公开(公告)号：CN119836220A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411271055.6

申请日：2024-09-11

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张伟 ,  王晓哲 ,  王疆靖

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10B63/10 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明公开了一种宽温域低电阻漂移的相变存储材料、器件及存算一体阵列，所述相变存储材料包含铬(Cr)元素与碲(Te)元素，化学式为CrxTe100‑x，其中0＜x＜100；所述相变存储材料的非晶与晶体薄膜在‑200～200℃温度区间下的电阻漂移系数均≤0.002。本发明的相变存储材料的非晶相局部机构以八面体为主，不存在明显的佩尔斯畸变，能够在宽温域下保持超低的电阻漂移系数，克服了现有相变存储技术中的电阻漂移问题，尤其是在宽温域工况温度下电阻漂移行为复杂化的问题。

公开(公告)号：CN114551561A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210149473.2

申请日：2022-02-18

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张伟 ,  王晓哲 ,  张航铭 ,  王旭东 ,  王疆靖

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  C30B33/04 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明公开了基于锑碲化合物的低损耗异相同质结半导体材料及其制备和应用，通过采用高能粒子束辐照稳定态六角相Sb2Te3晶体样品，使其体相内部转变为立方相，同时保持样品表面至内部10nm的区域为六角相结构不变，由稳定态六角相Sb2Te3体相内部结构转变为立方相，体相内部的安德森绝缘性质使得电荷发生安德森局域化，将其转变为绝缘态。本发明利用高能粒子束辐照拓扑绝缘体六角相Sb2Te3晶体体相内部转变为立方相，在体相中形成电荷安德森局域化，将体相转变为绝缘态，并保持表面至内部10nm范围内的六角相拓扑绝缘性质，能够抑制体相内部的电输运性能，驱使电流仅经过表面，从而降低了输运损耗，实现超低功耗输运。

公开(公告)号：CN119832960A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411271061.1

申请日：2024-09-11

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张伟 ,  王晓哲 ,  周文 ,  王疆靖

IPC: G11C13/00 ,  G11C16/02

Abstract: 一种光电温时耦合的相变存储器件编程装置与方法，包括泵浦激光系统、电学测试系统、冷热温控系统以及控制监测软件；所述泵浦激光系统、电学测试系统、冷热温控系统以及控制监测软件协同运行，在控制监测软件的统一协调下，泵浦激光系统将发射出指定参数的激光脉冲，与位移平台协同，在指定激光照射区域与路径下实现逐步结晶化或非晶化切换，冷热温控系统在一定升温速率下达到指定环境温度，电学测试系统实时记录相变存储器件在指定测试时长下的电学响应，实现相变存储器件在特定环境下的“光控电测”编程操作。本发明通过光控电测的方式实现了SET与RESET逐步切换过程中晶体与非晶体积比例的定量控制，获得了切换电阻值的线性连续与对称变化。

公开(公告)号：CN118244397A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410295423.4

申请日：2024-03-15

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张伟 ,  张思雨 ,  王疆靖 ,  王晓哲 ,  周文

IPC: G02B5/00 ,  G02B1/00 ,  G02B1/10 ,  G02B1/14 ,  G02B1/02

Abstract: 本发明公开了一种基于银锡硒、银锡碲相变材料的超表面光吸收器件，包括器件单元，所述器件单元自下而上依次是衬底、反射层、介质层、相变层以及保护层；采用不同相变层厚度的不同器件单元周期性排列组合构成整体器件结构；所述相变层为银锡硒或银锡碲，银锡硒化学式为AgxSnySez，银锡硒化学式为AgxSnyTez，其中0