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公开(公告)号：CN117373888A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310763833.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3205
Abstract: 本公开提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，即使在划分壁上沉积膜也能够维持放电。本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，在所述处理容器的侧壁具有开口；划分壁，其覆盖所述开口，并且形成与所述处理容器的内部连通的内部空间；以及内部电极，其贯通所述划分壁气密地插入到所述内部空间，所述内部电极被供给RF电力，其中，在所述划分壁与所述内部电极之间设置有第一间隙。
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公开(公告)号：CN114864366A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210080663.3
申请日：2022-01-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，等离子体处理装置具备：同轴管，其设置为沿上下方向延伸，形成高频波导的一部分；基板支承部，其用于支承基板；电极，其具有与向所述基板支承部的上方的空间开口的气体喷出口连接的气体流路，所述电极设于所述基板支承部的上方且在中央连接有所述同轴管的内侧导体；扩径部，其与所述电极一起形成所述高频波导的一部分，并与所述同轴管的外侧导体连接；电介质管，其由电介质构成，该电介质管以贯穿所述电极与所述扩径部之间的空间的方式与所述电极连接，用于向所述电极供给气体，其中，以散布的方式设置有多个所述电介质管。
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公开(公告)号：CN112735934A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011131045.4
申请日：2020-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种控制方法和等离子体处理装置。对使用了相控阵天线的局部等离子体进行控制。作为利用相控阵天线的扫描型的等离子体处理装置的控制方法，具有以下工序：从设置于处理容器的多个部位的观察窗对在所述处理容器的内部生成的等离子体的发光进行观测；基于观测到的与所述等离子体的所述发光有关的数据，来计算表示所述等离子体的特性的值在基板上的面内分布；以及基于计算出的表示所述等离子体的所述特性的值在基板上的面内分布，来对所述等离子体的扫描图案和/或等离子体密度分布进行校正。
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公开(公告)号：CN112509900A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010920018.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，在基板的背面进行局部的成膜。该等离子体处理装置具有：处理容器；基板保持机构，其配置于所述处理容器内，并保持基板；电介质窗，其配置于所述基板保持机构的下方；以及相控阵天线，其配置于所述电介质窗的下方，并放射多个电磁波。
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公开(公告)号：CN112449473A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010861394.5
申请日：2020-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/00
Abstract: 本发明提供一种等离子体探测装置、等离子体处理装置和控制方法。本发明的一方式的等离子体探测装置包括：天线部，其隔着将真空空间与大气空间之间密封的密封部件，安装在形成于处理容器的壁的开口部；和透光部，其设置于所述天线部的内部或者是所述天线部的至少一部分，能够使所述真空空间中生成的等离子体的发出光透射到所述大气空间。根据本发明，能够高精度地监视等离子体生成空间中的自由基密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112309818A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010717271.4
申请日：2020-07-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种能够监视等离子体的状态的等离子体处理装置和控制方法。基于本公开的一个方式的等离子体处理装置具备：处理容器，其具有形成有开口部的顶板；具有导电性的圆环状构件，其以与所述顶板绝缘的状态设置于所述开口部；微波辐射机构，其以包括所述圆环状构件的中心的方式配置于所述顶板上，用于向所述处理容器的内部辐射微波；以及等离子体检测部，其与所述圆环状构件连接，用于检测生成的等离子体的状态。
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公开(公告)号：CN112153771A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010566187.7
申请日：2020-06-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种加热装置、加热方法以及基板处理装置。对加热对象物进行加热的加热装置具备：加热构件，其包括电磁波吸收体，并且对加热对象物进行支承；电磁波照射部，其向加热构件的与支承加热对象物的面相反一侧的照射面照射电磁波；以及控制部。电磁波照射部具有：电磁波输出部，其输出电磁波；以及天线单元，其构成相控阵天线，天线单元具有多个天线模块，所述多个天线模块具有放射电磁波的天线以及调整从天线放射出的电磁波的相位的移相器，控制部控制多个天线模块的移相器，以使从多个天线放射出的电磁波的相位通过干涉而聚集于加热构件的任意的部分，并且控制部控制多个天线模块的移相器，以使电磁波的聚集部分在加热构件的照射面处扫描。
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公开(公告)号：CN111696844A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010150236.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种防止异常放电的等离子体处理装置。提供一种等离子体处理装置，其施加高频的电力，其中，该等离子体处理装置具有：腔室；载物台，其位于所述腔室内且在上部载置基板，并在内部具有加热器；以及环状构件，其在所述载物台的周围与所述载物台分开地设置，并由电介质形成，在所述环状构件的下表面在径向上形成有环状的槽。
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公开(公告)号：CN108878248B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201810468527.5
申请日：2018-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，其包括：配置在处理容器的顶部，将用于从气体生成等离子体的微波导入到该处理容器的内部的微波导入组件；和形成在上述处理容器的顶部，将气体导入到等离子体处理空间的多个供气孔，上述多个供气孔分别具有空腔部，上述空腔部从上述供气孔的细孔扩展而成，且在上述等离子体处理空间开口，上述空腔部的等离子体处理空间侧的直径为3mm以上，且为等离子体中的微波的表面波波长的1/8以下。由此，能够优化供气孔的形状，防止在供气孔中因微波的表面波而发生异常放电。
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公开(公告)号：CN107393798B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710275334.3
申请日：2017-04-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01J37/32201 , H01J37/32229 , H01J37/32247 , H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01J2237/3321 , H01J2237/334
Abstract: 本发明提供能够使处理气体在与气体的特性对应的适当的解离状态下解离的、且能够兼顾处理气体的导入均匀性和所需的等离子体均匀性的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：腔室(1)、载置晶片的载置台(11)、经由顶壁(10)向腔室内导入微波的等离子体源(2)、从顶壁(10)将第一气体导入腔室内的第一气体导入部(21)、从顶壁与载置台(11)之间将第二气体导入腔室内的第二气体导入部(22)。第二气体导入部包括：环状部件(110)，形成有多个气体排出孔(116)，设置成位于顶壁与载置台(11)之间的规定高度位置；和连接顶壁与环状部件的脚部(111a)，第二气体向环状部件的供给经由脚部(11a)进行。
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