公开(公告)号：CN108780809A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780013782.4

申请日：2017-09-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 内藤达也

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供具有晶体管部和二极管部的RC-IGBT。所述RC-IGBT具有晶体管部；二极管部；还具备：半导体基板；第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板的上表面侧；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的源区，其设置于基区的上方；以及2个以上的沟槽部，其以从源区的上端侧贯穿源区和基区的方式设置，二极管部具备：源区；接触沟槽，其在2个以上的沟槽部中的相邻的2个沟槽部之间设置于半导体基板的上表面侧；以及第二导电型的接触层，其设置于接触沟槽的下方，且浓度比基区的浓度高。

公开(公告)号：CN108604602A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780008076.0

申请日：2017-08-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 内藤达也

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/417 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，其具备：半导体基板；第1导电型的发射区，其设置于半导体基板的内部；第2导电型的基区，其在半导体基板的内部，设置于发射区的下方；第1导电型的积累区，其在半导体基板的内部，设置于比基区更靠下方的位置，且包含氢作为杂质；以及沟槽部，其从半导体基板的上表面贯通发射区、基区以及积蓄区域而设置。

公开(公告)号：CN107958906A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710952010.9

申请日：2017-10-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 内藤达也

IPC: H01L27/07 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/1087 ,  H01L27/0716 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/0603

Abstract: 在二极管部中，存在于芯片的上表面侧设置有P+型的接触区的情况。在该P+型的接触区的整个下部设置有N+型的阴极区的情况下，存在从芯片的下表面向上表面流通的电流集中到该接触区的一部分的问题。本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板、设置于半导体基板的晶体管部、以及与晶体管部相邻地设置于半导体基板的二极管部，二极管部具有第二导电型的阳极区、第一导电型的漂移区、第一导电型的阴极区、沿着预定的排列方向排列的多个虚设沟槽部、沿着多个虚设沟槽部的与排列方向不同的延伸方向设置的接触部、以及设置于延伸方向的接触部的外侧的端部的正下方的下表面侧半导体区。

公开(公告)号：CN107924951A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201780002868.7

申请日：2017-03-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 内藤达也

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L27/0635 ,  H01L21/76 ,  H01L21/765 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供容易进行空穴的吸引的半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板，其具有漂移区和基区；晶体管部，其形成于半导体基板；以及二极管部，其与晶体管部邻接而形成于半导体基板，在晶体管部和二极管部形成有多个沟槽部和多个台面部，所述多个沟槽部分别沿着预定的排列方向排列，所述多个台面部形成于各个沟槽部之间，多个台面部中的、位于晶体管部与二极管部的边界处的至少一个边界台面部在半导体基板的上表面具有浓度比基区的浓度高的接触区，边界台面部中的接触区的面积大于其他台面部中的接触区的面积。

公开(公告)号：CN107180855A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710138246.9

申请日：2017-03-09

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小野泽勇一 ,  大井幸多 ,  内藤达也 ,  高桥美咲

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53257 ,  H01L27/0716 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/8613 ,  H01L29/06 ,  H01L27/10

Abstract: 本发明提供具有接触区的半导体装置。所述半导体装置具备：半导体基板；多个第一沟槽部，形成在半导体基板的正面侧，并在俯视时沿预定的延伸方向延伸；第一导电型的发射极区，在多个第一沟槽部的相邻的沟槽之间，形成在半导体基板的正面侧；第二导电型的第一接触区，形成在多个第一沟槽部的相邻的沟槽之间，并在延伸方向上与发射极区交替地配置；第二导电型的第二接触区，在第一接触区的上方与发射极区分离地形成，且与第一接触区相比为高掺杂浓度。

公开(公告)号：CN104981903A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201480007030.3

申请日：2014-03-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 内藤达也

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/405 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866

Abstract: 在包围有源区(21)的第一保护环区上，隔着场氧化膜(9)而设有保护用二极管(10)。保护用二极管(10)由p+型层(19)与n-型层(20)相邻接而得的串联pn齐纳二极管(18)构成。在像这样在保护用二极管(10)下具有第一保护环区的半导体装置(100)中，覆盖聚酰亚胺膜(15)以作为表面保护膜，从而能防止表面保护膜产生裂纹。另外，在保护用二极管(10)下设置第一保护环区，隔着中间区(R)的第三保护环区与非配置于保护用二极管(10)下的第二保护环区相连结，从而能在施加浪涌电压时，缓和配置于保护用二极管(10)下的第一保护环区的最外周的保护环(31e)处的电场集中。