一种微型气体富集器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107014666B

    公开(公告)日:2019-06-11

    申请号:CN201710170246.7

    申请日:2017-03-21

    Abstract: 本发明公开了一种微型气体富集器及制备方法,包括一个填充层,一个覆盖在填充层上的封装层,在填充层上表面加工有对称分布的分流微型通道,通道内填充吸附颗粒;在封装层上开有与所述分流微型通道相连通的进气孔和出气孔,且出气孔处设有用于固定过滤层的沉孔;对应进气孔和出气孔处密封安装有进口转接管和出口转接管;在填充层上设置有SiO2介电层,SiO2介电层上分别设置一对快速加热元件和一对敏感测温元件。被富集气体自进口转接管进入,经过吸附颗粒的物理吸附作用,实现浓度富集,然后穿过过滤层并从出口转接管处排出。本发明富集器实现了微型化,具有高富集率、低功耗、低成本、易加工、材料稳定和易集成等特点;加热元件厚膜工艺简单、成本低。

    一种基于金属基片的微型填充式富集器及制备方法

    公开(公告)号:CN106568640B

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201610986295.3

    申请日:2016-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于金属基片的微型填充式富集器及制备方法,包括自上而下依次分布的封装片、钎焊层、基片层和介电层,其中基片层上表面开有微型通道,微型通道内填充有吸附剂材料,基片层的侧面开有进口和出口,并分别与微细管道进行连接;被测气体自基片层的进口透过吸附剂材料的缝隙从基片层的出口通过;所述介电层上设置有一对加热元件和一对敏感元件。本发明使得富集器实现微型化、高富集率、低功耗、材料稳定、易于集成;相比较硅微基具有更好的导热性能,且其具有死体积小、热容小、功耗低、升温快等优点;加热元件采用厚膜工艺,工艺简单、成本低。

    基于湿法腐蚀工艺的硅片正面微结构保护装置及方法

    公开(公告)号:CN105220143B

    公开(公告)日:2017-08-15

    申请号:CN201510697005.9

    申请日:2015-10-22

    Abstract: 本发明公开了一种基于湿法腐蚀工艺的硅片正面微结构保护装置及方法,其特征在于,待腐蚀硅片正面朝上放置在一个底座的凸台上,硅片上置压块,硅片与压块间由一圆环隔离;底座卡在一圆柱形容器壁上,底座凸台开有通孔与圆柱形容器相通,圆柱形容器置于磁力搅拌加热台上。在圆柱形容器中装满腐蚀液,其中放置磁力搅拌子,加热台通电后,腐蚀液在磁力搅拌子旋转下受离心力上升,接触硅片背面,高温流动的腐蚀液对硅片背面完成腐蚀。本发明装置简单,可批量腐蚀硅片,提高腐蚀效率,有效防止硅片正面受到腐蚀液的伤害,可操作性好。

    一种微型气体富集器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107014666A

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201710170246.7

    申请日:2017-03-21

    CPC classification number: G01N1/405 B23P15/00

    Abstract: 本发明公开了一种微型气体富集器及制备方法,包括一个填充层,一个覆盖在填充层上的封装层,在填充层上表面加工有对称分布的分流微型通道,通道内填充吸附颗粒;在封装层上开有与所述分流微型通道相连通的进气孔和出气孔,且出气孔处设有用于固定过滤层的沉孔;对应进气孔和出气孔处密封安装有进口转接管和出口转接管;在填充层上设置有SiO2介电层,SiO2介电层上分别设置一对快速加热元件和一对敏感测温元件。被富集气体自进口转接管进入,经过吸附颗粒的物理吸附作用,实现浓度富集,然后穿过过滤层并从出口转接管处排出。本发明富集器实现了微型化,具有高富集率、低功耗、低成本、易加工、材料稳定和易集成等特点;加热元件厚膜工艺简单、成本低。

    一种高深宽比微型气相色谱柱芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN106770854A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611184707.8

    申请日:2016-12-20

    CPC classification number: G01N30/6052 G01N2030/6056

    Abstract: 本发明公开了一种高深宽比微型气相色谱柱芯片的制备方法,包括制作掩膜版;硅片预处理;进行匀胶光刻工艺,显影;然后再溅射一层金属铝作为掩蔽层,超声剥离,暴露出要刻蚀的通道,进行深干法刻蚀,调整垂直刻蚀和沉积保护的参数;将两片刻蚀图形完全相同的基片进行阳极键合,在键合完成的芯片双面溅射薄膜加热器和测温电阻用于色谱柱加热和温度调控;采用静态涂覆方法在微型色谱柱内部形成一层PDMS薄膜。该方法制备的微型气相色谱柱,侧壁陡直,深宽比大,在原有的刻蚀基础上将微型气相色谱柱的深宽比提高了一倍。其制备方法简单可靠,制备的微型色谱柱芯片灵敏度和分辨率更高。

    一种用于异戊二烯气体检测的气体传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN106568812A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610986306.8

    申请日:2016-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种用于异戊二烯气体检测的气体传感器的制备方法,分别将盐酸溶液和钛酸四丁酯混合,然后加入油酸溶液,进行水热反应后,对产物反复进行清洗,干燥,退火,即得到纳米TiO2粉末;所得的纳米TiO2粉末与有机溶剂超声混合,得到乳白色的TiO2悬浮液;将所得的悬浮液均匀地喷涂在传感器芯片电极位置表面,然后将传感器芯片按照阶梯加热方式,退火;将传感器芯片焊接至TO管底座,将所得气敏元件置于密封气室中,对加热电极进行老化,即构建一种对Isoprene气体具有响应的气体传感器。该方法解决MEMS工艺和纳米技术不兼容的问题,制备方法简单可靠;可检测不同浓度的Isoprene气体,重复性好,响应快。

    一种基于金属基片的微型填充式富集器及制备方法

    公开(公告)号:CN106568640A

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201610986295.3

    申请日:2016-11-09

    CPC classification number: G01N1/405

    Abstract: 本发明公开了一种基于金属基片的微型填充式富集器及制备方法,包括自上而下依次分布的封装片、钎焊层、基片层和介电层,其中基片层上表面开有微型通道,微型通道内填充有吸附剂材料,基片层的侧面开有进口和出口,并分别与微细管道进行连接;被测气体自基片层的进口透过吸附剂材料的缝隙从基片层的出口通过;所述介电层上设置有一对加热元件和一对敏感元件。本发明使得富集器实现微型化、高富集率、低功耗、材料稳定、易于集成;相比较硅微基具有更好的导热性能,且其具有死体积小、热容小、功耗低、升温快等优点;加热元件采用厚膜工艺,工艺简单、成本低。

    一种检测球面光学元件亚表面损伤程度表征参数的方法

    公开(公告)号:CN104132944A

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201410330795.2

    申请日:2014-07-11

    Abstract: 本发明公开了一种检测球面光学元件亚表面损伤程度表征参数的方法,其特征在于,采用磁流变抛光工艺在球形光学元件上加工出一环形截面,腐蚀处理加工后的环形截面,使用激光共聚焦显微镜观察暴露、放大的微裂纹形貌,对微裂纹二维图像进行测量处理和计算,得到重积层在抛光后环形截面上的宽度W、亚表面损伤层在抛光后环形截面上的宽度S、微裂纹的长度AB、密度及微裂纹与亚表面损伤层外径的夹角θ;通过已知的球面光学元件的曲率半径R,以及所得数据信息,根据平面几何关系,计算获得球面光学元件亚表面损伤层厚度dssd、亚表面损伤层的深度hssd、微裂纹在光学元件球面上的径向长度dscrack。

    共参比电极温控式CO2-SOx集成气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102798651A

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201210282918.0

    申请日:2012-08-09

    Abstract: 本发明公开了一种共参比电极温控式CO2-SOx集成气体传感器及其制备方法,所述传感器自下而上分别为氧化铝基底,加热元件与测温元件,绝缘层,固体电解质薄膜层,Au齿状薄膜电极,CO2、SOx反应电极和共参比电极。制备方法包括:在Al2O3基底上的采用印刷烧结工艺制备Pt或RuO2加热和测温元件;在厚膜微加热元件结构上,通过沉积工艺得到固体电解质薄膜、Au齿状电极、CO2反应电极和SOx反应电极、公共参比电极,以电化学反应方式形成薄厚膜工艺结合的CO2-SOx气敏元件。通过测温元件的反馈组成闭环温度控制系统,使传感器的温度达到各反应电极工作所需的温度,并保持恒定,保证了CO2-SOx气体传感器的最佳工作性能。

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