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公开(公告)号：CN108227075B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201810218999.5
申请日：2018-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种弯曲波导结构、制备方法及基于所述弯曲波导结构的偏振分束旋转器，弯曲波导结构包括：衬底；第一波导，弯曲设置于衬底上，包括第一耦合区；第二波导，弯曲设置于衬底上，第二波导包括与第一耦合区耦合的第二耦合区，第二波导与第一波导之间具有预设间距，第二耦合区包括下部波导及位于下部波导上方的上部波导，下部波导与上部波导的截面宽度不同。通过上述方案，本发明提供的弯曲波导结构，通过改进外部波导的结构，在整体波导结构中引入了非对称结构的设计，使得外部波导的耦合区的两端以及上下均具有不同的尺寸，该非对称性设计具有增大带宽的作用，解决了现有波导结构的对波长敏感问题，进一步拓宽了弯曲波导结构的实际应用。
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公开(公告)号：CN116404388A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310196608.5
申请日：2023-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明涉及一种非线性优化紧凑的大特征尺寸绝热功率分配器。该功率分配器自下而上包括衬底、埋氧层、顶层、包层，所述顶层的两侧进行刻蚀，所述刻蚀的厚度小于顶层厚度，从而形成脊波导，所述脊波导采用锥形交错波导结构，所述锥形交错波导结构包括上下两根波导和中间波导，在锥形交错部分上下两根波导和中间波导被分成几段，中间波导两边段的宽度变化斜率大于中间段的宽度变化斜率。该功率分配器在锥形交错部分采用了分段优化的方法，分段优化的目的是提高器件的绝热性，亦即降低加工误差带来的器件性能衰减和降低波长敏感性，另外还可以一定程度上降低器件尺寸和降低损耗。
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公开(公告)号：CN116230696A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310155174.4
申请日：2023-02-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/552 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种抗串扰的集成硅基光接收芯片及其制备方法，所述光接收芯片设置有探测器阵列、光波导和光口；所述探测器阵列中的探测器的外围均设置有抗串扰环。本发明抗串扰环中的锗环可以将到达探测器附件的光全部吸收，消除了接收芯片上非必要杂散光；抗串扰环中金属环和电极层形成的环形结构形成了一定高度的屏蔽空间，有效避免了探测器阵列中相邻探测器的高频信号串扰，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN114927595A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210321603.6
申请日：2022-03-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , G01D5/30 , G01D5/34
Abstract: 本发明涉及一种对输入模式不敏感的波导型高响应探测器，其特征在于，自下而上包括衬底硅层、氧化硅埋氧层、硅平板波导；所述硅平板波导上方并排设有第一金属电极、锗波导及第二金属电极；其中所述硅平板波导的一侧设有输入波导。本发明打破了传统波导型探测器输入模式为基模的局限，实现了对输入模式不敏感的探测器。
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公开(公告)号：CN114914790A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210324696.8
申请日：2022-03-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种可单片集成的低损耗硅基激光器及其制备方法，由下至上包括：SOI基片的硅衬底、二氧化硅绝缘层、顶层本征硅、锗薄膜层构成的衬底、缓冲层、下接触层、量子点或量子阱有源区、上覆盖层及上接触层构成的III‑V激光器，和氮化硅波导。本发明通过电泵浦或光泵浦方式产生激光输出，出射激光与SOI上的氮化硅波导直接对准，从而获得很高的耦合效率；器件结构紧凑、信号激光与波导耦合损耗低，可以实现与CMOS工艺兼容的SOI基片上制备量子点或者量子阱激光器，适合于硅基光电集成缺少核心光源的研制，具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114914789A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210324690.0
申请日：2022-03-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于3μm SOI的集成硅基激光器及其制备方法，由下至上包括：SOI基片的硅衬底、二氧化硅绝缘层、顶层本征硅、锗薄膜层、n型InP缓冲层、n型InP下接触层、AlGaInAs量子阱有源区、p型InP覆盖层和p型InGaAs上接触层，以及由顶层本征硅衬底刻蚀的硅波导。本发明通过在硅衬底上外延锗再生长InP材料，再制备AlGaInAs量子阱激光器，可以实现与硅波导的高效耦合，也可以同时加工多个激光器，有利于实现大规模光电集成。
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公开(公告)号：CN112379479B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011249399.9
申请日：2020-11-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种硅基光收发器件及其制备方法，所述方法包括：获取SOI晶圆；制备锗调制器，包括：在所述SOI晶圆上定义调制器区域；在所述调制器区域形成第一锗材料层；通过光刻和刻蚀所述锗材料层形成第一锗波导；对所述调制器区域进行掺杂处理；在所述调制器区域形成第一电极和第二电极；制备锗探测器和硅光波导；在所述锗调制器、所述锗探测器和所述硅光波导的表面形成保护膜。本申请的硅基光收发器件及其制备方法，采用纯锗材料替代锗硅材料制作调制器，无需对锗硅材料中硅的成分严格控制，且只需要一步外延步骤，可以降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN112285826B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202011249404.6
申请日：2020-11-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种硅基多模光接收器件及其制备方法，所述方法包括：获取SOI晶圆；制备探测器，包括：在所述SOI晶圆上定义探测器区域；在所述探测器区域形成锗材料层；通过光刻和刻蚀所述锗材料层形成锗波导，所述锗波导的宽度为2.0～5.0μm；对所述探测器区域进行掺杂处理；在所述探测器区域形成第一电极和第二电极；制备多模硅光波导，所述多模硅光波导的宽度为2.0～5.0μm；在所述探测器和所述多模硅光波导的表面形成保护膜。本申请的硅基多模光接收器件及其制备方法，采用多模硅光波导与光纤耦合，不仅光纤的基本光模可以耦合到多模硅光波导，高阶光模也可以耦合到多模硅光波导。
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公开(公告)号：CN113418604A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110870943.X
申请日：2021-07-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及基于纳米颗粒的布洛赫表面波激发器，其用于光谱仪，包括一玻璃基底以及排布在该玻璃基底上的布拉格反射单元，所述布拉格反射单元由高折射率介质层和低折射率介质层交替堆叠而成，其顶层为缺陷层，且所述顶层的表面设有纳米颗粒。本发明还提供了相应的光谱仪及其测量方法。本发明的布洛赫表面波激发器使得光谱仪的面内尺寸能够达到纳米级别，可以测量较小的光源信号。并且，本发明制备方法简单，成本低廉。另外，本发明的光谱仪在使用时，对入射光谱要求简单，对入射光谱偏振没有要求。同时，本发明只需要拍摄一次后焦面图，不仅操作简单，而且节省时间。
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公开(公告)号：CN113093331A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110235407.2
申请日：2021-03-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅基光波导传感器，由下至上包括硅衬底、埋氧层、顶层硅和上包层；其中，所述顶层硅上设置有通过电子束光刻及刻蚀形成的亚波长光栅槽微环结构。本发明将亚波长光栅做成槽结构，可增大光与分析物的相互作用强度；为进一步减小弯曲损耗，微环内侧光栅使用梯形结构，增大微环内侧的有效折射率，降低辐射损耗，具有良好的应用前景。
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