三维光子晶体的制造方法
    91.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101717989A

    公开(公告)日:2010-06-02

    申请号:CN200910218943.0

    申请日:2009-11-13

    Abstract: 本发明公开一种三维光子晶体制造的新工艺方法,在计算机中设计具有微波特性的三维光子晶体模型;构建此模型的负型,并依据此光子晶体模型设计浇注系统,导出浇注系统模型为STL格式,利用光固化成型技术快速制备树脂模具,采用凝胶注模工艺成型结构,最后烧蚀树脂以制造三维光子晶体,具有制造周期短、成本低、可控性好等优点,适用于各种复杂结构三维光子晶体的加工制造。

    一种光电温时耦合的相变存储器件编程装置与方法

    公开(公告)号:CN119832960A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202411271061.1

    申请日:2024-09-11

    Abstract: 一种光电温时耦合的相变存储器件编程装置与方法,包括泵浦激光系统、电学测试系统、冷热温控系统以及控制监测软件;所述泵浦激光系统、电学测试系统、冷热温控系统以及控制监测软件协同运行,在控制监测软件的统一协调下,泵浦激光系统将发射出指定参数的激光脉冲,与位移平台协同,在指定激光照射区域与路径下实现逐步结晶化或非晶化切换,冷热温控系统在一定升温速率下达到指定环境温度,电学测试系统实时记录相变存储器件在指定测试时长下的电学响应,实现相变存储器件在特定环境下的“光控电测”编程操作。本发明通过光控电测的方式实现了SET与RESET逐步切换过程中晶体与非晶体积比例的定量控制,获得了切换电阻值的线性连续与对称变化。

    一种计及一次调频死区的构网型变流器控制方法及系统

    公开(公告)号:CN119695965A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411843779.3

    申请日:2024-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种计及一次调频死区的构网型变流器控制方法及系统,确定不具备一次调频死区的构网型逆变器输出实际功率与参考功率间的关系;根据一次调频死区内惯量需求大小选择构网型逆变器一次调频死区的方式;设定频率死区范围,采样电网系统的频率;根据得到的频率死区范围与电网系统的频率确定当前电网系统的频率是否位于所设定的频率死区内,得到信号选择;根据构网型逆变器一次调频死区方式的选择,当选择一次调频惯量需求小时,采用逆变器输出端口电压频率测量法实现一次调频死区;当选择一次调频惯量需求大时,采用直流/交流侧功率指令修改法实现一次调频死区,实现构网型逆变器的一次调频死区设置;有效提高储能系统的使用寿命。

    一种面向中波红外的宽带可重构超表面完美吸收器

    公开(公告)号:CN118859384A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410265190.3

    申请日:2024-03-08

    Abstract: 本发明属于光吸收器技术领域,具体涉及一种面向中波红外的宽带可重构超表面完美吸收器,在厚度方向上依次包括金属基底层、电介质层、超表面结构和保护层;所述超表面结构是由多个单元结构周期性阵列布置构成,且相邻两个所述单元结构的外径不同;每个所述单元结构的材料均为铟锑碲化合物,所述铟锑碲化合物的成分为InxSbyTez,其中,2.5

    一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用

    公开(公告)号:CN111952448B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202010806609.3

    申请日:2020-08-12

    Abstract: 一种基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜及其应用,包括相变层和阻隔层,所述相变层和阻隔层交替堆垛,所述相变层至少两层,阻隔层至少一层,所述相变层为锗锑碲薄膜,阻隔层为IV族碲化物薄膜。该薄膜中锗锑碲材料与IV族碲化物材料交替堆垛,其中锗锑碲作为相变层实现存储,IV族碲化物材料作为阻隔层不参与相变,既能够抑制相变层材料的结构弛豫,又能够阻碍其元素偏析现象,将会极大地提升相变存储器件的稳定性和精准性,并有效延长器件的使用寿命,同时锗锑碲材料具有较高的结晶温度,能够保证高温环境下的稳定服役。该薄膜可应用于相变存储器及类脑计算芯片领域。

    一种基于全聚焦的Lamb波相位成像方法

    公开(公告)号:CN114062492A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111260409.3

    申请日:2021-10-27

    Abstract: 本发明公开了一种基于全聚焦的Lamb波相位成像方法,方法包括以下步骤:相控阵列中每个PZT轮流作为激励源,其余PZT作为接受器,获得响应信号集。激励信号根据每对发射‑接收传感器对所需经历的传播距离预先施加逆频散效应以实现频散补偿和能量聚焦。将同一个PZT接收、其余PZT发射的响应信号叠加以实现能量再次聚焦,共可得到N组求和信号且得到瞬时相位。构建一致性指标衡量N组求和信号的瞬时相位在聚焦时刻的一致性,构建对齐性指标衡量每组求和信号在聚焦时刻的瞬时相位与零相位的对齐程度,以建立损伤成像指标。遍历所有检查点,为每个检查点赋予损伤成像指标以获得损伤图像。本公开损伤检测范围可扩展至阵列及边界周围。

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