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公开(公告)号：CN104250068A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410403361.0
申请日：2014-08-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种智能节能窗用二氧化钒基膜系及其制备方法。该膜系包括功能层和减反保护层，其中功能层为掺杂二氧化钒薄膜，减反保护层为光学介质，如：二氧化硅、氮化硅、二氧化钛、氧化铝、氮化铝、五氧化二钽等，减反保护层可以是一层或多层。掺杂二氧化钒薄膜是通过溅射法在衬底上沉积一层掺杂的金属钒膜，把上述薄膜在真空条件下通氧退火得到相变温度接近室温的掺杂二氧化钒薄膜。然后在制备好的掺杂二氧化钒薄膜表面沉积一层光学介质层，提高薄膜可见光透过率并增强薄膜耐候性。该膜系根据气温智能地调节太阳光红外辐射的入射量，实现冬暖夏凉的效果。
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公开(公告)号：CN104034679A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410257669.9
申请日：2014-06-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/31 , G01N21/3518
Abstract: 本发明公开了一种基于同质分子滤波的物质浓度探测方法，利用同质分子滤波结合调制光谱实现物质浓度的精确探测。本发明技术由于只有与同质分子结构完全相同的待测分子才能被探测到，可以做到探测的唯一性，不受其他分子干扰；而且可以通过更换气体池中的气体种类，来灵活选择和改变拟测量的气体种类。通过调制的方法则可以将微弱的分子信号大幅放大几个量级，从而实现高灵敏度精确探测；还能将强度远大于待测分子信号的背景辐射屏蔽掉，有效地消除大气背景辐射的干扰，探测灵敏度高达1ppb。该方法特别适用于大气中含量很低的气体分子探测，如二氧化碳，二氧化硫，甲烷等。
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公开(公告)号：CN103970933A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410121090.X
申请日：2014-03-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于衍射型微透镜优化红外焦平面探测器的设计方法。该方法优化了可应用于锑化铟红外焦平面阵列探测器的衍射型微透镜的光学相位结构参数及最佳厚度，显示八相位结构有最高的量子效率和最低的串音率，并可获得该结构的最佳厚度。本发明的优点在于，可以通过数值方法设计出不同衍射型微透镜结构的量子效率和串音特性，并结合透镜厚度的变化对上述特性的影响，从而提高了产品的可靠性和性能，并大幅减少了开发费用。本发明对于改善红外焦平面探测器性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN103411335A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310326560.1
申请日：2013-07-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了辐射吸收层基于混合物的选择性吸收膜系，其混合物由高吸收材料和透明材料混合而成。该吸收膜系包括：金属衬底、在衬底上依次沉积的辐射吸收层基于混合物的选择性吸收薄膜、减反射介质薄膜、保护薄膜。本发明的吸收膜系通过调节膜系的材料，涂层厚度，混合膜层成份，尺寸，形状等参数，灵活控制吸收膜性能。可以在保持高吸收率和低发射率的前提下，满足太阳能热水器、太阳能空调等光热产品的多样化和个性化需求。本发明吸收膜系的特点是结构简单，适用于各种工艺制备，对太阳能选择性吸热膜领域的发展有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN103225898A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310148747.7
申请日：2013-04-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02E10/44
Abstract: 本发明公开了一种低成本智能防过热塑料平板太阳能集热器，其特点在于采用集热板与水管一体化的带管道的耐高温导热塑料基板替代了传统平板集热器使用的金属基板与金属管道，既降低了集热器的成本、减轻了重量，又增大了吸热板芯与工作介质流体的接触面积。同时，塑料伸缩性好，不存在夏天炸管，冬天冻裂等问题，提高了集热器安全系数。更重要的是，本发明的集热器在透明盖板和吸热板芯之间采用了中空设计，可实现智能抽空或充气，抽真空时可以显著降低集热器上表面的热损失，提高集热效率；充气时可以迅速降低集热器温度，防止因突然停水引起集热器空烧造成的损伤甚至损坏，该功能可以通过设置使用温度范围来实现，起到智能调节与自动保护的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102185025B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201110082811.7
申请日：2011-04-01
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海中科高等研究院 , 阿旺赛镀膜技术(上海)有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种用于光电功能器件的金属波导微腔光耦合结构的工艺制程，可以使得光电功能器件的光耦合效率大大提升。本金属波导微腔工艺制程的要点是利用过渡基底材料实现功能器件薄膜的上、下表面金属结构的制备；利用两层石蜡工艺使得功能器件薄膜的制备以及在不同基底材料之间的转移成为可能。本工艺制程具有广泛的通用性，功能器件薄膜的厚度可以从百纳米到百微米，金属光耦合结构的特征尺寸可以从纳米尺度(电子束光刻)到微米尺度(紫外光刻)，响应的入射光可以从可见到太赫兹波段。长波量子阱红外探测器的实施实例表明本工艺制程可以优化器件的光谱响应和大大提高器件的红外响应率。
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公开(公告)号：CN103105011A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310040103.6
申请日：2013-01-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海德福光电技术有限公司
CPC classification number: Y02E10/40
Abstract: 本发明公开了一种适于中高温热利用的太阳能选择性吸收膜系及其制备方法。该太阳能选择性吸收膜系自下而上依次包括镀制在金属基底上的红外高反射银薄膜、铜薄膜、钛铝氮氧薄膜、氧化锌锡锑薄膜以及二氧化硅薄膜。本发明的吸收膜系太阳能吸收率大于96%，发射率小于2%，具有超低发射率，光热转换效率高的特点，同时膜系中的氧化锌锡锑材料镀膜速率高，利于提高生产效率。该膜系可广泛应用于太阳能光热转换的集热器，适合于太阳能热利用在建筑一体化产品方面的应用，尤其适合于中高温太阳能热利用产品的广泛使用。本发明的吸收膜系可通过工业化磁控溅射制备方法在大面积基底上连续镀制，实现低成本大规模高效生产。
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公开(公告)号：CN102881761A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110199099.9
申请日：2011-07-15
Applicant: 常州光电技术研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/0216 , H01L31/18 , G01J5/20
Abstract: 本发明公开了APD红外探测器及其制作方法，APD红外探测器包括APD及与其相结合的光子耦合腔；光子耦合腔包括金属反射层、透明介质层、金属阻挡环和金属光栅层；金属反射层、透明介质层和金属光栅层按照从下向上的顺序依次生长在APD的p+-InP结上；金属阻挡环位于透明介质层的外围，并连接金属反射层和金属光栅层；金属光栅层为同心的多环金属环结构；金属反射层为两个同心金属环结构。本发明在APD红外探测器的p+-InP结上形成MIM结构的耦合汇聚光栅，通过对入射光的汇聚来缩小APD器件的p+-InP结尺寸，缩小器件的电学有效工作尺寸，从而可以在材料和器件制备工艺走到工艺极限时，在不损失量子效率下进一步抑制暗计数。
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公开(公告)号：CN101794839B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010107411.2
申请日：2010-02-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种优化锑化铟光伏型探测器件吸收层厚度的方法，该方法是通过器件模拟得出光照吸收区时不同吸收层厚度下的光谱响应曲线，通过与实验测量的光谱响应数据进行对比，得到最大光谱响应值对应的吸收层厚度即为最佳吸收层厚度，进而为优化锑化铟光伏型探测器件吸收层厚度提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN101916773A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010234859.0
申请日：2010-07-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/51 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种Al2O3/AlN/GaN/AlGaN/GaN双沟道MOS-HEMT器件及制作方法，包括蓝宝石衬底10上依次形成的GaN成核层9、GaN缓冲层8、AlGaN下势垒层7、GaN沟道层6、AlN上势垒层5以及其上形成的Al2O3栅介质层4、源极1和漏极3、Al2O3栅介质层4上形成的栅极2，其特征是：采用具有优良热导性和较大禁带宽度的AlN材料作为上势垒层，降低了器件的自加热效应，同时降低了器件耗尽模式下的阈值电压；利用AlN和GaN形成的深势阱抑制高电压下的热电子效应，从而降低器件的电流坍塌效应；利用AlN材料强的极化性质，提高了沟道中的电子浓度，增大了饱和电流和器件的输出功率；使用原子层沉积工艺淀积的Al2O3材料作为栅介质层，减少了栅极漏电流，提高了器件的击穿电压。
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