公开(公告)号：CN119698692A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202380057825.4

申请日：2023-07-31

Applicant: QORVO美国公司

Inventor： 迈克尔·卡罗尔 ,  丹尼尔·查尔斯·克尔 ,  E·K·博尔顿 ,  邱继贤 ,  罗希

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/768 ,  H10D84/03 ,  H01L21/66

Abstract: 本公开提供了一种使用三维（3D）混合晶圆级键合晶圆来制造射频（RF）电路的方法。在一个方面，提供第一底部绝缘体上硅（SOI）晶圆和第二顶部SOI晶圆。然后，在第一SOI晶圆和第二SOI晶圆两者上执行互补金属氧化物半导体处理，以制造晶体管并且在每个晶圆上形成RF电路。然后，将第二晶圆键合到第一晶圆以将所述RF电路电耦合在一起。在一个方面，该3D制造方法使得能够使用使用多个晶圆以三维（3D）折叠配置堆叠的晶体管结构来设计RF电路。在一个方面，该RF电路使用在晶圆键合工艺期间折叠在一起的镜像部分。在另一方面，该RF电路使用顶部晶圆与底部晶圆之间的不对称部分。

公开(公告)号：CN117995798A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311425567.9

申请日：2023-10-31

Applicant: QORVO美国公司

Inventor： 迈克尔·卡罗尔 ,  E·K·博尔顿 ,  M·S·阿索伊 ,  罗希 ,  D·C·克尔 ,  邱继贤

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H03K17/687

Abstract: 本公开涉及具有重布层的晶片级混合接合RF开关。公开一种IC装置的实施例。在一些实施例中，一种集成电路(IC)装置包含：第一有源半导体层，其包含第一有源半导体装置区；第二有源半导体层，其包含有源半导体区，所述第二有源半导体层连接到所述第一有源半导体层并且定位在所述第一有源半导体层上；第一重布层，其定位在所述第二有源半导体层上，所述第一重布层电连接到所述第一有源半导体层和所述第二有源半导体层；钝化层，其定位在所述第一重布层上；第二重布层，其定位在所述钝化层上，其中所述第二重布层电连接到所述第一重布层。