-
公开(公告)号：CN113328239B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110504474.X
申请日：2021-05-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种任意俯仰面矩形波束赋形的周期阻抗调制表面，属于天线和周期阻抗调制表面技术领域。本发明所述周期阻抗调制表面将周期阻抗调制表面应用于矩形波束赋形中，相比现有的阵列综合和算法相结合的技术，其不需要采用多馈源以及复杂的馈电网络，只需要将同轴线的内芯延长而形成单极子进行馈电，结构简单，易于实现。本发明的另一个优势在于相比于现有方法在法向方向实现矩形波束赋形，其可以在具有一定倾角的方向上实现矩形波束赋形。
-
公开(公告)号：CN113708089A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110942713.X
申请日：2021-08-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于井中雷达的定向天线系统，属于井中雷达技术领域。本发明的定向天线系包括天线单元(1)、玻璃钢管(2)、天线保护壳(3)、填充液(4)、射频开关(5)和十字形金属结构(6)；玻璃钢管(2)位于天线保护壳(3)内，玻璃钢管(2)内部注入有填充液(4)，多个天线单元(1)等间隔分布于玻璃钢管(2)的外侧壁且与玻璃钢管(2)共形，各天线单元(1)与玻璃钢管(2)的中心轴的间距相同；天线单元(1)之间设置有与玻璃钢管(2)共形的金属阵列结构，金属阵列结构包括至少两排沿玻璃钢管(2)的中心轴方向排列的十字形金属结构(6)，十字形金属结构(6)之间以及十字形金属结构(6)与相邻的天线单元(1)之间通过射频开关(5)相连。本发明提供的定向天线系的体积小，具备超宽带、高辐射效率特性，波束扫描的能力和井下工作的能力。
-
公开(公告)号：CN111261698B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010092691.8
申请日：2020-02-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L27/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，提供一种基于绝缘体上硅技术的消除电压折回现象的RC‑LIGBT器件，在传统SSA‑LIGBT器件的基础上，在集电极一侧引入一个栅源短接的N沟道MOEFET；当器件工作在正向状态时，将一直工作在IGBT模式下，完全消除了由MOS模式过渡到IGBT模式而产生的电压折回现象；当器件工作在反向状态时，随着发射极电压升高，栅漏短接的NMOS开启，器件工作于反向并联的IGBT模式，实现器件的反向导通特性；综上，本发明RC‑LIGBT器件既能完全消除电压折回现象，又兼具高可集成度、低导通压降、小器件尺寸、能够快速关断等优点；同时，器件具有更高的电流密度，降低了器件的导通压降，改善了导通压降和关断损耗之间的折中关系。
-
-
公开(公告)号：CN112003590A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010637243.1
申请日：2020-07-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K3/80 , H03K3/012 , H03K17/567 , H03K17/296 , H03K7/08 , G01V3/30
Abstract: 本发明涉及一种用于井间电磁的大功率正弦信号产生电路，它包括IGBT开关电路；IGBT开关电路用于产生两次幅值相同极性相反，经过SPWM调制的矩形波信号加载到负载上，其包括第一IGBT模块和第二IGBT模块，所述第一IGBT模块和第二IGBT模块共同连接到负载的两端；所述第一IGBT模块和第二IGBT模块均包括两个级联的三极管，四个三极管连接成一个环形回路。本发明的优点在于：将IGBT大功率管用作井间电磁信号源的开关管能够有效的增大井间电磁天线的辐射功率，使得井间电磁探测系统的信号能够辐射得更远；辐射信号波形为正弦波，能够有效地减少由于电压变化而引起的天线阻抗对于信号能量的损耗，而且相对于方波而言能够包含更多的相位和幅值信息，进而包含更多的井间地质信息。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111987427A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010687177.9
申请日：2020-07-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种超带宽低剖面阿基米德磁窗天线，它包括介质板，对称铺设于所述介质板顶层和底层的阿基米德平面螺旋天线，所述阿基米德平面螺旋天线包括上下表面铺设的阿基米德螺旋线，所述阿基米德螺旋线以第一天线臂和第二天线臂为轴相互围绕形成所述阿基米德平面螺旋天线；在馈电中心处通过过孔连接所述介质板顶层和底层的所述第一天线臂和所述第二天线臂。本发明的优点在于：天线在介质板两面对称铺设双臂阿基米德螺旋天线，在满足天线轴比的情况下减小了天线的尺寸，降低了天线的剖面厚度；采用正弦曲折臂结构，使得螺旋天线圈数增加从而减少传输损耗，提高天线的效率。
-
公开(公告)号：CN111786119A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010507010.X
申请日：2020-06-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种拼接的曲面壳型左手超材料，包括基板和多个金属谐振环，金属谐振环包括外环和内环，内环位于外环内，金属谐振环为多个，多个金属谐振环的大小不同，以阵列方式构成超材料结构。本发明通过有规律的剪切和拼接实现了超材料的曲面化，设计出了曲面壳型超材料。本曲面超材料在小尺寸情况下实现了低频段实现了双负性质。采用剪切和拼接的技术，曲面的超材料的半径和厚度可以实现动态调节的。通过拼接来实现曲面超材料，其双负频段也可以根据需求来动态调节。超材料有效区间的带宽比较宽，可以达到0.6GHz，并且有效区间内超材料损耗可以接受。曲面超材料具有很好的定向性。电磁波可以从内部向外发射且只在垂直电磁波的方向起作用。
-
公开(公告)号：CN111403474A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010205715.6
申请日：2020-03-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L27/02
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体提供一种集成肖特基二极管的双沟道碳化硅MOSFET器件，采用双沟道设计，形成两个接地的电场屏蔽区保护中间的肖特基二极管，使得肖特基结处电位能够被屏蔽的很低，从而降低泄露电流，提高击穿电压；同时，进一步降低肖特基势垒高度而不至于使得泄漏电流明显增大，进而降低肖特基二极管反向导通压降。此外，通过引入第一深槽内的平面沟道，一方面增加了沟道密度、降低了比导通电阻，另一方面通过将浮空电场屏蔽区接地、更好地起到屏蔽肖特基结电势的效果、从而降低肖特基势垒高度、降低反向导通压降，并且接地的电场屏蔽区能够消除浮空电场屏蔽区带来的动态电阻增大、弥勒电容增大的不良影响。
-
公开(公告)号：CN111276537A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010092684.8
申请日：2020-02-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L27/07
Abstract: 本发明属于半导体功率器件领域，提供一种具有多晶硅耐压层的RC-LIGBT器件；在传统RC-IGBT器件基础上，在表面耐压区和氧化层上方引入多晶硅耐压层构成一个反并联二极管；在器件反向工作状态时，形成电流流通路径，使得器件具有反向导电能力；在器件正向工作时，优化了RC-LIGBT导通压降和关断损耗的矛盾关系；更重要的是，在器件正向导通时，多晶硅耐压层构成的二极管反偏，因此本发明结构不会出现电压回折现象，提高了器件电学性能。
-
公开(公告)号：CN110632536A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910846770.0
申请日：2019-09-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种井间探测设备，具体为一种三分量磁通门传感器信号处理电路，包括三分量磁通门传感器、ADC模块和FPGA芯片。本发明为数字信号处理电路，通过FPGA芯片的内部存储器对输出波形进行优化；采用三通道电路结构，有针对性的对地下井间三维弱磁信号进行接收和处理，三分量磁通门传感器输出信号直接输入到高采样率的ADC中进行噪声整形；选用24位ADC使用过采样，高抽取的方式进行工作；使用数字FIR滤波器代替积分电容滤波。相比现有技术，本发明对于地下井间弱磁信号探测，实现了高探测精度，高分辨率，并在地磁地热环境中能够稳定工作的信号处理电路。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
156
records
(took 0.03 seconds)
