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公开(公告)号：CN1803816A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610002053.2
申请日：2006-01-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: C07F17/00
Abstract: 本发明属氢化物材料制备领域。一般稀土氢化物只能以粉末的形式存在，且难获得单一成分的氢化物。本发明包括以下步骤：利用氢电弧等离子装置，以纯钆作为阳极，金属钨作为阴极，氢气和氩气体积比为0.2－0.8，总压力100－650torr，选择电弧电流50－150A，电弧电压10－50V，起弧时间0.5－2小时将制备成钆的氢化物纳米颗粒；置入高纯氩气体保护的预处理室，装入石墨模具并预压成型，压力10－30MPa；将预压成型的生坯放电等离子烧结，烧结工艺参数为：烧结温度为750－900℃，压力为30－50MPa，烧结脉冲比为1∶12，升温速率为50－80℃/min；烧结完样品随炉冷却得到具有高纯度的GdH2块体材料。本发明提供的稀土钆元素的氢化物块体材料具有良好的显微组织结构，且纯度较高。
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公开(公告)号：CN1752241A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200510115766.5
申请日：2005-11-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于热电材料领域。现有微米晶粒的CoSb3材料热导率高，而纳米晶粒的CoSb3材料虽然具有低的热导率，但同时电导率也出现大幅度下降，使其在300－800K温度范围内的ZT最大值只有0.057。该制备方法：以80－100nm金属钴、80－100nm金属铁、20－40μm的稀土金属镧和20－40μm锑单质元素粉末为原料，按LaxFeCo3Sb12(x＝0.0－0.6)化合物的化学式称重配料，在氩气保护下，粉末研磨混合，然后进行放电等离子烧结(SPS)原位反应合成，压力60－80MPa，升温速率100－120℃/min，温度560－580℃，保温时间6－8min，气氛为真空。本发明提供了一种制备时间短、节能节时、工艺简单、成本低的热电材料快速制备方法，以获得具有纳米/微米复合晶粒结构的LaxFeCo3Sb12致密块体热电材料，使ZT值提高10倍以上。
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公开(公告)号：CN1740357A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510104828.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属高温超导涂层韧性基带及超导薄膜制备领域。熔炼易造成W不均匀分布，浇铸易形成空洞，密度低，需后续热锻提高致密度，但引起材料表面氧化。粉末冶金周期长，温度高，晶粒粗大，密度低。本发明步骤：Ni粉和W粉，纯度99.9％以上，粒度为3～6微米，合金成分W的原子百分比为3～7％；混合均匀后装入模具中放电等离子烧结；温度800℃～1200℃，保温0～10分钟；压强30－80MPa；室温下对Ni－W板冷轧，道次变形量为5～15％，总变形量大于97％；用Ar混合H2气氛再结晶退火，H2体积百分比为4％，温度900～1300℃，退火0.5～3小时。本发明简单快速，得到成分均匀、晶粒细小的合金块，很强的单一组分{100} 再结晶织构的多晶Ni－W基带，用于沉积YBCO高温超导膜。
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公开(公告)号：CN1232669C
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200410003442.8
申请日：2004-03-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 放电等离子原位合成硬质合金方法属于合成烧结技术领域。特征在于包括以下步骤：将质量百分比83%～88%的WO3配12%～17%的炭黑或者70%～85%的WO3和1%～15%Co粉或1%～20%CoO粉加入10%～17%的炭黑或者用83%～90%CoWO4加入10%～17%的炭黑混和同时按常规工艺加入乙醇润湿，球磨至粒度0.8微米以下后烘干；装模具，在放电等离子烧结设备中进行烧结，抽真空至3～4Pa，在80～150℃/min下快速升温至850℃，然后以40～75℃/min升温至1100℃，待真空度恢复至3～4Pa，加压30～50MPa，在1200～1300℃下保温2～5min冷却后得WC硬质合金。解决了制备工艺复杂，大能源消耗、纯化成本问题，控制晶粒长大，减小抑制剂和化学反应附属产物的生成对材料性能造成影响的。
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公开(公告)号：CN1632961A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410086895.1
申请日：2004-11-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种层状钴基氧化物热电材料的制备方法，属于功能材料中的氧化物热电材料领域。针对传统固相合成方法存在反应温度较高、反应时间相对较长以及化学均匀性不好、能耗大，难以获得细晶粒尺寸热电化合物等问题。该方法将反应原料分别按Ca2Co2O5、Ca3Co4O9、MxCa2－xCo2O5、MxCa3－xCo4O9，其中M＝Cu，Ag，La，Ce，x＝0.05~0.5之一中阳离子的计量比配置成浓度为0.1～0.5mol/l的溶液，在搅拌下滴加氢氧化钠、碳酸钠、草酸铵之一或其混合液的共沉淀剂，控制pH值在12.5～13.6，沉淀，经过滤、洗涤干燥成前驱粉末；于600～800℃下煅烧2～6小时，装入模具中，压实用放电等离子烧结设备烧结，温度为700～900℃，保温5～10min。本发明较低的反应温度及较短时间，合成一种化学均匀性高、稳定性好、晶粒均匀的钴基氧化物热电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1181503C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN02153471.3
申请日：2002-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土-铁-硼永磁材料的制备方法，属于磁性材料技术领域。该制备方法依次包括步骤如下：采用目前烧结NdFeB的制粉工艺获取R(稀土)-Fe-B原料粉末，然后装入SPS专用模具进行磁场取向和压型；将上述R(稀土)-Fe-B原料粉末连同模具在真空或惰性气体保护下进行放电等离子烧结，烧结条件为：加热速度30-300℃/min，烧结温度700-900℃，加压10-700MPa，保温时间0-30min，冷却速度10-100℃/min；烧结后磁体进行二级热处理，其中第一级热处理温度900-1100℃，时间1-3h，第二级热处理温度600-900℃，时间1-3h。采用该方法制备的稀土-铁-硼永磁材料同时具有高耐腐蚀性、高磁性能和高尺寸精度。
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公开(公告)号：CN1400022A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02130909.4
申请日：2002-09-13
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种Ti表面HA活性涂层生物材料及其制备方法属于粉末冶金技术领域。该材料特征在于：Ti基体表面的涂层含有重量百分比为80－96％的羟基磷灰石(以下简称为HA)，0－14％的Ti，4～6％的水玻璃。该制备方法选用HA粉和(HA+Ti)混合粉，并加入水玻璃作为钝化剂作为Ti表面的涂层材料；在模具中将上述涂层材料装在Ti表面，放入放电等离子烧结设备(SPS)中进行烧结，抽真空，加压20～30MPa，在80～150℃/min下快速升温至850～950℃下保温2～10min。该方法制得的Ti表面HA活性涂层的生物材料具有界面结合强度高，并实现了Ti与HA之间冶金结合的特点。
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公开(公告)号：CN1089813C
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN99109750.5
申请日：1999-07-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种电子管阴极材料及其制备方法属于稀土金属-钼材料技术领域。本发明的电子管阴极材料，它含有La2O3和Y2O3中的一种或两种稀土氧化物，稀土氧化物占钼的总重量为3.0～5.0%。电子管阴极材料的制备方法采用的一次碳化工艺中，碳化温度控制在1300～1500℃之间，碳化时间为8分钟，碳化时苯压为8.5～9.5Pa，碳化度为5～10%，碳化后在丝材表面形成Mo2C层，晶粒取向与丝材表面垂直。用该方法制备出的电子管阴极材料，工作温度低，寿命长。
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公开(公告)号：CN1360079A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN01139972.4
申请日：2001-11-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 二元稀土钼次级发射材料及其制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的二元稀土钼次级发射材料,其特征在于:它含有La2O3和Y2O3两种稀土氧化物,其稀土氧化物占钼的总重量为10－40%(重量百分比),其中,La2O3∶Y2O3=1∶3(重量比)。该二元稀土钼次级发射材料的制备方法是在钼的氧化物或钼粉中,以稀土硝酸盐水溶液形式加入一定量的二元稀土氧化物La2O3和Y2O3,然后在500－550℃的氢气中处理1－5小时,经过800－1000℃的还原处理后,得到掺杂稀土氧化物的钼粉,然后采用粉末冶金的方法制备稀土钼次级发射材料。该材料次级发射系数大、发射稳定性好、易于加工、抗暴露大气能力好。该材料应用于磁控管次级发射材料领域。
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公开(公告)号：CN1056419C
公开(公告)日：2000-09-13
申请号：CN97111785.3
申请日：1997-05-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 氧化镧钼箔带材及其制造方法属于稀土钼箔带材制造领域，它的主要成分是金属钼，它还含有占钼的重量比为0.2～0.6%的La2O3，其宽度1.5～4.0mm，厚度0.02～0.06mm。将La2O3-Mo丝材处理后在1300～1400℃下进行轧制前预退火、对其作第一道次变形量为20～30%的冷轧也可作第一道次变形量为30～50%的温轧、当总变形量达到60～65%时在900～1100℃下退火、室温下精轧至总变形量为70～80%、在800℃下退火后直接轧制至成品箔带材。其加工性能好、强度高、不易弯曲脆断、成品率高。
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