公开(公告)号：CN106230439B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201610595000.X

申请日：2016-07-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  李大刚 ,  胡达千 ,  岑远军

IPC: H03M1/38

Abstract: 该发明公开了一种提高流水线型逐次逼近模数转换器线性度的方法，应用于微电子学与固体电子学领域的高性能模数转换器。其特点在于：不需要牺牲ADC采样率，不需要引入额外的运放进行噪声整形，不需要引入辅助DAC或者慢而精确的ADC，也不需要引入Dither，只需要将流水线型逐次逼近模数转换器第一级电容阵列的电容进行分组，每次转换采用不同的电容组合，即可避免电容失配在同一码字的误差进行累加，因此，与传统DAC前台校正、LMS校正算法或者“慢而精确的辅助ADC校正”来提高线性度的校正方法相比，具有不牺牲采样率、结构更简单、占用芯片面积更小、更容易在片上实现的效果。

公开(公告)号：CN110113050A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910367262.4

申请日：2019-05-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  雷鹏 ,  冯全源 ,  蔡经纬 ,  李大刚 ,  胡达千 ,  岑远军

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/46

Abstract: 该发明公开了一种应用于逐次逼近模数转换器的失配误差校正方法。将电容DAC阵列的电容分割为单位电容阵列并将这些单位电容排序分为四组，在每一组间隔选取电容构成电容DAC阵列的MSB，MSB-1等电容。通过MATLAB仿真出传统校正算法以及新型校正算法的SNDR和SFDR等动态参数，得到新型校正算法进一步提升了SAR ADC的动态性能。

公开(公告)号：CN109286398A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811092418.4

申请日：2018-09-19

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  刘杨 ,  冯全源 ,  叶星宁 ,  李大刚 ,  胡达千 ,  岑远军 ,  苏华英

IPC: H03M1/10

Abstract: 本发明公开了一种用于电流舵数模转换器校正的电流比较器及比较方法，应用于高速高精度的电流舵模数转换器,涉及一种电流比较方法。通过一组额外的电阻电容实现电流舵DAC的电流比较，无需单独的电流比较器，使电路变得更加简单，比较结果也更加准确。

公开(公告)号：CN108649800A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810552234.5

申请日：2018-05-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  程卫平 ,  冯全源 ,  李大刚 ,  胡达千 ,  岑远军 ,  苏华英

IPC: H02M3/158

Abstract: 本发明公开了一种自适应斜坡补偿电路，属于DC-DC变换器领域。该补偿电路包括：第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜、第四电流镜、控制电路、第一电阻、第二电阻，第一电压采样模块，第二电压采样模块；与传统自适应斜坡补偿电路相比较，本发明提出的自适应斜坡补偿电路精度更高功耗更小。

公开(公告)号：CN104682958B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201510037426.9

申请日：2015-01-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  乔志亮 ,  李强

IPC: H03M1/38

Abstract: 该发明公开了一种带噪声整形的并行逐次逼近模数转换器，属于微电子学与固体电子学领域。该发明模数转换器由前级Flash ADC和后级的SAR ADC共同组成，前级Flash ADC的输入电压为后级SAR ADC的输入与后级SAR ADC的模拟输出之差，再与输入电压Vin求和得到的电压，前级Flash ADC的数字输出为Dout,1；后级SAR ADC的输入电压为前级Flash ADC的输入与前级Flash ADC的模拟输出之差，再经过单位延迟模块后的电压，后级SAR ADC的数字输出为Dout,2；最后将Dout,1和Dout,2错位相加，得到转换结果。该发明一方面减小了模拟电路设计的复杂度,另一方面避免了构建G和H(z)之间的函数关系。

公开(公告)号：CN105245231B

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201510646835.9

申请日：2015-10-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华

IPC: H03M1/38

Abstract: 本发明种流水线型逐次逼近模数转换器的前后级交换方法,涉及微电子学与固体电子学领域,特别是种流水线型逐次逼近模数转换器。不需要引入额外的运放进行噪声整形,不需要引入任何校正算法,也不需要引入Dither,只需要在两次转换之间交换第级逐次逼近模数转换器和第二级逐次逼近模数转换器,即可避免电容失配在同码字的误差进行累加,因此,与传统依赖噪声整形、校正算法或者Dither来提高DNL/INL的校正方法相比,具有结构更简单、占用芯片面积更小、更容易在片上实现的效果。

公开(公告)号：CN106899299A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710013589.2

申请日：2017-01-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  哈迪·哈迪日 ,  佛朗哥·马洛博蒂

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/46

Abstract: 本发明公开了一种提高电阻电容型逐次逼近模数转换器SFDR和SNDR的电容重构方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。针对现有技术中电容失配校正技术研究首先考虑的是易于片上实现，基于LMS算法的校正方案精度高且校准效果好，但初始值若选取不当会导致算法复杂度增加，甚至不收敛，不易于片上实现，而传统辅助DAC的校正技术最易于片上实现且成功率最高，但不容易实现超高精度的问题，提出一种能提高逐次逼近模数转换器线性度的电容重构方法，通过对电容排序、选择并重构，从而达到校正电容失配的目的。

公开(公告)号：CN105245231A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201510646835.9

申请日：2015-10-08

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华

IPC: H03M1/38

Abstract: 本发明一种流水线型逐次逼近模数转换器的前后级交换方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是一种流水线型逐次逼近模数转换器。不需要引入额外的运放进行噪声整形，不需要引入任何校正算法，也不需要引入Dither，只需要在两次转换之间交换第一级逐次逼近模数转换器和第二级逐次逼近模数转换器，即可避免电容失配在同一码字的误差进行累加，因此，与传统依赖噪声整形、校正算法或者Dither来提高DNL/INL的校正方法相比，具有结构更简单、占用芯片面积更小、更容易在片上实现的效果。