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公开(公告)号：CN104924510A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510290918.9
申请日：2015-05-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种激光辐照扫描方式制备图案化涂层的方法属于材料制备领域。本发明具有绿色环保、操作方便，可以进行远距离非接触加工、易操作、可以通过掩膜或激光扫描路径设计获得面积可控的图案化涂层等特点。本发明包括具有可见指示光的连续型光纤激光器、传输光纤、辐照加工头、可编程控制在X、Y方向以选定速度移动的机器人、柱面镜、工作台、具有滤波单元的实时监控系统、控制系统单元。通过编程控制机器人的扫描路径，使用连续型光纤激光器在不同工艺参数下对涂料进行扫描辐照来制备涂层。该方法操作简单方便，无需任何额外工艺辅助，系统维护成本极低。有望取代原有烘烤固化工艺，在工业生产流水线上推广引用。
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公开(公告)号：CN104028896A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410268673.5
申请日：2014-06-17
Applicant: 北京工业大学 , 首都医科大学附属北京口腔医院
IPC: B23K26/36 , B23K26/082
CPC classification number: B08B7/0042
Abstract: 本发明是一种超短脉冲激光扫描方式去除脱落正畸托槽底板粘结剂的方法。本发明所用装置包括、具有可见指示光的超短脉冲激光器、圆偏振反射镜系统、振镜扫描系统、正畸托槽夹具、具有滤波单元的实时监控系统、控制系统单元。通过振镜扫描系统，使用超短脉冲激光器在不同工艺参数下完成对正畸托槽底板残余粘结剂的扫描去除。该方法利用了超短脉冲激光对材料的冷消蚀去除，使得陶瓷托槽的美观性完全未受到损伤，具有极高的临床应用价值。整个去除方法简单方便，无需任何额外的工艺辅助，单个正畸托槽底板残余粘结剂的去除时间最快约一分钟左右，且安全绿色高效。并且无应力的粘结剂去除方式保证了整个正畸托槽基体及底板固位结构的完整性。
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公开(公告)号：CN103756671A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410015279.0
申请日：2014-01-13
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C09K11/025 , C09K11/54 , Y10T428/25 , Y10T428/254 , Y10T428/259
Abstract: 本发明涉及一种增强发光薄膜光致荧光发光强度的三明治结构及制备方法，该三明治结构为微米透明介电小球单层密铺于发光薄膜表面形成的衬底—发光薄膜—单层密铺小球阵列的三明治结构；所使用的微米介电小球要对光致荧光发光中激发光和荧光波长具有较高的透射率；所使用的荧光增强媒介—微米级透明介电小球的价格低廉，适合工业规模化应用；所使用的微米透明介电小球在空气环境下无氧化，可长期稳定地增强发光薄膜光致荧光发光强度；所使用的微米透明介电小球对发光薄膜及衬底没有要求，衬底可为非金属或金属，有效地扩展了发光薄膜光致荧光发光增强技术的应用范围。
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公开(公告)号：CN102294543B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110169436.X
申请日：2011-06-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明是一种观察激光切割材料过程中透明熔融层的方法，属于材料加工领域。本发明所用装置包括可见光波段指示用激光器、衰减镜、扩束准直系统、光阑、由待切割材料、垫片、透明材料构成的楔状物、扩束镜、光屏、每秒拍摄1000帧以上高速摄像机和同步装置。将楔状物固定在机床上，其他装置固定在平台上，经调试使指示用激光器发射的激光照射到待切割材料切面，在反射光方向透过扩束镜，使用光屏接收干涉条纹，并由同步装置使切割开始时高速摄像机拍摄光屏，记录反应熔融层形成与形貌变化的干涉条纹，实现对激光切割中，透明熔融层的观察。该发明能够直接应用于现有激光切割设备上，能方便进行在线观察切割中的熔融层变化，且装配、拆卸简单。
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公开(公告)号：CN102502613B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110382636.3
申请日：2011-11-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明是一种采用激光辐照碳化硅直接制备石墨烯的方法，属于材料制备领域。与其他制备石墨烯的方法相比，激光辐照SiC直接制备石墨烯具有制备工艺简单、易操作、可以通过掩膜或激光扫描路径设计获得面积可控的图形化的石墨烯层等特点，更有望直接制成电子器件，进行批量生产。本发明先将SiC晶片进行预处理，去除表面污染及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用308nm-532nm的激光器对SiC进行辐照，单脉冲能量密度1.0-1.33J/cm2，在表面几nm的深度内获得石墨烯层，经测试鉴定，具有石墨烯拉曼频谱特征峰：D峰(～1350cm-1)、G峰(～1580cm-1)、2D峰(～2710cm-1)。经辐照后的样品表面电阻由MΩ级下降到Ω级，导电性能提高了近6个数量级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102814590A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210254948.0
申请日：2012-07-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/36 , C04B35/638
Abstract: 本发明是一种脱落正畸托槽底板粘结剂的激光去除方法。本发明将正畸托槽通过夹具放置于激光光路路径中，利用指示激光，通过变动正畸托槽夹具与光束整形聚焦系统之间的位置来调整指示光斑，使指示激光光斑能够完全覆盖正畸托槽；根据正畸托槽的类型和底板结构，设定准分子激光器输出特性后对正畸托槽进行辐照，并通过实时监控系统观察正畸托槽表面状况，粘结剂去除完成后结束辐照。该发明能够直接实现各类型正畸托槽，装配、拆卸方便，去除工艺简单，整个过程快速有效，无需任何冷却条件配置，单件正畸托槽底板粘结剂的整个去除过程最快仅约30秒左右，且不引入外来污染，绿色环保。
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公开(公告)号：CN102030486B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010515828.2
申请日：2010-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: C03C27/00
Abstract: 本发明公开了一种玻璃-可伐合金激光焊接方法及其专用夹具，属于激光焊接技术领域。该装置包括夹具底座、弹簧、中间件和夹具罩；弹簧置于夹具底座上表面的圆形槽内；中间件通过下表面的圆形槽置于弹簧上，上表面施焊区设有通道，通道通过气孔与外界相通；夹具罩下表面设的凹槽可与中间件间隙配合，凹槽侧面的通气孔与夹具罩上的通道连通，在夹具罩设有微调螺母；夹具底座与夹具罩通过活扣固定加紧。焊接方法为：将可伐合金表面的杂质和氧化层除去并制备具有微结构的新氧化层，然后将玻璃和可伐合金用上述夹具进行焊接。本发明适用范围广，可进行大尺寸硼硅3.3.玻璃-可伐合金焊接，对材料的没有特殊机械结构的要求，焊接条件要求简单。
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公开(公告)号：CN102502613A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110382636.3
申请日：2011-11-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明是一种采用激光辐照碳化硅直接制备石墨烯的方法，属于材料制备领域。与其他制备石墨烯的方法相比，激光辐照SiC直接制备石墨烯具有制备工艺简单、易操作、可以通过掩膜或激光扫描路径设计获得面积可控的图形化的石墨烯层等特点，更有望直接制成电子器件，进行批量生产。本发明先将SiC晶片进行预处理，去除表面污染及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用308nm-532nm的激光器对SiC进行辐照，单脉冲能量密度1.0-1.33J/cm2，在表面几nm的深度内获得石墨烯层，经测试鉴定，具有石墨烯拉曼频谱特征峰：D峰(～1350cm-1)、G峰(～1580cm-1)、2D峰(～2710cm-1)。经辐照后的样品表面电阻由MΩ级下降到Ω级，导电性能提高了近6个数量级。
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公开(公告)号：CN102294543A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110169436.X
申请日：2011-06-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明是一种观察激光切割材料过程中透明熔融层的方法，属于材料加工领域。本发明所用装置包括可见光波段指示用激光器、衰减镜、扩束准直系统、光阑、由待切割材料、垫片、透明材料构成的楔状物、扩束镜、光屏、每秒拍摄1000帧以上高速摄像机和同步装置。将楔状物固定在机床上，其他装置固定在平台上，经调试使指示用激光器发射的激光照射到待切割材料切面，在反射光方向透过扩束镜，使用光屏接收干涉条纹，并由同步装置使切割开始时高速摄像机拍摄光屏，记录反应熔融层形成与形貌变化的干涉条纹，实现对激光切割中，透明熔融层的观察。该发明能够直接应用于现有激光切割设备上，能方便进行在线观察切割中的熔融层变化，且装配、拆卸简单。
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公开(公告)号：CN101439968B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810240894.6
申请日：2008-12-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/64
Abstract: 一种实现(Ta2O5)1-x(TiO2)x基陶瓷介电温度系数热补偿的方法属于陶瓷材料制备领域。采用引入新组元调节介电温度系数的方法造成杂质污染的同时影响材料的其他介电性能。本发明通过采用二氧化碳激光器作为热源原位直接烧结(Ta2O5)1-x(TiO2)x基陶瓷坯体后，0.35≤X≤0.6，再于氧气氛中退火调节介电温度系数，烧结工艺参数为：将激光功率密度在10-30s内从初值10-30W/cm2提高至500-800W/cm2，烧结10-30s后，再于10-60s内降到初值；退火温度750-1100℃，0.1-0.5MPa的氧气氛，退火时间6-10小时。本发明方法简单易行，实现无污染调和。
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