一种基于磁隧道结的触发电路及电子设备

    公开(公告)号:CN115938419A

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN202211647724.6

    申请日:2022-12-21

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁隧道结的触发电路及电子设备,包括:主触发模块,用于发送触发信号;读逻辑模块,与主触发模块连接,读逻辑模块包括两条逻辑支路,每条逻辑支路包括一个磁隧道结以及反相放大单元,磁隧道结与反相放大单元连接,读逻辑模块用于根据磁隧道结的放电状态控制反相放大单元的工作状态,以输出与逻辑支路对应的支路电压;写入模块,与读逻辑模块连接,写入模块用于接收所述支路电压,并将支路电压写入与所述逻辑支路对应的磁隧道结进行存储。本发明实施例中,能够通过读逻辑模块实现读写电路分离,降低读电路错误率,并实现非易失性数据的存储。

    基于等离子体诱导透明的可调制超宽带带阻滤波器

    公开(公告)号:CN113991268B

    公开(公告)日:2022-09-23

    申请号:CN202111208211.0

    申请日:2021-10-18

    Abstract: 本发明涉及纳米光子学技术领域,具体涉及基于等离子体诱导透明的可调制超宽带带阻滤波器,包括带阻滤波器本体,带阻滤波器本体具有传输波导、四个第一矩形耦合谐振腔和四个第二矩形耦合谐振腔,四个第一矩形耦合谐振腔分别与传输波导连通,均位于传输波导的一侧,四个第二矩形耦合谐振腔分别与四个第一矩形耦合谐振腔连通,第一矩形耦合谐振腔和第二矩形耦合谐振腔具有足够的特性,可以过滤比大多数金属‑介质‑金属滤波器更宽的波长范围,滤波器所产生的光谱,具有透射率高,阻带透射率低且变化平缓,阻带较宽的优点,解决了现有的带阻滤波器的圆形耦合谐振腔进行相消干涉后产生的光谱的阻带较窄的问题。

    一种基于磁隧道结的自动控制电路及电子设备

    公开(公告)号:CN114999546A

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210589717.9

    申请日:2022-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁隧道结的自动控制电路及电子设备,包括:核心写入模块,包括两条写入支路,每条写入支路包括一个磁隧道结;写入检测模块,用于接收经过延时处理的延时信号,并在根据延时信号检测到目标支路中的所述磁隧道结处于写入完成状态的情况下,生成目标检测信号;使能控制模块,用于接收由外部发送的写入使能信号、写入信号以及由写入检测模块发送的目标检测信号,并根据写入使能信号、写入信号以及目标检测信号生成用于控制目标支路关闭写入状态的目标控制信号,使得核心写入模块根据所述目标控制信号关闭目标支路写入。本发明实施例中,通过对核心写入模块进行检测,能够解决磁隧道结功耗浪费的问题,实现对磁隧道结器件的保护。

    基于同侧双微腔耦合结构的波导滤波器

    公开(公告)号:CN113422183B

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202110584194.4

    申请日:2021-05-27

    Abstract: 本发明涉及纳米光子学技术领域,具体公开了一种基于同侧双微腔耦合结构的波导滤波器,包括介质基底、金属薄膜、同心双半圆环波导谐振腔和直线波导腔,金属薄膜设置于介质基底的上端面,金属薄膜上设置有直线波导腔,以及位于直线波导腔上侧的同心双半圆环波导谐振腔。通过构造共心双半圆环结构,使输出波导同时受到两个波导谐振腔共振模式的影响。两个波导谐振腔腔之间由于反相振荡导致电磁波发生干涉相消而产生类电磁诱导透明现象实现双模式双通道带阻滤波功能,与圆环结构和相交圆环结构相比,其滤波性能有所提升,此结构在全光窄带带阻滤波器方面具有潜在的应用前景。

    一种基于微环谐振器的全光二进制比较器

    公开(公告)号:CN114609728A

    公开(公告)日:2022-06-10

    申请号:CN202210232474.3

    申请日:2022-03-08

    Abstract: 本发明提供了一种基于微环谐振器的全光二进制比较器,利用微环谐振器对光的波长具有选择性的特点以构成光开关,将3个微环谐振器且与光波导合理组合,以实现由光学原理控制的两个二进制数比较,即实现了传统数字电路中的二进制比较运算。该二进制全光比较器利用微环谐振器代替传统的电学逻辑器件,避免了传统电学器件易受噪声信号的影响,结合光学传播特点实现了高速、低功耗的计算机信息处理功能;工艺方面实现了与CMOS工艺的兼容,使得器件的体积小,速度快,扩展性好以及低插入损耗特性,便于与其他器件的大规模集成。

    片上温度传感器、温度检测方法及片上系统

    公开(公告)号:CN114397038A

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202111660625.7

    申请日:2021-12-30

    Abstract: 本发明提供了一种片上温度传感器、温度检测方法及片上系统,其中,片上温度传感器包括:波导结构;波导结构包括输入波导、输出波导、级联微环谐振器以及级联输出波导;级联微环谐振器,包括第一微环和第二微环,第一微环靠近于输入波导的输入端,第二微环靠近于输出波导的输出端,第一微环、第二微环排列设置于级联输出波导一侧,第一微环的温度灵敏度与第二微环的温度灵敏度不相同。本发明实施例中,通过优化波导结构设计,能够在降低波导结构尺寸以节省芯片设计成本的同时提升传感器灵敏度,符合当前集成电路设计的发展方向。

    一种电机磁瓦缺陷分类方法

    公开(公告)号:CN113657532A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110974305.2

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明公开一种电机磁瓦缺陷分类方法,首先,输入端图像通过UPM模块进行定位,通过下采样块提取图像特征,再通过上采样重构图像,生成可能存在缺陷的区域的图像,然后对重构出来的缺陷图像通过堆叠,生成包括缺陷轮廓、缺陷邻域图像和原图像的多通道特征张量。然后,将该特征张量送入DenseNet121‑B分类网络,通过四层数量不等的卷积块进行特征提取,并通过转换层对通道进行挤压激励,强迫模型提取缺陷特征,最终通过Softmax层对前向传播特征进行激活,得到预测类别概率,进而完成缺陷分类。本发明具有更强的分类能力和鲁棒性。

    片上网络中基于超立方体拓扑结构的测试规划系统及方法

    公开(公告)号:CN111314167B

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN202010042847.1

    申请日:2020-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种片上网络中基于超立方体拓扑结构的测试规划系统及方法,包括IP核提取模组、IP核编码模组、输入端口分配模组、路径算法模组、输出端口分配模组和数据分析模组,IP核提取模组提取待测电路中的测试IP核以及测试所需参数,通过IP核编码模组用超立方结构对IP核进行编码与映射,测试向量由输入端口分配模组分配到指定端口,然后路径算法模组用具有部分自适应能力的E‑cube算法规划路径,对IP核进行测试,测试结果再由具有部分自适应能力的E‑cube算法规划送到输出端口分配模组。通过减少测试过程中经过的路由器个数、IP核之间的距离以及数据传输过程中路由节点选择的多样性,减少IP核的测试时间,提高测试效率。

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