)和阳极金属电极(5)，其中衬底采用柔性衬底；半导体薄膜层采用由InGaAs、GaAs和InGaAs三层薄膜层构成力学平衡结构功能层。本发明在具有工作频率高的同时，具有良好的延展和弯曲性，可用于包括柔性显示器、柔性电子标签、人工肌肉及生物信号传感器。
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公开(公告)号：CN104679964B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510125644.8
申请日：2015-03-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于MATLAB编程的HBT电路芯片温度分析方法，主要解决传统有限元分析方法分析的电路规模小、手工输入功耗繁琐的问题。其主要步骤为：1.获取HBT器件几何尺寸，材料热导率；2.对器件建模，并对单个器件作有限元温度分析；3.把单各器件的温度分布进行函数拟合；4.用电路软件仿真，获取各器件功耗，将其标注在版图上；5.导出GDSII格式版图文件，再转换为DXF格式；6.用MATLAB编程，提取版图上器件的坐标和功耗，计算各器件的工作温度，作出温度分布图。本发明能在集成电路物理设计的时间使用，可用于预测电路工作时HBT器件的稳态温度和版图上的热点位置，提高电路工作稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108010844A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711138236.1
申请日：2017-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种HEMT器件及其制备方法，包括：S101、选取衬底材料；S102、在所述衬底材料表面依次生长第一缓冲层和第二缓冲层；S103、在所述第二缓冲层表面制备沟槽区；S104、在所述沟槽区中依次生长下势垒层、沟道层、隔离层、掺杂层、上势垒层、空穴阻挡层以及帽层；S105、制备栅极、源极和漏极以完成HEMT器件的制备。本发明提供的HEMT器件及其制备方法解决了缓冲层材料易氧化造成器件性能下降的问题；可以将第二缓冲层作为台面刻蚀终止层，在保证器件隔离的效果的同时不会增大栅电流的泄漏，进一步提高了HEMT器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN107332514A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710521403.4
申请日：2017-06-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03B5/12
CPC classification number: H03B5/1237
Abstract: 本发明提供了一种无变容管的推推式压控振荡器，属于电路设计技术领域，包括：谐振腔模块，由一对耦合传输线组成，用于产生所需的振荡信号；能量补偿模块，由一对晶体管组成，用于补偿谐振腔工作时的能量损失；信号耦合网络，由两个电容组成，用于差分信号的耦合；供电模块，用于给谐振腔模块和能量补偿模块供电；耦合传输线的输入端与供电模块的正极连接，耦合传输线的输出端与晶体管的集电极或基极连接，电容互相并联并与晶体管的基极连接，晶体管的发射极与供电模块的正极连接。该振荡器不仅可以实现推推式压控振荡器的功能，而且消除了变容管对其性能的不利影响，还可以在工艺厂商未提供变容管的情况下实现推推式压控振荡器的设计。
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公开(公告)号：CN106330097A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610694905.2
申请日：2016-08-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03B5/32
CPC classification number: H03B5/32
Abstract: 本发明公开一种基于耦合传输线的InP HBT压控振荡器，包括偏置单元、振荡单元、稳流电阻R1。在振荡单元中引入两条耦合传输线作为压控振荡器的谐振元件，同时实现压控振荡和变压调谐。本发明提出的压控振荡器以耦合传输线取代了直流阻塞电容，解决了交叉耦合结构压控振荡器中由于直流阻塞电容的寄生效应所引起频率退化的问题，提高了振荡频率。本发明在不使用变容管的情况下就能够实现压控振荡调频，且可以得到较宽的调频范围，本发明无变容管的应用，克服了现有技术中因为变容管工艺限制造成的调频范围窄，和版图面积增大的问题。
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公开(公告)号：CN105808855A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610133612.7
申请日：2016-03-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F2217/80
Abstract: 本发明公开了一种基于二极管补偿的InP异质结双极晶体管电路。其包括功率单元模块(1)和电流补偿模块(2)。电流补偿模块连接在功率单元模块的输入端，用于控制功率单元模块的输入电流；功率单元模块由磷化铟第一异质结双极晶体管Q1组成，电流补偿模块由磷化铟第二异质结双极晶体管Q2和电阻R组成。Q2的集电极与基极短接在一起，作为二极管与Q1的基极相连接，电阻R作为控制开关，连接在Q2的发射极与地之间。本发明根据负反馈补偿原理，以牺牲很少的芯片面积为代价补偿了InP异质结双极晶体管的自热效应，稳定了直流工作点，改善了晶体管输出的线性度，可用于指导射频和微波电路的直流偏置设计。
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公开(公告)号：CN104679964A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510125644.8
申请日：2015-03-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于MATLAB编程的HBT电路芯片温度分析方法，主要解决传统有限元分析方法分析的电路规模小、手工输入功耗繁琐的问题。其主要步骤为：1.获取HBT器件几何尺寸，材料热导率；2.对器件建模，并对单个器件作有限元温度分析；3.把单各器件的温度分布进行函数拟合；4.用电路软件仿真，获取各器件功耗，将其标注在版图上；5.导出GDSII格式版图文件，再转换为DXF格式；6.用MATLAB编程，提取版图上器件的坐标和功耗，计算各器件的工作温度，作出温度分布图。本发明能在集成电路物理设计的时间使用，可用于预测电路工作时HBT器件的稳态温度和版图上的热点位置，提高电路工作稳定性。
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