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公开(公告)号：CN114137719B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202111454282.9
申请日：2021-12-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种偏转可控的纳米线微振镜，包括一对导电电极、悬空于两导电电极之间的弛豫型导电纳米线以及固定在弛豫型纳米线中间的反射镜片。所述的弛豫型导电纳米线形貌包括但不限于三角形、U形、圆形以及多边形。本发明的纳米线微振镜的支撑结构由传统硅材料制成，具有优异的力学性能，可在撤销偏转力后恢复到原始形状，实现稳定应用。
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公开(公告)号：CN110767537B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201911071316.9
申请日：2019-11-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备三维超可拉伸晶态纳米线的方法，1)利用PECVD或者PVD在衬底上淀积一层绝缘介质层作为牺牲层，2)利用光刻、电子束直写定义周期台阶边缘图案，利用干法或湿法交替刻蚀工艺刻蚀介质层形成垂直台阶侧壁；3)用腐蚀性液体处理台阶表面，形成波浪形台阶；4)再次光刻电子束直写或者掩膜板技术定义垂直于台阶的图案以及刻蚀技术进行制备垂直于台阶的二次引导沟道；5)通过光刻、蒸发或者溅射工艺，局部淀积一层带状的催化金属层；6)催化金属层转变为分离的金属纳米颗粒；7)将温度降低到催化金属颗粒熔点以下，将整个结构表面淀积覆盖非晶半导体前驱体薄膜层；淀积出晶态的纳米线；纳米线将沿波浪台阶的引导沟道生长。
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公开(公告)号：CN109950393B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201910191817.4
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种可堆叠大面积制备的纳米线交叉点阵列阻变存储器件结构的制备方法，包括：利用树脂胶体材料转移法，实现硅纳米线阵列与薄膜材料的交替堆叠与交叉分布，形成三维空间的薄膜夹层硅纳米线交叉点阵列结构；交替堆叠过程中，以顶层硅纳米线为掩模，借助刻蚀设备，将网格部分无纳米线遮挡的薄膜材料刻蚀，从而得到纳米线交叉点与夹层薄膜材料的极小点接触结构，为制备忆阻器件提供准直性极强的垂直导电通道。本发明不需要引入价格昂贵的微纳操控技术(如纳米机械手臂)，仅使用简单转移技术实现纳米材料的定向堆叠，同时利用硅纳米线作为掩模对薄膜材料进行精确刻蚀，可靠地制备纳米级“三明治”式点对点接触结构的电子器件。
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公开(公告)号：CN109876297B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201910169233.7
申请日：2019-03-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种植入式光电心脏起搏器及其制备方法，该制备方法直接将通过气‑液‑固(VLS)生长机制生长的径向结太阳能电池制作成光电心脏起搏器贴片或起搏线，或对其采用酸处理、超声等方法，获得可注射的纳米或微米级的光电起搏器，通过贴片、微创注射植入手术，将该光电起搏器应用在心外膜表面或注射入心肌表层，在体内接受光照时其能产生大的开路电压或电荷，实现对心肌的刺激，在无电池、无导线的条件下使心脏起搏。该发明可减少患者更换供电装置带来的身体损伤及高额的手术费用，同时减少导线穿过静脉时带来的炎症反应；且依托于半导体产业成熟的制作工艺，该光电心脏起搏器的太阳能电池结构可以进行批量生产，且成本低廉。
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公开(公告)号：CN107086180B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710152423.9
申请日：2017-03-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种单根纳米线多通道复用薄膜晶体管器件的制备方法，1)采用具有一定硬度，耐300℃温度的支撑性材料作为洁净衬底的表面；2)在衬底上通过光刻刻蚀技术制作出深度约100±10nm，8μm*2μm周期性回环的引导沟道；3)通过平面纳米线引导生长方法，使直径约50±10nm直径的晶体纳米线精确地沿着所述引导沟道生长，形成单根纳米线多通道复用形状的纳米线；4)通过光刻和蒸镀技术在纳米线特定位置的两侧制作80‑120nm厚度的金属块作为金属电极；5)利用ALD在纳米线阵列上方定义覆盖介质层；6)通过光刻热蒸发在介质层上方特定位置定义栅极，厚度为100nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109234807A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810614845.8
申请日：2018-06-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种可拉伸晶体半导体纳米线及其制备方法，所述可拉伸晶体半导体纳米线具有细长的主体，所述纳米线直径在20-200纳米之间，所述纳米线为为晶态无机半导体结构。所述可拉伸晶体半导体纳米线为弯曲结构，在轴向方向具有多个可拉伸单元，所述多个可拉伸单元依次连接，从而形成可拉伸晶体半导体纳米线。本发明采用IP-SLS等方法在PECVD中生长沟道台阶引导的纳米线，并利用现代微加工技术进行制作成弹簧结构晶体纳米线阵列。由于此类纳米线与引导沟道截面可以有效调节，可以进一步进行剥离和转移到其他柔性衬底之上。本发明制备弹簧结构晶体纳米线的方法在柔性电子领域、传感器的应用方面有着广阔的前景。
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公开(公告)号：CN104103817A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410212387.7
申请日：2014-05-19
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01M4/362 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01M4/38 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 本发明公开了一种用于锂电池阳极材料的纳米异质结构材料，采用导电性好的一维金属氧化物(SnO2或、In2O3或SnOx，InxOy，Sn掺杂InxOy，In掺杂SnOx，TiOx，VxOy)纳米结构作为主干材料；用导电性较逊Si或Ge一维纳米结构作为枝干材料；枝干材料嫁接于主干材料。嫁接过程只需将SnO2(In2O3)纳米主干经过氢气处理就会在其表面形成Sn(In)纳米颗粒，以其作为催化剂通过VLS生长过程即可直接外延Si(Ge)纳米枝干。该异质结构中的枝干部分，顶着Sn纳米颗粒生长的一维Si(Ge)纳米结构也是一种很好的储锂体系。
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公开(公告)号：CN103852951A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410055784.8
申请日：2014-02-19
Applicant: 南京大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 利用纳米硅和二氧化硅界面态来提高非线性光学性能的方法，包括以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术在单晶硅衬底或者石英衬底制备非晶硅/二氧化硅交替的多层薄膜，非晶硅/二氧化硅的层数一般为4-16层，通过控制非晶硅的生长时间及原位等离子氧化时间来控制非晶硅子层和二氧化硅子层的厚度；控制非晶硅子层和二氧化硅子层厚度，随后形成纳米硅量子点时获得尺寸和密度不同的材料；2）对非晶硅/二氧化硅多层薄膜进行热退火处理。本发明可以在较大范围增强非线性光学系数，还可以调控其非线性光学性能。
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公开(公告)号：CN103275703A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310162355.6
申请日：2013-05-06
Applicant: 南京大学
IPC: C09K11/59
Abstract: 利用铋离子注入非晶硅基功能薄膜实现硅基材料近红外光发射的方法，包含以下步骤；1）利用等离子体增强化学气相淀积技术制备非晶硅基薄膜；2）铋离子注入非晶硅基薄膜，铋离子注入时，衬底的温度为室温，注入能量为200±50KeV，铋离子注入剂量范围从1×1012/cm2到1×1014/cm2；经过以上两个步骤就可以制备不同剂量铋离子注入的非晶硅氮氧薄膜或非晶富硅二氧化硅薄膜。本发明利用平板电容型射频等离子体增强化学气相淀积（PECVD）技术和离子注入技术在非晶硅基薄膜中注入不同剂量的铋离子。成功观测到稳定、高效的1157nm处稳定高效的近红外光致发光。
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公开(公告)号：CN1966397A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610097955.9
申请日：2006-11-23
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00 , C23C16/513
Abstract: 气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法，首先在等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)系统中衬底硅表面分别进行氩气(Ar)等离子体和氢气(H2)等离子体的预处理，在衬底硅表面形成硅纳米环的成核中心；然后，在PECVD系统中原位周期性交替使用大氢稀释硅烷气体(SiH4+H2)和纯氢气(H2)对成核中心进行硅的生长和刻蚀，形成硅量子环纳米结构。对硅衬底表面预处理，形成纳米环结构的成核中心，其密度必须控制在1～3×108/cm2，为以后环结构的生长提供条件；周期性交替使用大氢稀释硅烷气和氢气进行硅生长和刻蚀的方法是：在每个周期当中，使用大氢稀释硅烷在成核中心进行生长，然后以纯氢气进行硅的刻蚀。重复上述淀积和刻蚀5－50个周期。
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