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公开(公告)号：CN101626059A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910140219.0
申请日：2009-07-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供一种包含在组成中具有In的III族氮化物半导体的量子阱结构的制造方法，在通过该方法制造的量子阱结构中，可以抑制结晶结构的分解并实现与In组成对应的发光特性。上述方法包括：阱层生长工序，将蓝宝石基板(15)的温度保持为第一温度，并且生长InGaN阱层(5a)；中间层生长工序，使基板(15)的温度从第一温度逐渐升温，同时在阱层(5a)上生长GaN中间层(5c)；以及阻挡层生长工序，将基板(15)的温度保持为比第一温度高的第二温度，并且在中间层(5c)上生长GaN阻挡层(5b)。在中间层生长工序中，使中间层(5c)生长为大于1nm且小于3nm的厚度。
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公开(公告)号：CN101542760A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000429.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/06 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 提供有源层(17)以使得发射具有440nm至550nm范围的发射波长的光。第一导电类型氮化镓半导体区域(13)、有源层(17)和第二导电类型氮化镓半导体区域(15)沿着预定轴Ax的方向设置。有源层(17)包括由六方晶系的InxGa1－xN(0.16≤x≤0.4，x：应变组分)的阱层，铟组成x由应变组分表示。六方晶系的InxGa1－xN的m平面沿着预定轴Ax被定向。阱层的厚度在大于3nm且小于或等于20nm之间。使阱层的厚度超过3nm，能够制造具有发射波长超过440nm的发光器件。
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公开(公告)号：CN101515700A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910007584.4
申请日：2009-02-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供III族氮化物发光器件及制造III族氮化物基半导体发光器件的方法。在氮化镓基半导体区域的基面上生长具有量子阱结构的有源层。该量子阱结构以具有410nm以上的发射峰值波长的方式形成。阱层的厚度为4nm以上10nm以下。该阱层由InXGa1－XN(0.15≤X＜1，其中X为应变组分)组成。所述氮化镓基半导体区域的基面关于六方晶系III族氮化物的{0001}面或{000－1}面以15度以上85度以下的范围内的倾斜角倾斜。该范围中的基面是半极性面。
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公开(公告)号：CN100472825C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200510004321.X
申请日：2005-01-13
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 独立行政法人理化学研究所
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供半导体发光元件及制作半导体发光元件的方法。半导体发光元件(1)具备：发光区域(3)、第1AlX1Ga1-X1N半导体(0≤X1≤1)层(5)、第2AlX2Ga1-X2N半导体(0≤X2≤1)层(7)。该半导体发光元件中，发光区域由III族氮化物半导体制成，包含InAlGaN半导体层。第1AlX1Ga1-X1N半导体层例如被镁(Mg)之类的p型掺杂剂掺杂，被设于发光区域上。第2AlX2Ga1-X2N半导体层被设于发光区域和第1AlX1Ga1-X1N半导体层之间。第2AlX2Ga1-X2N半导体层具有比第1AlX1Ga1-X1N半导体层的p型掺杂剂浓度更小的p型掺杂剂浓度。
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公开(公告)号：CN101345221A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810130233.8
申请日：2008-06-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法。提供一种GaN衬底，由该GaN衬底可以制造增强发射效率的发光及半导体器件，提供其中在GaN衬底主表面上形成外延层的外延衬底、半导体器件以及制造GaN衬底的方法。该GaN衬底是具有主表面的衬底，相对于其法线矢量，[0001]平面取向在两个不同的离轴方向上倾斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100414724C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200480009899.8
申请日：2004-08-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/58 , H01L2224/05573 , H01L2224/16245 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/2076 , H01L2224/05599 , H01L2924/00011 , H01L2224/45099
Abstract: 公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n-型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n-型氮化物半导体层(2)更远处的p-型氮化物半导体层(6)，以及安置在n-型氮化物半导体层(2)和p-型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p-型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。
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公开(公告)号：CN101241851A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710195806.0
申请日：2003-01-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/38 , C30B29/40
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647
Abstract: 一起使用ELO掩膜和缺陷种子掩膜的方法生长很少有位错的GaN晶体。ELO掩膜使得GaN晶体不能直接生长，但是能横向生长；缺陷种子掩膜使得缺陷集中的封闭缺陷聚集区域生长。材料SiN、SiON或SiO2中任一种用于ELO掩膜，同时Pt、Ni或Ti材料中任一种用于缺陷种子掩膜。蓝宝石、GaAs、尖晶石、Si、InP、SiC等单晶基片或其中在这些的单晶基片上涂覆GaN缓冲层的下层基片，补充地提供ELO掩膜和缺陷种子掩膜以及GaN被气相沉积。
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公开(公告)号：CN1295772C
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN03800627.8
申请日：2003-01-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种方便测量半导体外延晶片击穿电压的测量方法，以及一种实现较高耐受电压的半导体外延晶片。在根据本发明的半导体外延晶片(10)的耐受电压测量方法中，仅仅使用肖特基触点来测量触点(14、18)之间的耐受电压，而不需要使用电阻触点。由于相应地省略了形成电阻触点的制造过程，从而半导体外延晶片可以方便地用于耐受电压测量的测试。因此，可以方便地测量晶片(10)的耐受电压。另外，因为在由晶片(10)制造成实际装置之前可以对电极之间的耐受电压进行测量，从而可以在不合格晶片(10)进入实际装置制造过程之间将其去除。因此，与在实际装置制作后测量触点间的击穿电压V2的传统测量方法相比，所产生的损失得以降低。
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公开(公告)号：CN1658454A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200510009454.6
申请日：2005-02-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/3407 , H01S5/34333
Abstract: 半导体元件(1)包含具有量子井结构的活性区域(3)。活性区域(3)包含井区域(5)和阻挡区域(7)。井区域(5)由含有氮、铟和镓的III－V族化合物半导体组成。阻挡区域(7a)具有第一半导体层(9a)和第二半导体层(11a)。第一半导体层(9a)，由至少含有氮、铟和镓的III－V族化合物半导体组成。第二半导体层(11a)，由至少含有氮和镓的III－V族化合物半导体组成。第一半导体层(9a)被设置在第二半导体层(11a)与井区域(5)之间。第一半导体层(9a)的铟组成，比第二半导体层(11a)的铟组成小。第一半导体层(9a)的铟组成比井区域的铟组成小。
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公开(公告)号：CN1533593A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03800646.4
申请日：2003-01-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C30B29/38
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647
Abstract: 一起使用ELO掩膜和缺陷种子掩膜的方法生长很少有位错的GaN晶体。ELO掩膜使得GaN晶体不能直接生长，但是能横向生长；缺陷种子掩膜使得缺陷集中的封闭缺陷聚集区域生长。材料SiN、SiON或SiO2中任一种用于ELO掩膜，同时Pt、Ni或Ti材料中任一种用于缺陷种子掩膜。蓝宝石、GaAs、尖晶石、Si、InP、SiC等单晶基片或其中在这些的单晶基片上涂覆GaN缓冲层的下层基片，补充地提供ELO掩膜和缺陷种子掩膜以及GaN被气相沉积。
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