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公开(公告)号：CN102473806B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201080032304.6
申请日：2010-07-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明的发光二极管元件具备：n型导电层(2)，其具有主面以及背面，并由氮化镓类化合物构成，主面是m面；半导体层叠构造(21)，其设置在n型导电层(2)的主面的第1区域(2a)，且包括p型导电层(4)、以及位于n型导电层(2)和p型导电层(4)之间的活性层(3)；p型电极(5)，其设置在p型导电层(4)上；导电体部(9)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与通孔(8)的内壁相接；以及n型表面电极(6)，其设置在n型导电层(2)的主面的第2区域(2b)，并与导电体部(9)相接。
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公开(公告)号：CN103650177A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034135.9
申请日：2012-07-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205 , H01L33/06 , H01L33/18
CPC classification number: H01L33/50 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L33/06 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2224/14 , H01L2924/181 , H01S5/3202 , H01S5/3407 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01L2924/00012
Abstract: 氮化镓类化合物半导体发光元件具有由一般式为AlxInyGazN(0≤x＜1、0＜y＜1、0＜z＜1、x＋y＋z＝1)的氮化物半导体形成、生长面具有非极性面或者半极性面的发光层(105)。氮化物半导体的生长面具有显示各向异性的二轴，氮化物半导体中的In组成具有在二轴中第一轴之轴方向上变化的分布，且In组成较低之区域和In组成较高之区域的交界面(51)自与第一轴垂直的面朝着生长面方向倾斜。
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公开(公告)号：CN101981713B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201080001306.9
申请日：2010-03-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
Abstract: 氮化物系半导体发光元件(100)具备：以m面(12)为表面的GaN系基板(10)、在GaN系基板(10)的m面(12)上形成的半导体层叠构造(20)、在半导体层叠构造(20)上形成的电极(30)。电极(30)包括由从由Pt、Mo以及Pd构成的群中选择的金属和Mg构成的Mg合金层(32)，Mg合金层(32)与半导体层叠构造(20)中的p型半导体区域的表面接触。
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公开(公告)号：CN103180974A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201280003453.9
申请日：2012-06-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , H01L33/0075 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种氮化物类半导体发光元件（220），其具有：生长面为m面且由GaN类半导体形成的活性层（202）；和辐射来自活性层（202）的光的至少一个辐射面，其中，辐射面是在m面上设置有多个凸部（303）的面，在辐射面中，多个凸部（303）的各自的底面为封闭曲线内的区域，底面B的形状具有：将封闭曲线上位于最远的位置的两个点连结的线段即长轴（Ax）；和通过长轴（Ax）的中心且与长轴垂直的线段即短轴，长轴（Ax）和晶体的a轴延伸的方向所成的角度在45度以内。
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公开(公告)号：CN103081138A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201280002630.1
申请日：2012-05-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
Abstract: 实施方式的氮化物类半导体发光元件具有生长面为m面、由GaN类半导体形成的半导体层叠结构。半导体层叠结构具有：n型半导体层；p型半导体层；设置于所述p型半导体层上的p侧电极；和位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的活性层。活性层的厚度与n型半导体层的厚度比D为1.8×10-4≤D≤14.1×10-4，p侧电极的面积S为1×102μm2≤S≤9×104μm2，外部量子效率成为最大时的88%时的最大电流密度为2A/mm2以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103003964A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201280002074.8
申请日：2012-01-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/16
Abstract: 在具有活性层的氮化镓类化合物半导体发光元件中，活性层包括阱层（104）和阻挡层（103），阱层（104）和阻挡层（103）分别是以m面为生长面的半导体层，阱层（104）具有下表面和上表面，并且沿该阱层（104）的层厚方向具有In组分根据自下表面的距离而变化的In组分分布，阱层（104）的In组分在自下表面的距离一定的位置呈现出极小，阱层（104）中的In组分呈现出极小的部分与下表面平行地延伸。
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公开(公告)号：CN103003962A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201280002076.7
申请日：2012-03-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/16 , H01L33/18 , H01L33/32 , H01L33/54 , H01L2224/14 , H01L2224/16225
Abstract: 氮化物半导体发光元件（300）是具有包含由m面氮化物半导体形成的活性层的层叠结构（310）的氮化物半导体发光元件，层叠结构（310）具有与氮化物半导体活性层（306）的m面平行的取光面（311a）和与氮化物半导体活性层（306）的c面平行的取光面（311b），取光面（311b）的面积相对于取光面（311a）的面积的比例为46％以下。
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公开(公告)号：CN102067286B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200980115958.2
申请日：2009-11-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/00
CPC classification number: C23C16/303 , C30B25/10 , C30B25/20 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体层的形成方法，其包括步骤(S1)，其将至少在上面具有m面氮化物半导体晶体的基板配置于MOCVD装置的反应室内；升温步骤(S2)，其加热反应室内的基板，使基板的温度上升；和生长步骤(S3)，其在基板上使氮化物半导体层生长。在升温步骤(S2)中，向反应室内提供氮原料气体和III族元素原料气体，可以形成即使厚度为400nm也具有平滑的表面的m面氮化物半导体晶体，也可以大幅缩短其形成时间。
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公开(公告)号：CN102881795A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210102074.7
申请日：2012-04-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/18 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2224/14 , H01L2224/16225
Abstract: 氮化物系半导体发光元件(300)具备基板(304)和氮化物半导体层叠构造，氮化物半导体层叠构造具有用于射出偏振光的氮化物半导体活性层(306)，基板(304)的多个侧面(332)中的至少一个侧面相对于基板(304)的主面(333)而形成的角度θ大于90度，基板(304)的多个侧面(332)中的至少一个侧面与基板(304)的主面(333)之间的交线相对于偏振光的主面(333)内的偏振方向(324)而形成的角度的绝对值即角度θ2(mod 180度)是不包含0度与90度的角度。
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公开(公告)号：CN102859724A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020933.1
申请日：2011-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明的氮化物系半导体发光元件的制造方法包括：准备衬底(10)的工序；在衬底上形成具有由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0、y≥0、z≥0)半导体形成并且表面是m面的p型AldGaeN层(p型半导体区域)(26)的氮化物系半导体层叠结构的工序；在p型AldGaeN层(26)的表面上形成包括Mg以及Zn的至少一个的金属层(28)并进行加热处理的工序；除去金属层(28)的工序；以及在p型的AldGaeN层(26)的表面上形成p型电极的工序，通过加热处理，p型的AldGaeN层(26)中的N浓度变成高于Ga浓度。
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