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公开(公告)号：CN105171149B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510716688.8
申请日：2015-10-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23H5/04
Abstract: 一种防钛火涂层的高能微弧火花数控化沉积方法，本发明涉及防钛火涂层的高能微弧火花数控化沉积方法。本发明是为了解决传统的高能微弧火花沉积工艺制备效率低，对涂层表观特征、结构、和性能无法实现精确控制的问题。本发明以三轴数控铣床为平台，通过特殊沉积刀柄，实现数控铣床和高能微弧火花电源的电气集成；利用数控系统强大功能，实现对防钛火涂层制备中沉积策略和沉积路径的精确。本发明有效地解决了传统高能微弧火花沉积工艺人工劳动量大、效率低、及涂层表观特征、结构、性能的再现性差的问题。本发明应用于材料加工领域。
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公开(公告)号：CN105499733A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201511019524.6
申请日：2015-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B23K1/19 , B23K1/008 , B23K1/203 , B23K1/206 , B23K3/0384
Abstract: 一种微弧氧化辅助的低温玻璃钎焊方法，本发明的目的是要解决使用低温玻璃钎料钎焊的过程中，由于钎料与母材化学相容性差或钎焊温度低、熔融玻璃钎料粘度大而导致的铺展润湿不充分，钎焊接头强度较低的问题。钎焊方法：一、将低温封接玻璃粉与粘接剂混合，得到焊膏；二、将待焊母材切割成型；三、对焊件进行超声清洗和打磨；四、对焊件进行微弧氧化及封孔处理；五、焊膏涂覆在微弧氧化后的焊件表面；六、组成待焊件；七、在氩气氛围或负压条件下进行高温焊接。本发明使用的低温封接玻璃的封接温度低，线膨胀系数小，获得的钎焊接头无裂纹、气孔，残余应力小，强度高，气密性好，同时微弧氧化形成的致密陶瓷膜层对母材有良好的保护作用。
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公开(公告)号：CN105418131A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201511023729.1
申请日：2015-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00
CPC classification number: C04B37/001 , C04B2237/10
Abstract: 一种氧化铝陶瓷低温钎焊连接方法，本发明涉及一种氧化铝陶瓷低温钎焊连接的方法，它为了解决现有钎焊氧化铝陶瓷的焊接温度较高，获得的接头连接强度较低的问题。钎焊连接方法：一、将Bi2O3、B2O3、ZnO和SiO2混合，得到低熔点铋酸盐玻璃粉；二、机械打磨氧化铝陶瓷，超声清洗得到预处理氧化铝陶瓷；三、制备生长有硼酸铝晶须的氧化铝陶瓷；四、将玻璃焊膏涂覆到生长有硼酸铝晶须的氧化铝陶瓷的表面；五、两块待焊氧化铝陶瓷件接触对齐；六、在480～650℃的温度下进行钎焊连接。本发明实现了在较低温度下对氧化铝陶瓷的连接，所采用玻璃钎料的热膨胀系数与氧化铝陶瓷相匹配，得到的焊接接头的剪切强度可达到60～100MPa，保证了氧化铝连接的可靠性。
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公开(公告)号：CN105174720A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510727427.6
申请日：2015-10-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种轻质反射镜的制造方法。本发明属于航空航天领域中先进制导武器的光电稳瞄和自动跟踪系统领域，具体涉及一种反射镜的制造方法。本发明的目的是要解决传统反射镜制造方法中加工难度大以及重量还不够轻的问题。方法：一、碳化硅颗粒增强铝基复合材料底座的处理；二、配制玻璃钎料；三、加热润湿；四、光学加工。本发明利用玻璃钎料在高体积碳化硅增强铝基复合材料表面良好的润湿性，实现反射镜的轻量化。玻璃钎料体系众多，通过调整不同组分的配比，可以得到具有不同的热膨胀系数和玻璃软化温度的玻璃，使之在一定温度下与铝基复合材料的润湿性良好，可以在铝基复合材料表面得到均匀的玻璃层，解决了轻质反射镜制造工艺的关键技术。
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公开(公告)号：CN105139918A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510363086.9
申请日：2015-06-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种柔板印刷用低银高性能导电浆料及其制备方法。本发明涉及高分子复合材料领域，尤其涉及一种柔板印刷用低银高性能导电浆料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有存在的高性能导电银浆易电迁移、柔韧性差以及使用粘度大的问题。产品：由丁腈改性环氧树脂、导电金属填料、无水乙醇、纳米二氧化硅、潜伏型固化剂、偶联剂和防沉降剂制备而成。方法：一、称取原料；二、将潜伏型固化剂加入到丁腈改性环氧树脂中，得混合溶液A；三、向无水乙醇中依次加入偶联剂和防沉降剂，得混合溶液B；四、向混合溶液B中加入导电金属填料，得混合物A；五、向混合物A中加入纳米二氧化硅，得混合物B；六、将混合物B加入到混合溶液A中，得到导电浆料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105116700A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510639856.8
申请日：2015-09-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G03G15/6591 , H05K3/106
Abstract: 采用光诱导制备多种单面多层单功能和单面、双面多层多功能的印制电子产品的方法，涉及印制电子技术领域。本发明是为了解决现有的喷墨印制电子技术的无法实现高效率、高分辨率、规模化的电子电路生产的问题。首先选择基板，并在计算机上完成电路信息或绝缘层信息的设计，通过光束控制器控制光束照射，使电路信息或绝缘层信息储存在感光材料上，形成电路或绝缘层信息的静电潜像，再在感光材料上覆盖功能性墨粉，此时电路信息或绝缘层信息转化为可视墨粉电路或绝缘层图像，再通过热压烧结或静电吸附或二者相结合的技术将功能性墨粉转印至基板上，再经过烘烤，形成电路层或绝缘层。本发明还适用于印制集成电路等。
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公开(公告)号：CN103274715B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310227145.0
申请日：2013-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/00
Abstract: 一种基于高温应用的间隙碳化物或氮化物陶瓷的低温活性扩散连接方法，它涉及一种基于高温应用的间隙碳化物或氮化物陶瓷的连接方法。本发明是要解决传统陶瓷连接方法中接头残余应力大、强度低、耐热性能不足和连接温度高的问题。方法：一、表面清理；二、预置活性金属层；三、真空扩散连接；即完成基于高温应用的间隙碳化物或氮化物陶瓷的低温活性扩散连接。本发明在活性金属Ti层厚度4μm，连接压力20MPa，连接温度1400℃，连接时间60min的工艺参数下，实现了间隙ZrC0.95陶瓷的活性扩散连接，接头剪切强度为200MPa，和传统陶瓷连接方法相比提高了近2倍。本发明可用于间隙碳化物或氮化物陶瓷的低温活性扩散连接。
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公开(公告)号：CN102643104B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201210149336.5
申请日：2012-05-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: 二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的扩散连接方法，它涉及二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的连接方法，本发明要解决现有二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的活性钎焊接头强度低的问题。本发明通过如下步骤来实现：一、二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的预处理；二、泡沫镍中间层的预处理；三、扩散焊连接。本方法缓解了接头应力，提高了接头强度。使用本方法得到的扩散焊接头剪切强度为176.5MPa~208.1MPa，比采用钎焊法的连接接头剪切强度提高了76%~197%，本发明可用于扩散焊连接领域。
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公开(公告)号：CN102319962B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110243599.8
申请日：2011-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/28
Abstract: 一种熔点低于600℃的Sn-Zn-Ti活性钎料的制备方法，它涉及一种活性钎料的制备方法。本发明为了解决在600℃以下实现钎料对复合材料良好润湿及钎料与增强相良好连接的问题。本发明的一种熔点低于600℃的Sn-Zn-Ti钎料具体的操作步骤如下：一、制备Sn-Ti合金锭，二、成型。本发明制备的一种熔点低于600℃的Sn-Zn-Ti活性钎料熔点为400℃~500℃，润湿角为43.89°~84.16°，强度为10.56~42.68MPa。本发明主要用于制备一种熔点低于600℃的Sn-Zn-Ti活性钎料。
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公开(公告)号：CN102643104A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210149336.5
申请日：2012-05-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B37/02
Abstract: 二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的扩散连接方法，它涉及二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的连接方法，本发明要解决现有二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的活性钎焊接头强度低的问题。本发明通过如下步骤来实现：一、二硼化锆碳化硅复合材料与金属合金的预处理；二、泡沫镍中间层的预处理；三、扩散焊连接。本方法缓解了接头应力，提高了接头强度。使用本方法得到的扩散焊接头剪切强度为176.5MPa~208.1MPa，比采用钎焊法的连接接头剪切强度提高了76%~197%，本发明可用于扩散焊连接领域。
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