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公开(公告)号：CN111244269B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010169315.4
申请日：2020-03-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流的增强方法，其特征在于,包括以下步骤：步骤S1选择符合条件的衬底材料；步骤S2:用分子束外延设备，在预设衬底上，生长三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜；步骤S3：在三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜上用电子束蒸发制备两对钛/金电极，其中一对为圆形电极，另一对为条形电极；步骤S4：根据增强系统，选取特定波长的激光器，增强步骤S2中不同厚度三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜的光致反常霍尔电流。本发明能够简便快捷且有效的增强三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流。
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公开(公告)号：CN110718608B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910992018.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明涉及一种调控锑化碲薄膜圆偏振相关光电流的方法。将锑化碲薄膜贴在铜块上，通过改变铜块的温度来改变锑化碲薄膜的温度，由于激光会对激光照射的区域进行加热，且由于上表面的光强大于到达衬底部分的光强，这样上表面和衬底之间就存在温度梯度；由于热电效应，这个温度梯度就会产生垂直样品表面的热电势能；在这个热电势能的作用下，产生垂直于样品表面的自旋流；由于逆自旋霍尔效应，进而产生横向的与圆偏振相关的电荷流；当温度发生变化后，上表面与衬底之间的热电势能将发生变化，从而使得由逆自旋霍尔效应引起的电荷流也将发生变化，从而实现对圆偏振相关的光电流的调控。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
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公开(公告)号：CN112881773A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110065501.8
申请日：2021-01-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种测量拓扑绝缘体Bi2Te3中拉莫进动引起的磁致光电流的方法。该方法是对三维拓扑绝缘体Bi2Te3施加一个平面内沿x方向的磁场，用1064nm的激光垂直照射（沿z方向）在样品上两电极连线的中点上，激发产生磁致光电流。通过转动四分之一波片获得不同偏振状态下的光电流，然后通过公式拟合得到圆偏振光激发由拉莫进动引起的磁致光电流。其原理为，圆偏振光激发产生垂直方向的自旋极化Sz，x方向的磁场使得拓扑绝缘体中产生的自旋极化Sz产生拉莫进动，从而产生y方向的自旋极化Sy。这个方向的自旋极化将会引起x方向流动的电荷流，即由拉莫进动引起的圆偏振磁致电流。
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公开(公告)号：CN111239175B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202010169319.2
申请日：2020-03-12
Applicant: 福州大学
IPC: G01N23/2273 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及一种三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流区分方法，该方法包括：制备Bi2Te3样品并在其上沉积点状钛金电极和条形钛金电极；获取样品氧化前的XPS光谱；将激光依次通过起偏器、光弹性调制器以及杜瓦瓶窗口，垂直照射在真空杜瓦瓶中样品的几何中心；使用直流电压源施加可调的电压提供纵向电场，在垂直于电场方向上测得氧化前的光致反常霍尔电流；同理获取样品氧化后的XPS光谱和光致反常霍尔电流；对比氧化前后样品的XPS光谱和光致反常霍尔电流，区分三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流。该方法有利于简单、快捷、有效地区分三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流。
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公开(公告)号：CN112300800A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011219671.9
申请日：2020-11-05
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种可控增强上转换红光发射的复合薄膜材料，其薄膜材料结构由玻璃衬底、贵金属层、介质层和上转换发光层组成，通过在玻璃衬底上用真空热蒸发制备贵金属层，之后用射频磁控溅射法溅射介质层，最后在其上旋涂一层掺杂的KLaF4上转换发光层制成复合薄膜。本发明以金属离子与稀土离子共掺杂的KLaF4作为上转换发光材料，通过控制介质层薄膜的种类（TiO2和Ta2O5）以及厚度与贵金属银耦合，通过等离子共振效应与介质层的耦合效应来调控增强上转换红光发射强度。本发明所得上转换复合薄膜可应用于发光器件和太阳能电池等领域中，且其制备工艺简单，易操作，具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112054124A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010988239.X
申请日：2020-09-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出具有金字塔型微结构减反膜的倒置结构有机太阳能电池，所述太阳能电池自受光面起顺序设置减反射膜、氧化物透明导电衬底、金属氧化物电子传输层、有机活性层、金属氧化物空穴传输层和金属电极，所述减反射膜为PDMS减反膜，其膜内密布有呈金字塔形的微结构；所述减反射膜由密布微型金字塔结构的硅模板压印制备；本发明的减反射膜内密布金字塔形微结构，可以显著降低电池的反射率，提高有机活性层的光吸收率，并且该倒置结构有机太阳能电池稳定性好、轻便、成本低廉、易于大面积生产、对环境友好。
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公开(公告)号：CN111244269A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010169315.4
申请日：2020-03-12
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流的增强方法，其特征在于,包括以下步骤：步骤S1选择符合条件的衬底材料；步骤S2:用分子束外延设备，在预设衬底上，生长三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜；步骤S3：在三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜上用电子束蒸发制备两对钛/金电极，其中一对为圆形电极，另一对为条形电极；步骤S4：根据增强系统，选取特定波长的激光器，增强步骤S2中不同厚度三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜的光致反常霍尔电流。本发明能够简便快捷且有效的增强三维拓扑绝缘体Bi2Te3光致反常霍尔电流。
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公开(公告)号：CN111239175A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010169319.2
申请日：2020-03-12
Applicant: 福州大学
IPC: G01N23/2273 , G01N23/2202
Abstract: 本发明涉及一种三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流区分方法，该方法包括：制备Bi2Te3样品并在其上沉积点状钛金电极和条形钛金电极；获取样品氧化前的XPS光谱；将激光依次通过起偏器、光弹性调制器以及杜瓦瓶窗口，垂直照射在真空杜瓦瓶中样品的几何中心；使用直流电压源施加可调的电压提供纵向电场，在垂直于电场方向上测得氧化前的光致反常霍尔电流；同理获取样品氧化后的XPS光谱和光致反常霍尔电流；对比氧化前后样品的XPS光谱和光致反常霍尔电流，区分三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流。该方法有利于简单、快捷、有效地区分三维拓扑绝缘体Bi2Te3上下表面态光致反常霍尔电流。
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公开(公告)号：CN111179173A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911371191.1
申请日：2019-12-26
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于离散小波变换和坡度融合算法的图像拼接方法，先对参考图像和目标图像进行投影变换，再经过SURF算法提取特征点并利用KNN算法和RANSAC算法进行配准，然后寻找最佳缝合线确定融合区域及其掩模图，进行离散小波变换后使用坡度融合算法对分解的低频区域和高频区域分别进行融合，利用离散小波逆变换生成融合图像，最后利用掩模图进行拼接得到最终的拼接图像。本发明可以提高图像拼接的质量。
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公开(公告)号：CN110212096A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910539916.7
申请日：2019-06-21
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明属于电池薄膜材料与器件领域，具体涉及一种以具有陷光结构的MoO3为空穴传输层的有机光伏电池及其制备方法。该电池包括氧化物透明导电衬底、空穴传输层、有机活性层和金属电极，其中，空穴传输层是在氧化物透明导电衬底上蒸镀一层MoO3薄膜，借助聚苯乙烯球作为模板，利用盐酸烟雾刻蚀法对MoO3表面进行刻蚀，形成图案化的表面，最后在图案化的MoO3表面蒸镀上第二层MoO3，最终形成具有陷光结构的MoO3薄膜。本发明制得的有机光伏电池可以显著提高有机活性层的光吸收率，该电池轻便、成本低廉、稳定性较好、对环境友好且易于大面积生产。
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