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公开(公告)号：CN109037062A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810688668.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L35/28 , H01L35/32
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L35/28 , H01L35/325
Abstract: 本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑V HEMT器件，包括源极、栅极、漏极、第一半导层、第二半导体层、第一金属层、N型热电材料、P型热电材料、第二金属层、第三金属层、电绝缘的热良导体散热层、电阻和二极管；而本发明在器件中引入了温差发电机构，回收了现有器件沟道中被浪费的能量，提高了器件的效率，减小了能量的损失，具有节约能源的优势。
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公开(公告)号：CN107425814A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710665486.4
申请日：2017-08-07
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于补偿寄生电容的宽带Doherty功率放大器，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大器支路、峰值功率放大器支路以及负载调制网络，其中，载波功率放大器支路包括依次串接的载波功率放大器输入匹配电路、载波功率放大器、载波功率放大器输出匹配电路，并在载波功率放大器输出端并联第一微带线Z1；峰值功率放大器支路包括相位延迟线、峰值功率放大器输入匹配电路、峰值功率放大器以及峰值功率放大器输出匹配电路，并在峰值功率放大器输出端并联第二微带线Z2。相对于现有技术，本发明通过在主辅支路晶体管的输出端分别加上一段短路微带线，从而抑制了寄生电容对于放大器的饱和效率和带宽所造成的影响，提高了Doherty功放的带宽性能和效率。
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公开(公告)号：CN107332519A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710550390.3
申请日：2017-07-07
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: H03F1/0288 , H03F1/48 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F2200/36 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供一种基于改进型输出合路器的宽带Doherty功率放大器及其实现方法，采用新型负载调制网络，包括第一阻抗变线T1、第二阻抗变线T2和第三阻抗变线T3，第一阻抗变线T1为50欧四分之一波长阻抗变线，第二阻抗变线T2为35欧四分之一波长阻抗变线，第三阻抗变线T3为50欧二分之一波长阻抗变线；载波功率放大电路的输出端接第一阻抗变线T1的一端，第一阻抗变线T1的另一端与峰值功率放大电路的输出端相连接并将功率合路再经过第二阻抗变线T2输出给负载，在合路点处并联第三阻抗变线T3。相对于现有技术，本发明通过在合路处并联50欧二分之一波长传输线T3，减小了负载阻抗随频率偏移而漂移的现象，有效的提高了Doherty功率放大器的带宽。
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公开(公告)号：CN106411275A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610889028.4
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于新型负载调制网络改善带宽的三路Doherty功率放大器及其实现方法，载波功率放大电路的输出端接70.7欧四分之一波长的第一阻抗变换器T1，并与第一峰值功率放大电路和第二峰值功率放大电路的输出端相连接，经40.82欧四分之一波长的第二阻抗变换器T2合路将功率输出给负载。相对于现有技术，本发明通过改进传统三路Doherty功率放大器的负载调制网络，减小了负载调制网络的阻抗变换比，同时将峰值支路的补偿线加入到峰值输出匹配电路中，减小整体峰值输出匹配电路的品质因数，极大地拓宽了三路Doherty功率放大器的工作带宽。
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公开(公告)号：CN106411267A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610889946.7
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种新型宽带三路Doherty功率放大器及其实现方法，其中，三路等分功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路、第一峰值功率放大电路和第二峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端接86.6欧四分之一波长阻抗变换器T1，并与第一峰值功率放大电路和第二峰值功率放大电路的输出端相连接合路将功率输出给负载。相对于现有技术，本发明通过改进传统三路Doherty功率放大器的负载调制网络，减小了负载调制网络的阻抗变换比且缩小了Doherty功率放大器的尺寸，同时将峰值支路的补偿线加入到峰值输出匹配电路中，减小整体峰值输出匹配电路的品质因数，极大地拓宽了三路Doherty功率放大器的工作带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106411266A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610888848.1
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于改进负载调制网络拓展带宽的Doherty功率放大器及其实现方法，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给主功率放大电路和辅助功率放大电路，主功率放大电路的输出端接70.7欧四分之一波长阻抗变换器T1，辅助功率放大电路的输出端接70.7欧四分之一波长阻抗变换器T3，合路后将功率输出给负载，合路输出端并接四分之一波长短接线T2。相对于现有技术，本发明通过改进传统Doherty功率放大器的负载调制网络同时在输出端并联四分之一波长短接线方案，减小了负载调制网络的阻抗变换比，有效地抑制负载阻抗随频率的漂移，极大地拓宽了Doherty功率放大器的工作带宽。
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公开(公告)号：CN103730360B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410007469.8
申请日：2014-01-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法。该器件可通过习见半导体器件加工工艺制成，其包括源极、漏极、异质结构和背场板电极，该源、漏极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，且源、漏极与异质结构形成欧姆接触，该异质结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层设置于源、漏极之间，且第一半导体层表面还设有栅极，而在异质结构内与栅极相应的区域内还分布有二维电子气耗尽区，该栅极与第一半导体层之间形成肖特基接触，背场板电极设置于第二半导体层的远离第一半导体层的一侧表面。本发明能有效提高器件的击穿电压，并最大程度地抑制“电流崩塌”效应。
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公开(公告)号：CN105826369A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610297662.9
申请日：2016-05-06
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7786
Abstract: 本发明提供一种新型增强型III?V异质结场效应晶体管，在衬底材料层上形成第二半导体层，在第二半导体层上构造出漏电极和源电极，漏电极和源电极之间通过第一半导体层相连且与第一半导体层欧姆接触从而形成沟道；第一半导体层比第二半导体层具有更大的禁带宽度；第二半导体层和第一半导体层结合在一起构成异质结构；第一半导体层的厚度不大于在异质结构上形成二维电子气2DEG的临界厚度，使异质结构中天然的二维电子气2DEG被耗尽。相对于现有技术，本发明提供的新型增强型III?V异质结场效应晶体管，利用薄势垒层方案获得耗尽的沟道，采用高栅电压重新诱导出2DEG，从而实现性能稳定的增强型器件。
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公开(公告)号：CN216213476U
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202122730021.7
申请日：2021-11-09
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/04
Abstract: 本实用新型公开了带深L形基区的单侧斜面栅碳化硅MOSFET器件，包括从下至上依次为漏极金属、漏极金属上方的碳化硅N+衬底、N+衬底上的N‑漂移区、N‑漂移层中的P+屏蔽层、N‑漂移层上方的栅结构、N‑漂移层上方的栅结构左侧的第一P型基区、N‑漂移层上方的栅结构右侧的第二P型基区、第一P型基区上方左侧为第一P+欧姆接触区、上方右侧为第一N+欧姆接触区，第一P型基区下方的N型电流扩展层，第二P型基区上方左侧的第二N+欧姆接触区、上方右侧的第二P+欧姆接触区；第一P+欧姆接触区和第一N+欧姆接触区上方设有第一源极金属；第二P+欧姆接触区和第二N+欧姆接触区上方设有第二源极金属。
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公开(公告)号：CN217640208U
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202221869083.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司 , 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/331 , G06F30/392
Abstract: 本实用新型公开了一种双T型MIM电容等效电路，等效电路中有效电容的第一端与串联电感一的第二端电连接，第二端与低频寄生电阻的第一端电连接，低频寄生电阻的第二端与高频寄生电感的第一端电连接，高频寄生电感的第二端与串联电感二的第一端电连接，高频寄生电阻与高频寄生电感并联；介质电容一的第一端与串联电感一的第二端电连接，第二端与衬底寄生电容一的第一端电连接，衬底寄生电阻一与衬底寄生电容一并联。本实用新型的双T型等效电路模型可拟合更宽频率范围的MIM电容。
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