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公开(公告)号：CN110133544A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910399862.9
申请日：2019-05-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/025 , G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种航空超导全张量磁补偿系数的获取方法、终端及存储介质，所述获取方法包括：基于动态测量数据获取平面梯度计关于涡流干扰的磁补偿系数近似值，并以此获取平面梯度计关于涡流干扰的磁补偿系数取值约束范围；在飞行器携带置于其内的航空超导全张量磁梯度测量系统进行高空机动飞行时，获取航空超导全张量磁梯度测量系统输出的磁梯度测量值及三轴磁场分量测量值；以平面梯度计关于涡流干扰的磁补偿系数取值约束范围作为约束条件，并将磁梯度测量值及三轴磁场分量测量值代入具有约束条件的磁补偿模型中，从而获取航空超导全张量磁补偿系数的最优值。通过本发明解决了现有方法无法获取航空超导全张量磁补偿系数最优解的问题。
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公开(公告)号：CN106199464B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201510224015.0
申请日：2015-05-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种双级超导量子干涉器磁通‑电压转换装置、方法及其应用，包括通过电流正反馈和限幅放大结合，既实现了磁通‑电压传输率的提升，又使得输出磁通幅度小于2Φ0，避免了传输特性多零点问题。同时在所述SQUID磁通探测模块采用欠反馈原理实现自复位且传输特性单调的磁通探测器，确保以固定工作点下的唯一确定的传输特性对所述SQUID磁通放大模块输出磁通进行磁通‑电压转换，解决了传输特性多值问题。本发明使得双级SQUID放大模块在提升磁通‑电压传输率的同时，其传输特性中工作点周期单值，避免出现多值问题，操作简单，噪声性能得到很大提升，发挥出了SQUID低噪声的性能，进而可形成实用化高性能的SQUID磁传感器。
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公开(公告)号：CN106343999B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201610882918.2
申请日：2016-10-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种心磁图仪、基于其的补偿优化方法、系统及服务器，所述补偿优化方法包括以下步骤：通过预设补偿方式利用所述补偿层上的补偿磁强计产生的第一磁场信号补偿所述超导量子干涉器件阵列层上每一磁强计产生的第二磁场信号，以形成补偿后的第三磁场信号；计算补偿后的第三磁场信号的评估参数，并根据所述评估参数综合评估所述第三磁场信号，以优化所述补偿层，在其上确定最佳补偿通道。本发明有效抑制了屏蔽室环境中的剩余磁场，使36个SQUID信号整列输出高信噪比、高保真度的心磁信号。
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公开(公告)号：CN109633491A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910061775.2
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01R33/0023 , G01C1/00 , G01C21/16
Abstract: 本发明提供一种全张量磁梯度测量系统安装误差的标定装置及标定方法，所述标定装置包括：激励源，电连接于所述激励源的标定源，设于所述标定源下方的无磁安置台，设于所述标定源一侧的安装支架，设于所述安装支架上的全张量磁梯度测量组件，刚性连接于所述全张量磁梯度测量组件的组合惯导，电连接于所述全张量磁梯度测量组件及所述组合惯导的测控组件，及设于所述标定源一侧的姿态调整装置。通过本发明提供的全张量磁梯度测量系统安装误差的标定装置及标定方法，解决了现有技术无法提供一种简单、便捷的标定装置及标定方法的问题。
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公开(公告)号：CN109633490A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910061718.4
申请日：2019-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/00
CPC classification number: G01R33/0023
Abstract: 本发明提供一种全张量磁梯度测量组件标定系统及标定方法，所述系统包括：激励源；电连接于激励源的标定源，用于在激励源的驱动下产生标定磁场；设于标定源下方的无磁转台，用于对标定源进行角度调整；设于标定源一侧的安装支架，用于提供安装平台；设于安装支架上的全张量磁梯度测量组件，用于测量标定源在全张量磁梯度测量组件处产生的磁场梯度值；电连接于全张量磁梯度测量组件的测控组件，用于采集磁场梯度值并存储；设于标定源一侧的姿态调整装置，用于固定安装支架并通过对安装支架进行定点转动以对全张量磁梯度测量组件进行姿态调整。通过本发明解决了现有技术无法提供一种简单、高效的标定系统及标定方法的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105911487B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610230327.7
申请日：2016-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种超导磁传感器探测线圈及探测器，包括：平行设置的超导共模线圈和超导差模线圈，所述超导共模线圈和所述超导差模线圈相互耦合且覆盖的区域重合；所述超导共模线圈产生与环境磁场方向相反的抵消磁场，抑制环境磁场，减小环境磁场对被测磁场的影响；所述超导差模线圈对被测磁场进行检测。基于上述超导磁传感器探测线圈以及SQUID磁传感器构成的探测器。本发明具有极高的共模抑制能力，能在无屏蔽的环境下实现微弱磁场信号的探测，同时通过在线圈中引入高磁导率的磁芯可增强被测微弱磁场信号，具有很高的信噪比，从而可构建低成本高性能无屏蔽环境下工作的胎儿心磁图等弱磁探测设备。
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公开(公告)号：CN105738838B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201610230407.2
申请日：2016-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/022 , G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种超导量子干涉器磁梯度计及高度平衡的磁场探测方法，包括：对称分布、面积相等、绕向相反的磁通耦合面及SQUID耦合线圈；对称分布的SQUID器件；反馈线圈；读出电路；以及对输出信号进行相减实现差模信号检测的减法电路。基于梯度线圈及SQUID耦合线圈得到方向相反的磁通信号；通过SQUID传感器进行磁通‑电压的线性转换得到电压信号；将两种电压相间，消除输出信号中的共模信号，实现差模信号检测。本发明可调节消除超导量子干涉器磁梯度计的不平衡误差，达到消除共模信号的能力，无需使用屏蔽筒及额外的三轴磁强计补偿，结构简单，使用方便。
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公开(公告)号：CN108680877A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810398547.X
申请日：2018-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种平衡接线多通道超导量子干涉磁传感器，包括检测磁场的第一、第二SQUID磁通检测电路；为第一、第二SQUID磁通检测电路提供偏置的正偏置源及负偏置源；放大信号并提供反馈电流的第一、第二放大反馈电路；其中，第一、第二SQUID磁通检测电路设置于低温环境中，且连接同一低温地线；正偏置源、负偏置源、第一、第二放大反馈电路设置于室温中，且连接同一室温地线；低温地线与室温地线通过引线连接。本发明减少低温器件和室温电路引线使用，降低引线传热效果，节约低温维持液体(液氦、液氮)的使用，降低系统运行成本；消除引线电阻变化产生的漂移，提高传感器的稳定性和测量精度，同时提高电磁兼容抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN105866710B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201610192292.2
申请日：2016-03-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/00 , G01R33/035
Abstract: 本发明提供一种环境噪声抑制方法及设备，所述环境噪声抑制设备包括探测梯度组件，参考梯度组件，超导量子干涉器件三轴磁强计组件，读出电路，所述环境噪声抑制方法包括以下步骤：采集源于所述探测梯度组件的第一梯度输出信号和源于所述参考梯度组件的第二梯度输出信号；利用所述超导量子干涉器件三轴磁强计组件分别补偿所述探测梯度组件和所述参考梯度组件；令所述第一梯度输出信号与第二梯度输出信号相互补偿以合成二维梯度抑制环境噪声。本发明无需单独增加一阶梯度参考量，采用制备工艺之间的关联特性，在二个维度上进行梯度合成，从而在大大提高梯度计的噪声抑制性能，简化系统探测结构。
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公开(公告)号：CN104726845B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510098675.9
申请日：2015-03-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L21/02527 , C01B32/182 , C01B2204/06 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/0259 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供一种h‑BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h‑BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h‑BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h‑BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方法直接在h‑BN上制备形貌可控的石墨烯纳米带，解决了长期以来石墨烯难以在绝缘衬底上形核生长的关键问题，避免了石墨烯转移及裁剪加工成纳米带等复杂工艺将引入的一系列问题。另外，本发明还具有以下优点：一方面可以提高石墨烯质量实现载流子高迁移率，另一方面通过控制石墨烯形貌如宽度、边缘结构实现调控石墨烯的电子结构，在提高石墨烯性能的同时，简化了石墨烯制备工艺，降低生产成本，以便于石墨烯更广泛地应用于电子器件的制备。
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