公开(公告)号：CN102243987B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201110114908.1

申请日：2011-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木芳彦 ,  田中诚治

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种维修性高、配置空间小的基板处理装置和基板处理系统。真空搬送室(4)具备搬送被处理体的基板S的基板搬送机构(41)，并且以俯视形状是五角形以上的多角形的方式由多个侧面包围。在上部具有盖体(52)的多个处理室(5a～5d)连接到所述多个侧面中除去在外侧具有维修区域(6)的侧面之外的侧面，盖体搬送机构(7)在所述处理室(5a～5d)与维修区域(6)之间搬送所述盖体(52)。

公开(公告)号：CN101604610B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200910146031.7

申请日：2009-06-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木芳彦 ,  南雅人

IPC: H01J37/16 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种腔室和处理装置，即使超过输送尺寸的界限也能够进行输送。该腔室包括：开放至少一个侧面(2b)、(2c)的长方体状的本体(2)；和自由装卸地安装在本体(2)的被开放的侧面(2b)、(2c)上的侧板(3a)、(3b)。

公开(公告)号：CN101188207B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200710140390.2

申请日：2007-08-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木芳彦 ,  南雅人

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C14/50

Abstract: 本发明提供一种抑制绝缘层发生裂纹的静电吸附电极。在静电吸盘(40b)中，将由具有与基材(41)的线膨胀系数之差的绝对值在14×10-6[/℃]以下的线膨胀系数的陶瓷喷涂膜形成的第1绝缘层(42b)插入在基材(41)和氧化铝喷涂膜的第2绝缘层(44b)之间。因为第1绝缘层(42b)作为缓冲层发挥作用，从而改善了静电吸盘(40b)的耐热性，能够抑制裂纹的发生。

公开(公告)号：CN101325169B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200810125636.3

申请日：2008-06-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐佐木芳彦 ,  南雅人

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/00 ,  G02F1/1333

Abstract: 本发明提供一种载置台，其能够不引起屏蔽环那样的屏蔽部件的破损的危险性而减少由热膨胀差所引起的屏蔽部件和基材之间的间隙。在对基板(G)实施等离子体处理的处理腔室内载置基板的载置台(3)，包括：金属制的基材(5)；设置于其上的用于载置基板的载置部(6)；和以围绕上述载置部(6)和上述基材(5)的上部的周围的方式而设置的由绝缘性陶瓷构成的屏蔽部件(7)，上述屏蔽部件(7)被分割成多个分割片(7a)，并且具有以使上述分割片(7a)相互接近的方式施力的施力机构(50)。

公开(公告)号：CN101170053A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710162644.0

申请日：2007-10-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 齐藤均 ,  佐藤亮 ,  佐佐木芳彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  C23F4/00 ,  C23C16/509 ,  C23C16/513 ,  C23C16/54 ,  G02F1/1333 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种当在平行平板电极之间利用高频电力产生等离子体时，使高频电流的返回路径的电阻减小的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在作为升降自由的阳极电极的上部电极上，通过导电性的升降棒在处理容器外设置有导电性的移动侧接触部件。另一方面，在处理容器的外部，通过导电性的支撑部件设置有导电性的固定侧接触部，使得在上述上部电极被设定在进行等离子体处理的位置时，上述固定侧接触部与上述移动侧接触部件接触，形成高频电流的返回路径。高频电流在下部电极→等离子体→上部电极→升降棒→移动侧接触部件→固定侧接触部→支撑部件→处理容器→高频电源部的接地侧的路径中流动，因此能够减小上述返回路径的电阻。