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公开(公告)号：CN206353794U
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201720044550.2
申请日：2017-01-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种单电路板上集成的量子认证系统，包括：一体化电路板、从左向右依次通过锡焊互联集成在一体化电路板上并通过外壳封装于一体的量子光源模块、插卡槽、解码探测模块和触摸屏显示器芯片，以及由窗口上封装固定有光学PUF的激励光调制器芯片构成的量子钥匙卡片。本实用新型通过将光学PUF和激励光调制器芯片集成一体，避免了激励光与光学PUF之间的位置对准问题，并利用波前反馈自适应算法，解决了量子钥匙卡片与解码探测模块之间的位置对准问题，极大地提高了系统的稳定性和可重复性。本实用新型还具有体积小、重量轻、结构紧凑、使用和携带便捷的优势，适于量子安全认证、身份识别、量子加密领域。
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公开(公告)号：CN206353191U
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201720040065.8
申请日：2017-01-13
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型公开了一种宽禁带半导体器件辐射效应激光模拟系统，该系统包括短波长脉冲激光产生与衰减系统、显微成像与能量监测系统、测试与控制系统三个部分。本实用新型可利用短波长脉冲激光辐照宽禁带半导体器件，在半导体器件中产生电离效应，模拟伽马射线等辐射源作用于半导体器件的辐射电离效应，填补了宽禁带半导体器件的辐射电离效应激光模拟系统的空白，且该系统具有结构紧凑、安全性高等特点，降低了试验成本，提高了试验效率，为有针对性的对宽禁带半导体器件进行抗辐射加固设计提供了有效手段。
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公开(公告)号：CN205283565U
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201521121393.8
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本实用新型针对现有PUF认证系统存在的问题，提出一种基于光学PUF的量子安全认证系统，该系统使用高度衰减后的相干光或者单光子源作为光源，还设置有空间光调制器一、PUF、空间光调制器二、透镜、针孔、探测器、计算机，利用空间光调制器对入射光波前进行调制获得大量的激励-响应对，确保了认证系统的信息量和安全性；采用波前反馈控制算法来间接获得响应光波前信息，并通过激励-响应对辅助校准方法来对PUF位置进行精确定位，大大地降低了系统结构的复杂程度；本实用新型不仅提高了认证的安全性，同时降低了系统的使用要求，简化了系统结构，在安全认证领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN207705208U
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201721616000.X
申请日：2017-11-28
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本实用新型属于半导体光电探测器领域，提供了一种高线性增益红外雪崩光电二极管及其制备方法，该二极管结构包括下电极接触层、周期性异质结构倍增层、电荷层、周期性异质结构吸收层和上电极接触层。周期性异质结构吸收层利用导带内子带能级跃迁实现对红外光子的吸收，周期性异质结构倍增层利用GaN/AlN异质结材料特有的能带特性促使光生电子发生单极碰撞离化。本实用新型提供的红外探测器能够保证器件在线性模式工作下获得高的雪崩增益，适用于各种需要进行微弱红外信号探测的应用场景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206932229U
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201720885330.2
申请日：2017-07-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本实用新型提出一种基于单光子激励和光学PUF的认证系统，该系统使用激光脉冲衰减的方法制备单光子源，利用高速DMD数字微镜对入射光波前进行高速编码，将编码后的光照射到随机介质构成的光学PUF钥匙上产生散斑响应，利用SCMOS相机、EMCCD相机或EBCCD相机采集散斑图样，利用散斑信息进行PUF钥匙的注册和认证。本实用新型利用了单光子的量子不可克隆性和随机介质PUF钥匙的不可复制性，从物理上保证了认证过程的安全性，利用了窄带带通滤光片对环境光进行滤波，降低了环境光的影响，在安全领域具有极好的应用前景。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206541827U
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201720047235.5
申请日：2017-01-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型属于半导体光电探测器领域，提供了一种单片集成紫外‑红外双色雪崩光电二极管，该二极管结构包括下电极接触层、本征倍增层、电荷层、周期性异质结构吸收层和上电极接触层；周期性异质结构吸收层由两种材料交替生长而成，沿材料生长方向上形成量子限制效应，导带内子带能级间跃迁对应于红外光子的吸收，价带到导带的带间跃迁对应于紫外光子的吸收。吸收层内产生的光生电子均可以迁移到本征倍增层中发生碰撞离化，同时实现双波段的雪崩探测。
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公开(公告)号：CN207896111U
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201720890945.4
申请日：2017-07-21
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本实用新型公开了双曲超表面复合光栅增强的高频量子点单光子源，包括衬底、在衬底上的双曲超表面、量子点，双曲超表面的表面或内部形成有光栅微结构；双曲超表面由介质薄膜和金属薄膜或类金属薄膜交替形成的一维周期性结构；量子点置于一维周期性结构内，或在双曲超表面近场。本实用新型利用双曲超表面增强量子点宽带自发辐射，并结合光栅的定向耦合输出特性提高光出射效率，大大提高量子点单光子源的光子产生速率和收集利用效率，可实现GHz以上的高频、高亮度、定向发射的量子点单光子源；同时兼容光泵浦和电泵浦两种激发方式，适用于从紫外到红外各个波段；可广泛应用于量子信息、量子计算、量子成像、量子认证、量子精密测量相关领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207691196U
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201721793763.1
申请日：2017-12-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01S5/32
Abstract: 本实用新型公开了一种日盲紫外单光子源，包括由宽禁带半导体p型层、i型本征层、单量子点和n型层构成的量子点嵌埋pin纳米线或量子点嵌埋pin薄膜，pin结构的禁带宽度大于4.43 eV，且pin结构采用禁带宽度大于量子点的半导体材料，从而形成类量子阱结构以增强对单量子点的量子限制；本实用新型对于光泵浦和电泵浦两种激发方式均适用，既可垂直于衬底发射，也可平行于衬底发射，因此既可用于自由空间单光子源也可用于片上集成单光子源；其发射波长在小于280 nm的日盲波段，且宽禁带量子点适于室温乃至高温单光子发射，可广泛应用于量子信息、量子计算、量子成像、量子认证、近距离保密通信、量子精密测量相关领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207427176U
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201720885111.4
申请日：2017-07-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本实用新型提出一种小型化的量子认证系统。该系统使用激光脉冲衰减的方法制备单光子源，利用高速空间光调制器对入射光波前进行编码，将编码后的光照射到随机介质构成的光学PUF钥匙上产生散斑响应，利用空间光调制器对散斑进行处理完成PUF钥匙的注册和认证过程；本实用新型将光路在三维方向上折叠并采用笼式光路系统减小了真个认证系统的体积，并采用商品化的器材，使制造成本极低。
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公开(公告)号：CN207165585U
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201721100193.3
申请日：2017-08-30
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本实用新型公开了一种含极化调控层的AlGaN基量子阱红外探测器，该探测器的结构包括下电极接触层、功能层和上电极接触层，功能层由周期性AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/AlzGa1-zN复合异质结构构成，其中0≤x
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